EN29LV160A
EN29LV160A
16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
3.0V单电源工作
- 最大程度降低系统级功耗要求
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
A
待机电流
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
- 芯片擦除时间： 17.5s典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS
闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低1,000K编程/擦除耐力
灵活的部门架构：
- 一个16K字节， 2个8 KB的，一个32字节，
和31的64字节扇区（字节模式）
- 一个8 - K字，两个4千字，一个16- K字
和31 32 K字部门（字模式）
部门保护：
- 硬件扇区，以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间： 8μs典型
周期
封装选项
- 48引脚TSOP （类型1 ）
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围
概述
该EN29LV160A是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在8μs进行编程。
该EN29LV160A特点3.0V电压读取并以最快的速度写操作，访问时间
为70ns ，从而无需在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV160A有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能
（ WE＃ ）控制，这消除了总线争用问题。本设备被设计为允许
单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置
可以维持至少1,000K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2005年1月7日
EN29LV160A
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
标准
TSOP
FBGA
顶视图，球朝下
A6
B6
C6
D6
E6
F6
G6
H6
A13
A12
A14
A15
A16
BYTE ＃
DQ15/A-1
VSS
A5
B5
C5
D5
E5
F5
G5
H5
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
A4
B4
C4
D4
E4
F4
G4
H4
WE＃
RESET＃
NC
A19
DQ5
DQ12
VCC
DQ4
A3
B3
C3
D3
E3
F3
G3
H3
RY / BY ＃
A2
NC
B2
A18
C2
NC
D2
A5
D1
DQ2
E2
DQ0
E1
DQ10
F2
DQ8
DQ11
G2
DQ9
G1
DQ3
H2
DQ1
A7
A1
A17
B1
A6
C1
F1
H1
A3
A4
A2
A1
A0
CE＃
OE ＃
VSS
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
2
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EN29LV160A
表1.引脚说明
引脚名称
A0-A19
DQ0-DQ14
DQ15 / A- 1
CE＃
OE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
WE＃
VCC
VSS
NC
BYTE ＃
20个地址
15数据输入/输出
DQ15 （数据输入/输出，文字模式） ，
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
硬件复位引脚
READY / BUSY输出
写使能
电源电压
(2.7-3.6V)
地
没有连接到任何东西
字节/字模式
RESET＃
图1.逻辑图
功能
EN29LV160A
A0 – A19
DQ0 DQ15
(A-1)
CE＃
OE ＃
WE＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
3
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EN29LV160A
表2.前引导扇区地址表（ EN29LV160AT ）
扇区大小
（千字节/
K字）
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
SA19
SA20
SA21
SA22
SA23
SA24
SA25
SA26
SA27
SA28
SA29
SA30
SA31
SA32
SA33
SA34
A19
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
A18
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0
0
0
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0
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0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
A17
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0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
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1
1
1
1
1
1
1
A16
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1
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1
1
0
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1
1
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0
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1
1
1
1
A15
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1
0
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0
1
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1
0
1
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1
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1
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1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
62/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
地址范围（十六进制）
字节模式（ X8 ）
000000–00FFFF
010000–01FFFF
020000–02FFFF
030000–03FFFF
040000–04FFFF
050000–05FFFF
060000–06FFFF
070000–07FFFF
080000–08FFFF
090000–09FFFF
0A0000–0AFFFF
0B0000–0BFFFF
0C0000–0CFFFF
0D0000–0DFFFF
0E0000–0EFFFF
0F0000–0FFFFF
100000–10FFFF
110000–11FFFF
120000–12FFFF
130000–13FFFF
140000–14FFFF
150000–15FFFF
160000–16FFFF
170000–17FFFF
180000–18FFFF
190000–19FFFF
1A0000–1AFFFF
1B0000–1BFFFF
1C0000–1CFFFF
1D0000–1DFFFF
1E0000–1EFFFF
1F0000–1F7FFF
1F8000–1F9FFF
1FA000–1FBFFF
1FC000–1FFFFF
文字模式
(x16)
00000–07FFF
08000–0FFFF
