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ESDALC6V1-1U2
单线低电容的Transil ESD保护
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
击穿电压V
BR
= 6.1 V分钟。
单向装置
多ESD冲击的可持续性
非常低的二极管电容： 12 pF的典型值。在0 V
低漏电流
兼容0201 SMD封装尺寸
超小的PCB面积： 0.18毫米
2
符合RoHS
引脚1以不同的形式提供
ST0201封装
好处
■
■
■
■
高ESD保护水平
高集成度
适用于高密度电路板
MSL1
图1 。
功能图（顶视图）
符合以下标准：
■
IEC 61000-4-2第4级
应用
在那里ESD瞬态过电压保护
敏感设备是必需的，如：
■
■
■
■
■
便携式多媒体播放器和配件
笔记本电脑
数码相机和摄像机
通信系统
移动电话手机及配件
描述
该ESDALC6V1-1U2是单向单
线的TVS二极管设计用来保护数据线
或者其他的I / O端口对ESD瞬变。
该设备是非常适合应用在两
降低线路电容和电路板空间节省
是必需的。
TM ：
TRANSIL是意法半导体公司的商标。
2011年9月
文档ID 15089牧师3
1/11
www.st.com
11
特征
ESDALC6V1-1U2
1
表1中。
符号
V
PP
P
PP
I
PP
T
j
T
英镑
T
L
T
op
特征
绝对最大额定值（T
AMB
= 25 °C)
参数
峰值脉冲电压：
IEC 61000-4-2接触放电
峰值脉冲功率耗散（ 8/20微秒）
(1)
峰值脉冲电流（ 8/20微秒）
结温
存储温度范围
在10 s最大无铅焊接温度的
工作结温范围
T
初始
= T
AMB
价值
单位
kV
W
A
°C
°C
°C
°C
±8
20
2
125
- 55 + 150
260
-40到+125
1.对于一个浪涌大于最大值时，二极管将在短路故障
图2中。
电气特性（定义）
I
符号
V
BR
V
CL
I
RM
V
RM
I
F
I
PP
I
R
V
F
R
d
α
T
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
参数
击穿电压
钳位电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
正向电流
峰值脉冲电流
击穿电流
正向电压降
动态阻抗
电压温度
I
F
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
F
V
坡 1 / R
d
I
PP
表2中。
符号
V
BR
I
RM
R
d
αT
C
LINE
电气特性（值，T
AMB
= 25 °C)
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3 V
方波脉冲，我
PP
= 1吨
p
= 2.5 s
ΔV
BR
=
αT(T
AMB
- 25℃ ）× V
BR
(25 °C)
V
R
= 0 V，F
OSC
= 1兆赫，V
OSC
= 30毫伏
12.0
1.3
4.5
分钟。
6.1
典型值。
马克斯。
8.0
100
单位
V
nA
Ω
10
-4
/°C
pF
2/11
文档ID 15089牧师3
ESDALC6V1-1U2
特征
网络连接gure 3 。
尖峰脉冲的相对变化
功率与最初的结
温度
图4中。
峰值脉冲功率与
指数脉冲持续时间
P
PP
[T
j
初始] / P
PP
[T
j
initial=25°C]
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
j
(°C)
P
PP
(W)
1000
T
j
初始= 25°C
100
10
t
P
(s)
1
1
10
100
1000
图5中。
钳位电压与峰值
脉冲电流
（方波脉冲，典型值）
图6 。
结电容与
反向施加电压
（典型值）
10.0
I
PP
(A)
TP = 2.5微秒
T
j
初始= 25°C
12
C（ pF）的
F = 1 MHz的
V
OSC
= 30毫伏
RMS
T
j
=25 °C
10
8
1.0
6
4
2
V
CL
(V)
0.1
5
7
9
11
13
15
0
0
1
2
3
V
LINE
(V)
4
5
图7 。
泄漏电流与结温的相对变化（典型值）的
I
R
[T
j
] / I
R
[T
j
=25°C]
100
V
R
=3V
10
T
j
(°C)
1
25
50
75
100
125
文档ID 15089牧师3
3/11
特征
ESDALC6V1-1U2
网络连接gure 8 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ 8 kV接触放电）
图9 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ -8 kV接触放电）
10 V / DIV
10 V / DIV
20 ns /格
20 ns /格
图10. S21衰减测量结果
0.00
dB
- 6.00
平均
性能
(50WSystem)
（ 50Ω系统）
-12.00
通带
衰减
-3 dB点
衰减
（ 0.8 - 4GHz的）
0.01分贝
538 GHz的
1.02MHz
< -2.1dB
-5.2分贝
（ -6.1dB@900兆赫
(-2.5dB@900MHz
-14 dB@1.8千兆赫）
-6.1dB@1.8GHz)
-18.00
-24.00
F（赫）
- 30.00
100.0k
1.0M
10.0M
100.0M
1.0G
4/11
文档ID 15089牧师3
ESDALC6V1-1U2
订购信息计划
2
订购信息计划
图11.订购信息计划
ESDA LC 6V1 - 1U2
ESD阵列
低电容
击穿电压
6V1 = 6.1 V分钟
包
U2 = ST0201
文档ID 15089牧师3
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