ES1A通ES1D
威世通用半导体
表面贴装塑料超快整流器
特点
薄型封装
适合自动放置
玻璃钝化结
超快恢复时间的高效率
低正向电压，低功率损耗
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
DO- 214AC （ SMA）的
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机，汽车和
电信。
机械数据
案例：
DO- 214AC （ SMA）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC - Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
1.0 A
50 V至200 V
30 A
15纳秒
0.92 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
ES1A
EA
50
35
50
ES1B
EB
100
70
100
1
30
- 55至+ 150
ES1C
EC
150
105
150
ES1D
ED
200
140
200
V
V
V
A
A
°C
单位
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威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
最大DC反向电流在额定
阻断电压DC
最大反向恢复时间
最大反向恢复时间
最大存储电荷
典型结电容
I
F
= 0.6 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，我
rr
=10 % I
RM
I
F
= 0.6 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，我
rr
=10 % I
RM
4.0 V， 1 MHz的
测试条件
I
F
= 0.6 A
(1)
I
F
= 1.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，L
rr
= 0.25 A
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
符号
V
F
I
R
t
rr
t
rr
Q
rr
C
J
价值
0.865
0.920
5.0
100
15
25
35
10
25
10
单位
V
A
ns
ns
nC
pF
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
符号
R
θJA
R
θJL
ES1A
ES1B
85
35
ES1C
ES1D
单位
° C / W
注意：
安装在P.C.B. （ 1）单位5.0 ×5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积
订购信息
（例）
首选的P / N
ES1D-E3/61T
ES1D-E3/5AT
ES1DHE3/61T
(1)
ES1DHE3/5AT
(1)
单位重量（g ）
0.064
0.064
0.064
0.064
首选包装代码
61T
5AT
61T
5AT
基地数量
1800
7500
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
注意：
（ 1 ）汽车级AEC- Q101标准
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
1.2
30
正向平均整流电流（ A）
1.0
峰值正向浪涌电流（ A）
8.3
毫秒单一正弦半波
25
0.8
20
0.6
15
0.4
负载电阻或电感
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
80
90
100
110
120
130
140
150
10
0.2
5
0
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.最大正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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威世通用半导体
100
14
12
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
T
J
= 125 °C
结电容（pF ）
1.2
1.4
10
8
6
4
2
0
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
1000
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 150 °C
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
10
安装在0.2× 0.2" （ 5 ×7 MM）
铜焊盘区
10
1
T
J
= 25 °C
0.1
0
20
40
60
80
100
1
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图4.典型的反向漏电特性
图6.典型热阻
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208 (5.28)
REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
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