EM微电子
- MARIN SA
复位电路，带有手动复位
描述
该EM6325是一款超低电流复位电路中使用
大各种结构和非常小的包
在所有的终端应用最大的灵活性高达125° C和
采用1.5V和5.5V之间的供电。
该电路监视任何电子的电源电压
系统，并经过一个生成适当的复位信号
固定复位超时周期。阈值定义
允许的最小电压，保证了良好的
该系统的功能。当V
DD
上升超过V
TH
中，
额外的延迟时间输出仍然有效。这
使系统能够得到充分活跃之前稳定下来。
该电路具有手动复位：输入断言
当拉低复位（
MR
有内部上拉） 。
小SC70-4L ， SC70-5L和SOT23-5L封装以及
2.9μA的超低电源电流使EM6325的
便携式和电池供电设备的理想选择。
EM6325
特点
手动复位功能
200ms的复位超时周期（ 1.6ms ， 25ms的， 1600ms之间的
要求提供）
2.9μA （V超低电源电流
DD
=3.3V)
工作温度范围： -40 ° C至+ 125°C
±1.5%
复位门限精度
11复位阈值电压V
TH
: 4.63V, 4.4V, 3.08V,
2.93V, 2.63V, 2.2V, 1.8V, 1.66V, 1.57V, 1.38V, 1.31V
3复位输出选项：
低电平有效
RESET
推挽
低电平有效
RESET
漏极开路
ACTIVE -HIGH
RESET
推挽
不受短期负面V
DD
瞬变
保证复位有效低至0.9V
阈值迟滞： V为2.1 ％
TH
非常小的SOT23-5L ， SC70-5L和SC70-4L
典型用途
V
DD
V
DD
RESET
*
V
DD
RESET
应用
电脑
服务器和工作站
调制解调器
无线通信
测光
Playstation游戏机
PDA ， Webpad
汽车系统
EM6325
MR
RESET
GND
MPU ， DSP
RESET
GND
GND
*
R
EXT
只开漏版
框图
V
DD
振荡器
引脚配置
（ TOP VIEW ）
RESET
RESET
推 - 拉/漏极开路
+
电压
参考
-
RESET
逻辑
RESET
1
2
3
5
V
DD
GND
RESET
（ RESET ）
1
2
4
3
V
DD
MR
GND
RESET
推挽
MR
GND
滤波器
4
MR
SOT23-5 / SC70-5
顶视图
SC70-4
顶视图
引脚说明
针
SOT23-5L / SC70-5L
1
SC70-4L
2
名字
功能
低电平有效复位输出。 RESET保持低电平复位超时周期和
RESET
2
3
1
2
GND
RESET
然后变为高电平后，所有的复位状态无效或之后
MR从低
到HIGH
地
高电平有效复位输出。 RESET保持高电平复位超时周期和
然后变为低电平后，所有的复位状态无效或之后
MR
从低到
高
手动复位输入，带内部上拉15K
Ω
电阻器。复位保持活跃
只要MR低，在t
POR
MR后返回高电平。 MR可以被驱动以
CMOS输出或短路至地，开关
电源电压（ 5.5V最大值）。
4
5
3
4
MR
V
DD
版权
2005年， EM微电子，马林SA
1
www.emmicroelectronic.com
EM6325
订购信息
EM6325 X SP5B - 2.9 +
延迟（T
POR
):
C = 200毫秒
A = 1.6ms
B = 25ms的
D = 1600ms之间
符合RoHS标准：
+ =无铅/绿色模具标准
[空白]
=含铅
复位门限电压（V
TH
):
1.3 = 1.31V
2.6 = 2.63V
1.4 = 1.38V
2.9 = 2.93V
1.6 = 1.57V
3.1 = 3.08V
1.7 = 1.66V
4.4 = 4.40V
1.8 = 1.80V
4.6 = 4.63V
2.2 = 2.20V
复位输出类型：
X =低电平/ RES推挽
高电平有效RES推挽
Y =低电平/ RES漏极开路
高电平有效RES推挽
Z =高电平有效RES推挽
包装：
SP5B = SOT23-5 ， Tape&Reel 3000个
的SC5b = SC70-5 ， Tape&Reel 3000个
SC4B = SC70-4 ， Tape&Reel 3000个
顶部标记
包装顶部标记下面是大部分地区的引线封装（第一个字母是“A” ） 。无铅/绿霉（ RoHS）的部分，
顶部标记的第一个字母开头字母“B”代替字母“A” 。下划线"_ _"指的是四个字母的代码
包（例如SP5B ， SC4B ，...）。
产品型号
EM6325AX__-1.3
EM6325AX__-1.4
EM6325AX__-1.6
EM6325AX__-1.7
EM6325AX__-1.8
EM6325AX__-2.2
EM6325AX__-2.6
EM6325AX__-2.9
EM6325AX__-3.1
