EN29F800
EN29F800
8兆位（ 1024K ×8位/ 512K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 5.0伏只
特点
5.0V
±
10 ％ ，单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.32微米制程技术制造的
高性能
- 存取时间快45纳秒
-
-
-
低功耗
25毫安典型的读操作工作电流
30毫安典型的编程/擦除电流
1 μA典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
- 芯片擦除时间： 3.5秒典型
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.32微米双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
>100K编程/擦除周期耐力
灵活的部门架构：
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字，一个16 K字
和15 32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 个人扇区擦除支持
- 行业保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
高性能的编程/擦除速度
- 字节编程时间： 10μs的典型
48引脚TSOP （类型1 ）
商业级温度范围
概述
该EN29F800是8兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，组织
作为1,048,576字节或524,288字。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该
EN29F800特点5.0V电压读写操作，访问时间以最快的速度为45nS到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29F800有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
）和写使能（ WE）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单（或
多）扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
4800大美景观道路，套房202
1
圣克拉拉， CA 95054
修订版E，发表日期： 2001年7月5日
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN29F800
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8兆位（ 1024K ×8位/ 512K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 5.0伏只
特点
5.0V
±
10 ％ ，单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.32微米制程技术制造的
高性能
- 存取时间快45纳秒
-
-
-
低功耗
25毫安典型的读操作工作电流
30毫安典型的编程/擦除电流
1 μA典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
- 芯片擦除时间： 3.5秒典型
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.32微米双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
>100K编程/擦除周期耐力
灵活的部门架构：
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字，一个16 K字
和15 32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 个人扇区擦除支持
- 行业保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
高性能的编程/擦除速度
- 字节编程时间： 10μs的典型
48引脚TSOP （类型1 ）
商业级温度范围
概述
该EN29F800是8兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，组织
作为1,048,576字节或524,288字。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该
EN29F800特点5.0V电压读写操作，访问时间以最快的速度为45nS到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29F800有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
）和写使能（ WE）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单（或
多）扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
4800大美景观道路，套房202
1
圣克拉拉， CA 95054
修订版E，发表日期： 2001年7月5日
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
QQ：2881677436 复制
