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EMIF10-1K010F2
IPAD
EMI滤波器
包括ESD保护
主要产品特性:
凡EMI滤波ESD敏感设备
需要
移动电话和通信系统
电脑,打印机和MCU板
描述
该EMIF10-1K010F2是一个高度集成的
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统
to
电磁
干扰。该EMIF10倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路
这可防止设备损坏时,
受到ESD浪涌了15kV的。
好处
倒装芯片
( 24焊球)
表1 :订购代码
产品型号
EMIF10-1K010F2
记号
FD
EMI对称( I / O ),低通滤波器
高效率的EMI滤波
无铅封装
极低PCB空间消耗:
2.57毫米X 2.57毫米
非常薄的封装: 0.65毫米
高效率的ESD抑制
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装。
图1 :引脚配置(球侧)
5
I7
I9
I10
09
010
4
GND
3
GND
2
I3
I5
I4
03
04
1
A
I1
I2
01
02
GND
GND
B
C
D
E
I8
07
08
I6
05
06
符合以下标准:
IEC61000-4-2
4级
15千伏(空气放电)
8千伏(接触放电)
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
图2 :基本单元配置
低通滤波器
输入
产量
v I / O = 1K
克莱恩= 100pF的
GND
GND
GND
TM :
IPAD是意法半导体公司的商标。
2004年10月
第1版
1/7
EMIF10-1K010F2
表2 :绝对最大额定值
(T
AMB
= 25°C)
符号
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
125
- 40至+ 85
- 55至+ 150
单位
°C
°C
°C
表3 :电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
in
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
R
LINE
在0V偏压
I
R
= 1毫安
V
RM
每行= 3V
900
80
1000
100
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入&之间的串联电阻
产量
每行输入电容
I
PP
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
I
V
测试条件
分钟。
6
典型值。
8
马克斯。
10
500
1100
120
单位
V
nA
pF
图3 : S21 ( dB)的衰减测量
和APLAC仿真
0.00
dB
- 5.00
图4 :模拟串扰测量
0
APLAC
- 10.00
-20
-40
-60
-80
措施
- 15.00
- 20.00
- 25.00
- 30.00
- 35.00
- 40.00
- 45.00
- 50.00
1.0M
3.0M
10.0M
30.0M
F / Hz的
100.0M
300.0M
1.0G
-100
1
10
100
频率(MHz)
1,000
2/7
EMIF10-1K010F2
图5 :数字串扰测量
图6 : ESD回应IEC61000-4-2
( + 15kV空气disc.harge )对一个输入V(中)和
在一个输出端( Vout)外部
V
G1
V(in1)
V(out1)
β
2 1 G1
V
图7 : ESD回应IEC61000-4-2 ( -15kV
空气放电)上的一个输入V (中),并在一个
输出( Vout)外部
图8:线路电容与所施加的
电压
C( pF)的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
F=1MHz
Vosc=30mV
V(in1)
V(out1)
VR ( V)
1
2
5
10
3/7
EMIF10-1K010F2
图9 : APLAC模型单线结构
GNDI
Rs
Ls
50pH
50m
Ii
Oi
50pH
50m
Ls
Rs
+ Port15
- 50
RGND LGND
+
cap_line
cap_line
+
Port16
50
Lbump
Rbump
RGND
LGND
RGND
LGND
RGND LGND
RSERIES
Ii
Oi
Ii
MODEL = demif10
GNDI
MODEL = demif10
Oi
Csubump Rsubump
+
cap_hole
Lhole
+
RSUB
Rhole
Csubump Rsubump
+
图10 : APLAC模型参数
Cz
RSERIES
cap_line
Ls
Rbump
Lbump
Rs
Csubump
Rsubump
RSUB
Lhole
Rhole
cap_hole
RGND
IGND
57pF
960
0.8pF
0.6nH
50m
50pH
0.15
15pF
0.15
0.1
1.2nH选择
0.15
0.15pF
0.25
0.4nH
模型demif10
BV = 7
IBV = 1米
CJO =锆石
M = 0.3333
RS = 1
VJ = 0.6
TT = 100N
4/7
EMIF10-1K010F2
图11 :订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值(欧姆)
Z =电容值/ 10 (PF )
or
3字母=应用
2位=版本
F =倒装芯片
X = 1 : 500微米,凹凸=为315μm
= 2 :无铅间距= 500μm的,凹凸=为315μm
= 3 :无铅间距= 400μm的,凹凸= 250微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
图12 :倒装芯片封装机械数据
500m ± 50
315m ± 50
650m ± 65
500m ± 50
2.57mm ± 50m
2.57mm ± 50m
250m ± 40
图13 :脚打印推荐
图14 :标记
545
400
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
焊锡模板开口道: 330μm
点, ST标志
XX =标记
Z =包装
位置
YWW =日期代码
( Y =年
WW =周)
545
E
阻焊层开口的建议:
340μm分的为315μm的铜焊盘直径
X X Z
WW
100
230
在微米所有尺寸
5/7
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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