EM6325AX__-4.4
EM6325AX__-4.6
EM6325AY__-1.3
EM6325AY__-1.4
EM6325AY__-1.6
EM6325AY__-1.7
EM6325AY__-1.8
EM6325AY__-2.2
EM6325AY__-2.6
EM6325AY__-2.9
EM6325AY__-3.1
EM6325AY__-4.4
EM6325AY__-4.6
顶部
记号
ANAA
ANAB
ANAC
ANAD
ANAE
ANAF
ANAG
亚拿
ANAJ
ANAK
肛门
亚南
安安
祖国党
ANAQ
ANAR
ANAS
ANAT
蒂阿瑙
ANAV
ANAW
ANAX
产品型号
EM6325BX__-1.3
EM6325BX__-1.4
EM6325BX__-1.6
EM6325BX__-1.7
EM6325BX__-1.8
EM6325BX__-2.2
EM6325BX__-2.6
EM6325BX__-2.9
EM6325BX__-3.1
EM6325BX__-4.4
EM6325BX__-4.6
EM6325BY__-1.3
EM6325BY__-1.4
EM6325BY__-1.6
EM6325BY__-1.7
EM6325BY__-1.8
EM6325BY__-2.2
EM6325BY__-2.6
EM6325BY__-2.9
EM6325BY__-3.1
EM6325BY__-4.4
EM6325BY__-4.6
顶部
记号
ANBA
ANBB
ANBC
ANBD
ANBE
ANBF
ANBG
ANBH
ANBJ
ANBK
ANBL
ANBM
AnBn
ANBP
ANBQ
ANBR
ANBS
ANBT
庵埠镇
ANBV
ANBW
ANBx
产品型号
EM6325CX__-1.3
EM6325CX__-1.4
EM6325CX__-1.6
EM6325CX__-1.7
EM6325CX__-1.8
EM6325CX__-2.2
EM6325CX__-2.6
EM6325CX__-2.9
EM6325CX__-3.1
EM6325CX__-4.4
EM6325CX__-4.6
EM6325CY__-1.3
EM6325CY__-1.4
EM6325CY__-1.6
EM6325CY__-1.7
EM6325CY__-1.8
EM6325CY__-2.2
EM6325CY__-2.6
EM6325CY__-2.9
EM6325CY__-3.1
EM6325CY__-4.4
EM6325CY__-4.6
顶部
记号
ANCA
ANCB
ANCC
ANCD
ANCE
ANCF
ANCG
ANCH
ANCJ
ANCK
ANCL
ANCM
ANCN
ANCP
ANCQ
ANCR
ANCS
ANCT
ANCU
ANCV
ANCW
ANCx
产品型号
EM6325DX__-1.3
EM6325DX__-1.4
EM6325DX__-1.6
EM6325DX__-1.7
EM6325DX__-1.8
EM6325DX__-2.2
EM6325DX__-2.6
EM6325DX__-2.9
EM6325DX__-3.1
EM6325DX__-4.4
EM6325DX__-4.6
EM6325DY__-1.3
EM6325DY__-1.4
EM6325DY__-1.6
EM6325DY__-1.7
EM6325DY__-1.8
EM6325DY__-2.2
EM6325DY__-2.6
EM6325DY__-2.9
EM6325DY__-3.1
EM6325DY__-4.4
EM6325DY__-4.6
顶部
记号
ANDA
ANDB
ANDC
ANDD
ANDE
和F
和G
ANDH
和j
和K
和L
ANDM
ANDN
和p
和Q
ANDR
阿富汗国家发展战略
和T
安都
andV
ANDW
及X
标准版本，样品
样本股普遍举行
标准版本
（下同）只。非标准版本有30000枚最小
订货量。对于这里没有显示其他的版本和非标版本的可用性，请联系工厂。
EM6325AXSC4B-2.9
EM6325CXSC5B-2.9
EM6325CXSP5B-1.3
EM6325CXSP5B-2.6
EM6325CXSP5B-2.9
EM6325CXSP5B-3.1
EM6325CYSP5B-2.9
EM6325CYSP5B-4.6
EM6325DXSC4B-2.6
EM6325CXSP5B-4.6
版权
2005年， EM微电子，马林SA
2
www.emmicroelectronic.com
EM6325
绝对最大额定值
参数
电压V
DD
到GND
在任何信号引脚的最小电压
在任何信号引脚的最大电压
静电放电最大。对
MIL -STD- 883C方法3015.7
与参考。到V
SS
马克斯。焊接条件
存储温度范围
办理程序
符号
V
DD
V
民
V
最大
V
ESD
T
最大
T
英镑
