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英超
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BSO NDED R气口铈米/ TSC
O
ME
SU P
il.co
COM技术注释w.inters
E
没有R我们的碲或WW
数据表
L
2001年12月4日
圆通遥感研究所
CON -INT
8
1-88
EL5181
FN7178
为8ns高速比较器
该EL5181比较器的设计
在单电源和双操作
电源应用采用5V至12V
V之间
S
+和V
S
- 。对于单电源供电，输入可以
从0.1V工作电压低于地面地面传感应用
应用程序。
比较器的输出端可以从供给
单电源2.7V至5V 。轨到轨输出摆幅
能够比较这两个CMOS直接连接
和TTL逻辑电路。
的EL5181的锁存输入可以用来保持的COM
通过将低逻辑电平，以所述销器的输出值。
该EL5181是在8引脚SO封装，是
工作在-40 ° C至+ 85°C温度规定
TURE范围。此外，还包括一个双（ EL5281 ） ，一个窗口
比较器（ EL5283 ）和四通道版本（ EL5481和
EL5482).
特点
为8ns典型。传播延迟
5V至12V的输入电源
+ 2.7V至+ 5V输出电源
真正的对地输入
轨到轨输出
低电平有效锁存器
双用（ EL5281 ）
窗口比较器（ EL5283 ）
四有（ EL5481 & EL5482 ）
引脚兼容4ns的家庭可用（ EL5x85 ， EL5287 &
EL5486)
应用
阈值检测
高速采样电路
订购信息
部分
数
EL5181CS
EL5181CS-T7
EL5181CS-T13
包
8引脚SO
8引脚SO
8引脚SO
磁带&卷轴
-
7”
13”
PKG 。号
MDP0027
MDP0027
MDP0027
高速触发器
线路接收器
PWM电路
高速V / F转换器
引脚
EL5181
（ 8引脚SO ）
顶视图
VS +
1
L
A
T
C
H
8
VSD
IN +
2
+
-
7
OUT
IN-
3
6
GND
VS-
4
5
LATCH
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有。 ELANTEC是ELANTEC半导体公司的注册商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL5181
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
模拟电源电压（V
S
+到V
S
-) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12.6V
数字电源电压（V
SD
到GND） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [ （Ⅴ
S
- ） -0.2V ]至[ （V
S
+) +0.2V]
共模输入电压。 。 。 。 。 。 [ （Ⅴ
S
- ） -0.2V ]至[ （V
S
+) +0.2V]
锁存输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.2V至[ （Ⅴ
SD
) +0.2V]
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。看到曲线
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试
是在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
电气规格
参数
输入
V
OS
I
B
C
IN
I
OS
V
CM
CMRR
产量
V
OH
V
OL
动态性能
t
PD
+
t
PD
-
供应
I
S
+
I
S
-
I
SD
V
S
= ±5V, V
SD
= 5V ，R
L
= 2.3kΩ ，C
L
= 15pF的，T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
描述
条件
民
典型值
最大
单位
输入失调电压
输入偏置电流
输入电容
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
V
CM
= 0V, V
O
= 2.5V
-6
1
-3.5
5
4
mV
A
pF
V
CM
= 0V, V
O
= 2.5V
-2.5
(V
S
-) - 0.1
0.5
2.5
(V
S
+) -
2.25
A
V
dB
-5.1V < V
CM
< + 2.75V
65
90
输出高电压
输出低电压
V
IN
>为250mV
V
IN
>为250mV
V
SD
- 0.6
V
SD
- 0.4
GND +
0.25
GND + 0.5
V
V
正向延迟时间
负向延迟时间
V
IN
= 1V
P-P
, V
OD
= 50mV的
V
IN
= 1V
P-P
, V
OD
= 50mV的
8
8
12
12
ns
ns
正模拟电源电流
负模拟电源电流
数字电源电流
输出高
输出低
7
5
4
0.75
60
80
8.2
6.5
5
1
mA
mA
mA
mA
dB
PSRR
LATCH
V
LH
V
LL
I
LH
I
LL
t
d
+
t
D
-
t
S
t
H
t
PW
(D)
电源抑制比
锁存输入电压高
锁存输入电压低
锁存输入电流高
锁存输入电流低
锁存器禁用于高延迟
锁存器禁用于低延迟
最小建立时间
最小保持时间
最低锁存关闭脉冲宽度
V
LH
= 3.0V
V
LL
= 0.3V
0.8
-30
-30
-18
-24
6
6
2
1
10
2.0
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
2
EL5181C
EL5181C
为8ns高速比较器
特点
为8ns典型。传播延迟
5V至12V的输入电源
+ 2.7V至+ 5V输出电源
真正的对地输入
轨到轨输出
低电平有效锁存器
可用双（ EL5281C ）
窗口比较器（ EL5283C ）
四有（ EL5481C &
EL5482C)
引脚兼容4ns的家庭
可用（ EL5x85C ， EL5287C &
EL5486C)
概述
该EL5181C比较器是专为单电源操作
和双电源应用采用5V V之间12V
S
+和V
S
-.
