EN29LV160B
用途
宙硅解决方案公司（以下简称“李炎” ）将要提供有关其产品的顶级标志
集成电路与< cFeon >自2009年1月1日，没有部件号的任何改变和
集成电路的组合物。李炎仍保持质量的承诺为所有的产品与
相同宙之前交付。请注意与变化，感谢您
好心的合作和全力支持EON的产品系列。
EON产品的新的顶部标记
cFeon顶部标记示例：
cFeon
产品型号： XXXX -XXX
批号： XXXXX
日期代码：
XXXXX
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为宙产品的结果。任何
已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果，并且将记录在
文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新时会发生
相应的，并且更改将被记录在修订摘要。
订购零件编号的连续性
李炎继续支持以“宙”和“ cFeon ”顶标线开始已有部分号码。对
在过渡期间，订购这些产品，请注明“李炎顶标”或“ cFeon顶标”
在您的采购订单。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处关于李炎记忆体解决方案的更多信息。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
我牧师，发表日期： 2011年10月26日
EN29LV160B
EN29LV160B
16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
3.0V单电源工作
- 最大程度降低系统级功耗要求
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
μA
待机电流
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS
闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低100K的程序/擦除次数
周期
封装选项
- 48引脚TSOP （类型1 ）
- 48球的6mm x 8毫米TFBGA
工业温度范围
灵活的部门架构：
- 一个16K字节， 2个8 KB的，一个32字节，
和31的64字节扇区（字节模式）
- 一个8 - K字，两个4千字，一个16- K字
和31 32 K字部门（字模式）
部门保护：
- 硬件扇区，以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节/字编程时间： 8μs典型
扇区擦除时间： 100ms的典型
芯片擦除时间： 4S典型
概述
该EN29LV160B是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在8μs进行编程。该
EN29LV160B特点3.0V电压读写操作，访问时间以最快的速度为70ns至
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV160B有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能（ WE＃ ）
控制，这消除了总线争用问题。该设备被设计为允许单个部门或
整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司，
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我牧师，发表日期： 2011年10月26日
EN29LV160B
表2.前引导扇区地址表（ EN29LV160BT ）
扇区大小
（千字节/
K字）
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
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SA19
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SA23
SA24
SA25
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SA27
SA28
SA29
SA30
SA31
SA32
SA33
SA34
A19
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A15
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A14
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A13
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64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
地址范围（十六进制）
字节模式（ X8 ）
000000–00FFFF
010000–01FFFF
020000–02FFFF
030000–03FFFF
040000–04FFFF
050000–05FFFF
060000–06FFFF
070000–07FFFF
080000–08FFFF
090000–09FFFF
0A0000–0AFFFF
0B0000–0BFFFF
0C0000–0CFFFF
0D0000–0DFFFF
0E0000–0EFFFF
0F0000–0FFFFF
100000–10FFFF
110000–11FFFF
120000–12FFFF
130000–13FFFF
140000–14FFFF
150000–15FFFF
160000–16FFFF
170000–17FFFF
180000–18FFFF
190000–19FFFF
1A0000–1AFFFF
1B0000–1BFFFF
1C0000–1CFFFF
1D0000–1DFFFF
1E0000–1EFFFF
1F0000–1F7FFF
1F8000–1F9FFF
1FA000–1FBFFF
1FC000–1FFFFF
文字模式
(x16)
00000–07FFF
08000–0FFFF
10000–17FFF
18000–1FFFF
20000–27FFF
28000–2FFFF
30000–37FFF
38000–3FFFF
40000–47FFF
48000–4FFFF
50000–57FFF
58000–5FFFF
60000–67FFF
68000–6FFFF
70000–77FFF
78000–7FFFF
80000–87FFF
88000–8FFFF
90000–97FFF
98000–9FFFF
A0000–A7FFF
A8000–AFFFF
B0000–B7FFF
B8000–BFFFF
C0000–C7FFF
C8000–CFFFF
D0000–D7FFF
D8000–DFFFF
E0000–E7FFF
E8000–EFFFF
F0000–F7FFF
F8000–FBFFF
FC000–FCFFF
FD000–FDFFF
FE000–FFFFF
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
我牧师，发表日期： 2011年10月26日
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