【订购数量： ENA1456AECH8671三洋半导体数据表ECH8671特点P沟道MOSFET硅通用】,IC型号ECH8671-TL-H,ECH8671-TL-H PDF资料,ECH8671-TL-H经销商,ic,电子元器件-51电子网

订购数量： ENA1456A

ECH8671

三洋半导体

数据表

ECH8671

特点

P沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

1.8V驱动

复合型，促进高密度安装

无卤合规

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

总功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

IDP

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

当安装在陶瓷基体（ 1200毫米

×0.8mm)

1unit

当安装在陶瓷基体（ 1200毫米

×0.8mm)

条件

评级

--12

±10

--3.5

--30

1.3

1.5

150

-55到+150

单位

°C

本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ，所以请搬运时要小心。

机器型号

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7011A-001

顶视图

0.25

2.9

0.15

产品&包装信息

包

： ECH8

JEITA ， JEDEC

最小包装数量： 3000个/卷。

ECH8671-TL-H

包装类型： TL

0吨 0.02

记号

2.8

2.3

LOT号

0.25

0.65

0.3

电气连接

0.9

1 ：源1

2 ： GATE1

3 ：源2

4 ： GATE2

5 ： Drain2

6 ： Drain2

7 ： Drain1

8 ： Drain1

博特吨OM查看

0.07

三洋： ECH8

http://semicon.sanyo.com/en/network

60612 TKIM / 42209PE MSIM TC- 00001907号A1456-1 / 7

ECH8671

电气特性

在TA = 25℃

参数

漏极至源极击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极 - 源极漏电流

截止电压

正向转移导纳

静态漏 - 源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅 - 漏“米勒”充电

二极管的正向电压

符号

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

VGS （关闭）

YFS

RDS(on)1

RDS(on)2

RDS(on)3

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

TD （关闭）

QGS

QGD

VSD

IS = - 3.5A ， VGS = 0V

VDS = - 6V ， VGS = - 4.5V ， ID = - 3.5A

请参阅特定网络版测试电路。

VDS = - 6V ， F = 1MHz的

条件

ID = - 1mA时， VGS = 0V

VDS = - 12V ， VGS = 0V

VGS = ± 8V ， VDS = 0V

VDS = - 6V ，ID = - 1毫安

VDS = - 6V ，ID = - 1.5A

ID = - 1.5A ， VGS = - 4.5V

ID = - 1A ， VGS = - 2.5V

ID = - 0.5A ， VGS = - 1.8V

评级

民

--12

--10

±10

-0.4

2.7

4.6

145

330

110

7.1

3.9

0.6

1.1

-0.85

-1.2

126

215

--1.3

典型值

最大

单位

μA

mΩ

开关时间测试电路

--4.5V

VIN

VDD = --6V

VIN

PW=10μs

D.C.≤1%

ID = --1.5A

RL=4Ω

VOUT

P.G

ECH8671

50Ω

订购信息

设备

ECH8671-TL-H

包

ECH8

航运

3,000pcs./reel

备忘录

无铅和无卤素

第A1456-2 / 7

ECH8671

--3.5V

--2.5

--3.0

ID - VDS

--6.0

--5.5

--5.0

ID - VGS

VDS = --10V

--10V

--8V

--2.5

--1

漏极电流ID -

--2.0

漏极电流ID -

--4.5

--4.0

--3.5

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--1.5

--1.0

--4.

--1.5V

--0.5

VGS = --1.2V

--0.1

--0.2

--0.3

--0.4

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--0.5

--1.0

--1.5

--25

--2.0

--2.5

--3.0

IT14573

漏极至源极电压VDS - V

220

RDS （ ON） - VGS

IT14572

220

栅极 - 源极电压VGS - V

RDS （ ON） - TA

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

180

160

140

120

100

--1

--2

--3

--4

--5

--6

--7

--8

静态漏 - 源

通态电阻， RDS （ ON） - 毫欧

200

Ta=25°C

200

180

160

140

120

100

--60 --40

--20

100

120

140

160

ID = --0.5A

--1A

--1.5A

= --0.

V， I D

= --1.

V GS

= --1.

V， I D

--2.5

V GS =

1.5A

, I = --

= --4.5V

V GS

栅极 - 源极电压VGS - V

- ID

IT14574

--10

--1.0

--0.1

环境温度，钽 -

°C

IS - VSD

IT14575

正向转移导纳，

-- S

VDS = --6V

VGS=0V

1.0

0.1

--0.01

--2

源出电流，是 - 个

5 7 --0.1

5 7 --1.0

漏极电流ID -

5 7 --10

IT14576

--0.01

--0.3

--0.4

--25

--0.5

--0.6

--0.7

--0.8

--0.9

--1.0

--1.1

SW时间 - ID

切换时间， SW时间 - NS

100

--0.01

5 7 --0.1

5 7 --1.0

VDD = --6V

VGS = --4.5V

西塞，科斯，的Crss - pF的

1000

西塞，科斯，的Crss - VDS

二极管的正向电压， VSD - V

IT14577

f=1MHz

西塞

TD （关闭）

TD （上）

科斯

100

CRSS

--2

--4

--6

--8

--10

--12

IT14579

5 7 --10

IT14578

漏极电流ID -

漏极至源极电压VDS - V

第A1456-3 / 7

ECH8671

--4.5

--4.0

--3.5

VGS - 的Qg

VDS = --6V

ID = --3A

漏极电流ID -

栅极 - 源极电压VGS - V

--10

--1.0

--0.1

ASO

IDP = --30A

PW≤10μs

)

--3.0

--2.5

--2.0

--1.5

--1.0

--0.5

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

ID = --3.5A

ERA

TIO

在这一领域

由RDS （ ON）的限制。

--0.01

Ta=25°C

单脉冲

当安装在陶瓷基体（ 1200毫米

×0.8mm)

1unit

5 7 --0.1

5 7 --1.0

5 7 --10

总栅极电荷QG - 数控

1.6

PD - TA

IT14580

漏极至源极电压VDS - V

IT14638

允许功耗， PD - 含

1.5

1.4

1.3

1.2

1.0

0.8

当安装在陶瓷基板

(1200mm

×0.8mm)

0.6

0.4

0.2

国际空间站

100

120

140

160

环境温度，钽 -

°C

IT14639

第A1456-4 / 7

ECH8671

压纹带包装特定网络阳离子

ECH8671-TL-H

第A1456-5 / 7