10000–17FFF
18000–1FFFF
20000–27FFF
28000–2FFFF
30000–37FFF
38000–3FFFF
40000–47FFF
48000–4FFFF
50000–57FFF
58000–5FFFF
60000–67FFF
68000–6FFFF
70000–77FFF
78000–7FFFF
80000–87FFF
88000–8FFFF
90000–97FFF
98000–9FFFF
A0000–A7FFF
A8000–AFFFF
B0000–B7FFF
B8000–BFFFF
C0000–C7FFF
C8000–CFFFF
D0000–D7FFF
D8000–DFFFF
E0000–E7FFF
E8000–EFFFF
F0000–F7FFF
F8000–FBFFF
FC000–FCFFF
FD000–FDFFF
FE000–FFFFF
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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EN29LV160A
表3.底部引导扇区地址表（ EN29LV160AB ）
扇区大小
（千字节/
K字）
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
SA19
SA20
SA21
SA22
SA23
SA24
SA25
SA26
SA27
SA28
SA29
SA30
SA31
SA32
SA33
SA34
A19
0
0
0
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1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
A18
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0
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1
1
1
1
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1
1
1
1
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1
A17
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0
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1
A16
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1
1
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0
1
1
0
0
1
1
A15
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0
0
1
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1
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1
0
1
0
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1
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1
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1
0
1
0
1
A14
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
地址范围（十六进制）
字节模式（ X8 ）
000000–003FFF
004000–005FFF
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1E0000–1EFFFF
1F0000–1FFFFF
文字模式
(x16)
00000–01FFF
02000–02FFF
03000–03FFF
04000–07FFF
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90000–97FFF
98000–9FFFF
A0000–A7FFF
A8000–AFFFF
B0000–B7FFF
B8000–BFFFF
C0000–C7FFF
C8000–CFFFF
D0000–D7FFF
D8000–DFFFF
E0000–E7FFF
E8000–EFFFF
F0000–F7FFF
F8000–FFFFF
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
3.0V单电源工作
- 最大程度降低系统级功耗要求
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
A
待机电流
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
- 芯片擦除时间： 17.5s典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS
闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低1,000K编程/擦除耐力
灵活的部门架构：
- 一个16K字节， 2个8 KB的，一个32字节，
和31的64字节扇区（字节模式）
- 一个8 - K字，两个4千字，一个16- K字
和31 32 K字部门（字模式）
部门保护：
- 硬件扇区，以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间： 8μs典型
周期
封装选项
- 48引脚TSOP （类型1 ）
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围
概述
该EN29LV160A是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在8μs进行编程。
该EN29LV160A特点3.0V电压读取并以最快的速度写操作，访问时间
为70ns ，从而无需在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV160A有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能
（ WE＃ ）控制，这消除了总线争用问题。本设备被设计为允许
单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置
可以维持至少1,000K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
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EN29LV160A
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
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8
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11
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45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
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DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
标准
TSOP
FBGA
顶视图，球朝下
A6
B6
C6
D6
E6
F6
G6
H6
A13
A12
A14
A15
A16
BYTE ＃
DQ15/A-1
VSS
A5
B5
C5
D5
E5
F5
G5
H5
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
A4
B4
C4
D4
E4
F4
G4
H4
WE＃
RESET＃
NC
A19
DQ5
DQ12
VCC
DQ4
A3
B3
C3
D3
E3
F3
G3
H3
RY / BY ＃
A2
NC
B2
A18
C2
NC
D2
A5
D1
DQ2
E2
DQ0
E1
DQ10
F2
DQ8
DQ11
G2
DQ9
G1
DQ3
H2
DQ1
A7
A1
A17
B1
A6
C1
F1
H1
A3
A4
A2
A1
A0
CE＃
OE ＃
VSS
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
2