对于单电源供电，输入可从0.1V低于地面操作
地面遥感应用程序中使用。
比较器的输出端可以从一个单一的支持供给
股2.7V至5V的。轨到轨输出摆幅可直接
比较器连接到CMOS和TTL逻辑电路。
该EL5181C的锁存输入可以用来保持比较
通过将低逻辑电平，以所述销的输出值。
该EL5181C是在8引脚SO封装，指定
工作在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。也可用
能是一个双（ EL5281C ） ，一个窗口比较器（ EL5283C ） ，并
四通道版本（ EL5481C和EL5482C ） 。
应用
阈值检测
高速采样电路
高速触发器
线接收器
PWM电路
高速V / F转换器
引脚配置
订购信息
产品型号
EL5181CS
EL5181CS-T7
EL5181CS-T13
包
8引脚SO
8引脚SO
8引脚SO
磁带&卷轴
-
7”
13”
大纲＃
MDP0027
MDP0027
MDP0027
VS + 1
IN +
IN-
VS-
2
3
4
EL5181CS
（ 8引脚SO ）
L
A
T
C
H
8 VSD
7 OUT
6 GND
5 LATCH
+
-
2001年6月14日
注意：
包含在此数据表中的所有信息已仔细核对并认为是准确的出版日期;不过，该数据表不能是“受控文件” 。当前版本，如果有的话，这些
规格维持在工厂，可根据您的要求。我们建议您检查您的设计文件定稿之前的版本。
2001 ELANTEC半导体公司
EL5181C
EL5181C
为8ns高速比较器
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
绝对最大额定值是那些价值超过该设备
可以永久损坏。绝对最大额定值是压力
只和功能器件的工作收视率是不是暗示。
模拟电源电压（V
S
+到V
S
-)
+12.6V
数字电源电压（V
SD
到GND）
+7V
差分输入电压
[(V
S
- ） -0.2V ]至[ （V
S
+) +0.2V]
共模输入电压
闩锁输入电压
存储温度范围
工作环境温度
工作结温
功耗
[(V
S
- ） -0.2V ]至[ （V
S
+) +0.2V]
-0.2V至[ （Ⅴ
SD
) +0.2V]
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
125°C
看到曲线
重要注意事项：
具有最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都在
规定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
.
电气特性
V
S
=
±5V,
V
SD
= 5V ，R
L
= 2.3kΩ ，C
L
= 15pF的，T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
输入
V
OS
I
B
C
IN
I
OS
V
CM
CMRR
产量
V
OH
V
OL
t
pd
+
t
pd
-
供应
I
S
+
I
S
-
I
SD
PSRR
LATCH
V
LH
V
LL
I
LH
I
LL
t
d
+
t
d
-
t
s
t
h
t
pw
(D)
锁存输入电压高
锁存输入电压低
锁存输入电流高
锁存输入电流低
锁存器禁用于高延迟
锁存器禁用于低延迟
最小建立时间
最小保持时间
最低锁存关闭脉冲宽度
V
LH
= 3.0V
V
LL
= 0.3V
0.8
-30
-30
-18
-24
6
6
2
1
10
2.0
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
正模拟电源电流
负模拟电源电流
数字电源电流
电源抑制比
输出高
输出低
60
7
5
4
0.75
80
8.2
6.5
5
1
mA
mA
mA
mA
dB
输出高电压
输出低电压
正向延迟时间
负向延迟时间
V
IN
>为250mV
V
IN
>为250mV
V
IN
= 1V
P-P
, V
OD
= 50mV的
V
IN
= 1V
P-P
, V
OD
= 50mV的
V
SD
- 0.6
V
SD
- 0.4
GND + 0.25
8
8
GND + 0.5
12
12
V
V
ns
ns
输入失调电压
输入偏置电流
输入电容
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
-5.1V < V
CM
< + 2.75V
V
CM
= 0V, V
O
= 2.5V
-2.5
(V
S
-) - 0.1
65
90
V
CM
= 0V, V
O
= 2.5V
-6
1
-3.5
5
0.5
2.5
(V
S
+) - 2.25
4
mV
A
pF
A
V
dB
描述
条件
民
典型值
最大
单位
动态性能
2
QQ：2881677436 复制
