EN29F002 / EN29F002N
EN29F002 / EN29F002N
2兆位（ 256K ×8位）快闪记忆体
特点
5.0V ±为10％的读/写操作
读取时间
- 为45nS ， 55ns ， 70ns的，并且为90ns
快速读取访问时间
- 为70ns用C
负载
= 100pF的
- 为45nS ， 55ns用C
负载
= 30pF的
部门架构：
一个16K字节的引导扇区，两个8K字节
参数部门，一是32K字节
3 64K字节的主要部门
引导块顶部/底部编程
架构
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间： 10μs的典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 3.5秒典型
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
五金
RESET
针
（ N / A的EN29F002N ）
单扇区和芯片擦除
扇区保护/临时机构
撤消（
RESET
= V
ID
)
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.4μm的双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
商用和工业温度
范围
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
概述
该EN29F002 / EN29F002N是2兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体。
组织成256K字，每字8位，存储器的2M布置在七个扇区（以
顶部/底部配置） ，其中一个16K字节的引导扇区，二8K字节扇区参数，以及四个主要
部门（一个32K字节和三个64K字节） 。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该EN29F002 /
EN29F002N特征5.0V电压读取和写入操作。的存取时间是快为45nS ，以消除
需要等待状态，在高性能微处理器系统。
该EN29F002 / EN29F002N有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
） ，以及写
启用（
宽E
）控制消除总线争用问题。此装置被设计成允许
无论是单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以
SUSTAIN
a
最低
of
100K
编程/擦除
周期
on
每
部门。
4800大美景观道路，套房202
1
圣克拉拉， CA 95054
版本C ，发行日期： 2001年7月5日
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN29F002 / EN29F002N
EN29F002 / EN29F002N
2兆位（ 256K ×8位）快闪记忆体
特点
5.0V ±为10％的读/写操作
读取时间
- 为45nS ， 55ns ， 70ns的，并且为90ns
快速读取访问时间
- 为70ns用C
负载
= 100pF的
- 为45nS ， 55ns用C
负载
= 30pF的
部门架构：
一个16K字节的引导扇区，两个8K字节
参数部门，一是32K字节
3 64K字节的主要部门
引导块顶部/底部编程
架构
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间： 10μs的典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 3.5秒典型
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
五金
RESET
针
（ N / A的EN29F002N ）
单扇区和芯片擦除
扇区保护/临时机构
撤消（
RESET
= V
ID
)
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.4μm的双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
商用和工业温度
范围
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
概述
该EN29F002 / EN29F002N是2兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体。
组织成256K字，每字8位，存储器的2M布置在七个扇区（以
顶部/底部配置） ，其中一个16K字节的引导扇区，二8K字节扇区参数，以及四个主要
部门（一个32K字节和三个64K字节） 。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该EN29F002 /
EN29F002N特征5.0V电压读取和写入操作。的存取时间是快为45nS ，以消除
需要等待状态，在高性能微处理器系统。
该EN29F002 / EN29F002N有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
） ，以及写
启用（
宽E
）控制消除总线争用问题。此装置被设计成允许
无论是单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护
对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以
SUSTAIN
a
最低
of
100K
编程/擦除
周期
on
每
部门。
4800大美景观道路，套房202
1
圣克拉拉， CA 95054
版本C ，发行日期： 2001年7月5日
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
QQ：2880707522 复制