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版本C ，发行日期： 2005年1月7日
EN29LV160A
表1.引脚说明
引脚名称
A0-A19
DQ0-DQ14
DQ15 / A- 1
CE＃
OE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
WE＃
VCC
VSS
NC
BYTE ＃
20个地址
15数据输入/输出
DQ15 （数据输入/输出，文字模式） ，
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
硬件复位引脚
READY / BUSY输出
写使能
电源电压
(2.7-3.6V)
地
没有连接到任何东西
字节/字模式
RESET＃
图1.逻辑图
功能
EN29LV160A
A0 – A19
DQ0 DQ15
(A-1)
CE＃
OE ＃
WE＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
3
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版本C ，发行日期： 2005年1月7日
EN29LV160A
表2.前引导扇区地址表（ EN29LV160AT ）
扇区大小
（千字节/
K字）
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
SA19
SA20
SA21
SA22
SA23
SA24
SA25
SA26
SA27
SA28
SA29
SA30
SA31
SA32
SA33
SA34
A19
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0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
A18
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
A17
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
A16
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0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
1
A15
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1
0
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0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
1
A14
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
A13
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
A12
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
62/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
地址范围（十六进制）
字节模式（ X8 ）
000000–00FFFF
010000–01FFFF
020000–02FFFF
030000–03FFFF
040000–04FFFF
050000–05FFFF
060000–06FFFF
070000–07FFFF
080000–08FFFF
090000–09FFFF
0A0000–0AFFFF
0B0000–0BFFFF
0C0000–0CFFFF
0D0000–0DFFFF
0E0000–0EFFFF
0F0000–0FFFFF
100000–10FFFF
110000–11FFFF
120000–12FFFF
130000–13FFFF
140000–14FFFF
150000–15FFFF
160000–16FFFF
170000–17FFFF
180000–18FFFF
190000–19FFFF
1A0000–1AFFFF
1B0000–1BFFFF
1C0000–1CFFFF
1D0000–1DFFFF
1E0000–1EFFFF
1F0000–1F7FFF
1F8000–1F9FFF
1FA000–1FBFFF
1FC000–1FFFFF
文字模式
(x16)
00000–07FFF
08000–0FFFF
10000–17FFF
18000–1FFFF
20000–27FFF
28000–2FFFF
30000–37FFF
38000–3FFFF
40000–47FFF
48000–4FFFF
50000–57FFF
58000–5FFFF
60000–67FFF
68000–6FFFF
70000–77FFF
78000–7FFFF
80000–87FFF
88000–8FFFF
90000–97FFF
98000–9FFFF
A0000–A7FFF
A8000–AFFFF
B0000–B7FFF
B8000–BFFFF
C0000–C7FFF
C8000–CFFFF
D0000–D7FFF
D8000–DFFFF
E0000–E7FFF
E8000–EFFFF
F0000–F7FFF
F8000–FBFFF
FC000–FCFFF
FD000–FDFFF
FE000–FFFFF
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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EN29LV160A
表3.底部引导扇区地址表（ EN29LV160AB ）
扇区大小
（千字节/
K字）
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
SA19
SA20
SA21
SA22
SA23
SA24
SA25
SA26
SA27
SA28
SA29
SA30
SA31
SA32
SA33
SA34
A19
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0
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1
1
1
1
1
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1
1
1
1
1
1
1
A18
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1
1
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1
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1
1
A16
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0
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1
1
A15
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1
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1
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1
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1
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1
0
1
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1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
A14
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A13
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
A12
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
地址范围（十六进制）
字节模式（ X8 ）
000000–003FFF
004000–005FFF
006000–007FFF
008000–00FFFF
010000–01FFFF
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030000–03FFFF
040000–04FFFF
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0D0000–0DFFFF
