订购数量： ENA0301
ECH8615
三洋半导体
数据表
P沟道MOSFET硅
ECH8615
特点
通用开关设备
应用
4V的驱动器。
复合型，促进高密度安装。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
总功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
1unit
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
条件
评级
--60
±20
--2
--20
1.3
1.5
150
--55到150
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
条件
ID = - 1mA时， VGS = 0V
VDS = -
-60V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = -
-10V ， ID = - 1毫安
VDS = -
-10V ， ID = - 1A
ID = - 1A ， VGS = -
-10V
ID = - 0.5A ， VGS = -
-4V
VDS = -
-20V ， F = 1MHz的
VDS = -
-20V ， F = 1MHz的
VDS = -
-20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
--60
--1
±10
--1.2
2.1
3.5
160
210
660
54
42
10.5
7.0
93
30
210
295
--2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
标记： FH
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
80906 / 12506PE MS IM TB- 00001931号A0301-1 / 4
ECH8615
从接下页。
参数
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = -
-2A
VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = -
-2A
VDS = - 30V ， VGS = - 10V ， ID = -
-2A
IS = - 2A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
15
2.1
2.7
--0.82
--1.2
最大
单位
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm
7011A-001
顶视图
0.25
电气连接
8
7
6
5
2.9
0.15
8
5
0至0.02
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain2
7 ： Drain1
8 ： Drain1
1
2
3
4
2.8
2.3
0.25
1
0.65
4
0.3
顶视图
0.9
1 ：源1
2 ： GATE1
3 ：源2
4 ： GATE2
5 ： Drain2
6 ： Drain2
7 ： Drain1
8 ： Drain1
底部视图
0.07
三洋： ECH8
开关时间测试电路
VIN
0V
--10V
VIN
VDD = --30V
ID = --1A
RL=30
VOUT
D
PW=10s
D.C.≤1%
G
ECH8615
P.G
50
S
第A0301-2 / 4
ECH8615
--10
--9
VGS - 的Qg
VDS = --30V
ID = --2A
漏极电流ID -
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ASO
IDP = --20A
≤10s
栅极 - 源极电压VGS - V
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
IT10652
10
1m
s
ID = --2A
10
0
s
DC
op
10
ms
ERA
0m
s
Ta
=
25
°
C
TIO
n(
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
)
--0.01
--0.1
Ta=25°C
单脉冲
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
总栅极电荷QG - 数控
1.8
PD - TA
安装在陶瓷板（ 900毫米
2
!0.8mm)
漏极至源极电压VDS - V
5 7 --100
IT10653
允许功耗， PD - 含
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
To
TAL
di
ss
1u
ip
NIT
ATI
on
60
80
100
120
140
160
环境温度，钽 -
°C
IT10654
注意使用情况：由于ECH8615是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
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PS第A0301-4 / 4
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