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ESDAVLC8-1BU2
单线低电容的Transil ，瞬态浪涌电压
抑制器（TVS ）用于双向ESD保护
数据表
生产数据
特点
■
■
■
■
■
■
■
双向设备
可承受多次ESD冲击
非常低电容二极管： 5 pF的典型。在0 V
低漏电流
兼容0201 SMD封装尺寸
超小的PCB面积： 0.18毫米
2
符合RoHS
销2在不同的形式提供
ST0201封装
好处
■
■
■
■
高ESD保护水平
高集成度
适用于高密度电路板
MSL1
图1 。
功能图（顶视图）
符合以下标准：
■
IEC 61000-4-2第4级
- 15千伏（空气放电）
- 8千伏（接触放电）
应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的，如：
■
■
■
■
■
便携式多媒体播放器和配件
笔记本电脑
数码相机和摄像机
通信系统
移动电话手机及配件
描述
该ESDAVLC8-1BU2是一个双向单行
TVS二极管的设计，以保护数据线或
其他I / O端口对ESD瞬变。
该设备是非常适合应用在两
降低线路电容和电路板空间节省
是必需的。
TM ：是的Transil意法半导体公司的商标。
2012年5月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 16546第2版
1/11
www.st.com
11
特征
ESDAVLC8-1BU2
1
表1中。
符号
特征
绝对最大额定值（T
AMB
= 25 °C)
参数
峰值脉冲电压：
IEC 61000-4-2接触放电
EC 61000-4-2空气放电
峰值脉冲电流（ 8/20微秒）
结温
存储温度范围
在10 s最大无铅焊接温度的
工作结温范围
价值
单位
V
PP
I
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
± 15
± 16
1.5
125
- 55 + 150
260
-40到+125
kV
A
°C
°C
°C
°C
图2中。
电气特性（定义）
符号
V
BR
V
CL
I
RM
V
RM
I
F
I
PP
I
R
V
F
R
d
aT
参数
击穿电压
钳位电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
正向电流
峰值脉冲电流
击穿电流
正向电压降
动态阻抗
电压温度
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
表2中。
符号
V
BR
I
RM
R
d
αT
C
LINE
电气特性（值，T
AMB
= 25 °C)
测试条件
从1脚到脚2 ，我
R
= 1毫安
从引脚2到1脚，我
R
= 1毫安
V
RM
= 3 V
方波脉冲，我
PP
= 1吨
p
= 2.5 s
ΔV
BR
=
αT(T
AMB
- 25℃ ）× V
BR
(25 °C)
V
R
= 0 V，F
OSC
= 1兆赫，V
OSC
= 30毫伏
5
2.5
6
7
分钟。
8.5
14.5
典型值。
11
V
17
100
nA
Ω
10
-4
/°C
pF
马克斯。
单位
2/11
文档ID 16546第2版
ESDAVLC8-1BU2
特征
网络连接gure 3 。
尖峰脉冲的相对变化
功率与最初的结
温度
图4中。
峰值脉冲功率与
指数脉冲持续时间
P
PP
[T
j
初始] / P
PP
[T
j
initial=25°C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
P
PP
(W)
1000
T
j
初始= 25°C
100
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
j
(°C)
t
P
(s)
10
1
10
100
1000
图5中。
结电容与
反向施加电压
（典型值）
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
图6 。
泄漏的相对变化
电流与结
温度（典型值）的
5
C（ pF）的
100
I
R
[T
j
] / I
R
[T
j
=25°C]
V
R
=3V
4
3
10
2
1
V
R
(V)
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
-5.0
-4.0
-3.0
-2.0
-1.0
5.0
1
25
50
75
100
T
j
(°C)
125
图7 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ 8 kV接触放电）
网络连接gure 8 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ -8 kV接触放电）
10 V / DIV
10 V / DIV
20 ns /格
20 ns /格
文档ID 16546第2版
3/11
特征
图9 。
S21衰减测量结果
dB
0.00
ESDAVLC8-1BU2
- 6.00
-12.00
-18.00
-24.00
F（赫）
- 30.00
100.0k
1.0M
10.0M
100.0M
1.0G
图10.静态特性（引脚2到GND）
5
4
3
2
1
0
-1
-2
-3
-4
mA
V
-5
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
25
4/11
文档ID 16546第2版
ESDAVLC8-1BU2
订购信息计划
2
订购信息计划
图11.订购信息计划
ESDA VLC 8 - 1B U2
ESD阵列
非常低电容
击穿电压
8 = 8.5 V分钟
方向
B =双向
包
U2 = ST0201
文档ID 16546第2版
5/11
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