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0F0000–0FFFFF
100000–10FFFF
110000–11FFFF
120000–12FFFF
130000–13FFFF
140000–14FFFF
150000–15FFFF
160000–16FFFF
170000–17FFFF
180000–18FFFF
190000–19FFFF
1A0000–1AFFFF
1B0000–1BFFFF
1C0000–1CFFFF
1D0000–1DFFFF
1E0000–1EFFFF
1F0000–1FFFFF
文字模式
(x16)
00000–01FFF
02000–02FFF
03000–03FFF
04000–07FFF
08000–0FFFF
10000–17FFF
18000–1FFFF
20000–27FFF
28000–2FFFF
30000–37FFF
38000–3FFFF
40000–47FFF
48000–4FFFF
50000–57FFF
58000–5FFFF
60000–67FFF
68000–6FFFF
70000–77FFF
78000–7FFFF
80000–87FFF
88000–8FFFF
90000–97FFF
98000–9FFFF
A0000–A7FFF
A8000–AFFFF
B0000–B7FFF
B8000–BFFFF
C0000–C7FFF
C8000–CFFFF
D0000–D7FFF
D8000–DFFFF
E0000–E7FFF
E8000–EFFFF
F0000–F7FFF
F8000–FFFFF
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
5
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版本C ，发行日期： 2005年1月7日
EN29LV160A
EN29LV160A
16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
3.0V单电源工作
- 最大程度降低系统级功耗要求
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
A
待机电流
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
- 芯片擦除时间： 17.5s典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS
闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低1,000K编程/擦除耐力
灵活的部门架构：
- 一个16K字节， 2个8 KB的，一个32字节，
和31的64字节扇区（字节模式）
- 一个8 - K字，两个4千字，一个16- K字
和31 32 K字部门（字模式）
部门保护：
- 硬件扇区，以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间： 8μs典型
周期
封装选项
- 48引脚TSOP （类型1 ）
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围
概述
该EN29LV160A是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在8μs进行编程。
该EN29LV160A特点3.0V电压读取并以最快的速度写操作，访问时间
为70ns ，从而无需在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV160A有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能
（ WE＃ ）控制，这消除了总线争用问题。本设备被设计为允许
单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置
可以维持至少1,000K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
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版本C ，发行日期： 2005年1月7日
EN29LV160A
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
标准
TSOP
FBGA
顶视图，球朝下
A6
B6
C6
D6
E6
F6
G6
H6
A13
A12
A14
A15
A16
BYTE ＃
DQ15/A-1
VSS
A5
B5
C5
D5
E5
F5
G5
H5
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
A4
B4
C4
D4
E4
F4
G4
H4
WE＃
RESET＃
NC
A19
DQ5
DQ12
VCC
DQ4
A3
B3
C3
D3
E3
F3
G3
H3
RY / BY ＃
A2
NC
B2
A18
C2
NC
D2
A5
D1
DQ2
E2
DQ0
E1
DQ10
F2
DQ8
DQ11
G2
DQ9
G1
DQ3
H2
DQ1
A7
A1
A17
B1
A6
C1
F1
H1
A3
A4
A2
A1
A0
CE＃
OE ＃
VSS
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
2
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EN29LV160A
表1.引脚说明
引脚名称
A0-A19
DQ0-DQ14
DQ15 / A- 1
CE＃
OE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
WE＃
VCC
VSS
NC
BYTE ＃
20个地址
15数据输入/输出
DQ15 （数据输入/输出，文字模式） ，
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
硬件复位引脚
READY / BUSY输出
写使能
电源电压
(2.7-3.6V)
地
没有连接到任何东西
字节/字模式
RESET＃
图1.逻辑图
功能
EN29LV160A
A0 – A19
DQ0 DQ15
(A-1)
CE＃
OE ＃
WE＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
3
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EN29LV160A
表2.前引导扇区地址表（ EN29LV160AT ）
扇区大小
（千字节/
K字）
扇形
SA0
SA1
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64/32
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64/32
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该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
4
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本C ，发行日期： 2005年1月7日
EN29LV160A
表3.底部引导扇区地址表（ EN29LV160AB ）
扇区大小
（千字节/
K字）
扇形
SA0
SA1
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A12
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64/32
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64/32
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64/32
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64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
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64/32
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F8000–FFFFF
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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