条件
-0.3V至+ 6V
GND - 0.3V
V
DD
+ 0.3V
2000V
250℃ X 10秒
-65 ° C至+ 150°C
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而，防静电
必须采取预防措施作为任何其它的CMOS
组件。除非另有说明，适当的
操作时，所有的端子电压是仅发生
保持的电压范围内。未使用的输入必须
总是被捆绑到一个定义的逻辑电压电平。
工作条件
参数
电源电压
工作温度
强调以上这些上市最大额定值可能
造成永久性的损坏该设备。曝光
超出规定的工作条件下可能影响器件
可靠性或导致故障。
符号最小值最大值单位
V
DD
T
A
0.9
-40
5.5
+125
V
°C
电气特性
除非另有规定： V
DD
= 0.9V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （注1 ） 。
参数
符号
条件
+25°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
V
DD
=3.3V
-40°C至+ 125°C
+25°C
V
DD
=5.0V
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.3
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.4
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.6
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.7
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.8
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 2.2
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 2.6
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 2.9
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 3.1
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 4.4
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 4.6
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
T
A
=+25°C
V
DD
=1.5V
民
-
-
-
-
-
-
1.290
1.245
1.221
1.359
1.311
1.286
1.546
1.492
1.463
1.635
1.577
1.547
1.773
1.710
1.678
2.167
2.090
2.050
2.591
2.499
2.451
2.886
2.784
2.731
3.034
2.926
2.871
4.334
4.180
4.101
4.561
4.399
4.315
-
典型值
2.3
2.9
3.4
1.31
最大
4.6
7
5.5
8.3
6.3
9.6
1.330
1.382
1.387
1.401
1.456
1.461
1.594
1.656
1.663
1.685
1.751
1.758
1.827
1.899
1.906
2.233
2.321
2.330
2.669
2.775
2.785
2.974
3.091
3.103
3.126
3.249
3.262
4.466
4.642
4.660
4.699
4.885
4.903
-
单位
电源电流（注2 ）
I
DD
μ
A
1.38
1.57
1.66
1.80
阈值电压
（注3）
V
TH
2.20
V
2.63
2.93
3.08
4.40
4.63
2.1%
V
TH
阈值迟滞
V
HYS
V
注1 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
注3 ：
阈值电压被指定为V
DD
坠落。
版权
2005年， EM微电子，马林SA
3
www.emmicroelectronic.com
EM6325
电气特性
（续）
除非另有规定： V
DD
= 0.9V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （注1 ） 。
参数
符号
条件
EM6325C
复位超时周期
t
POR
（注2和4）
V
DD
从0V到V
TH （典型值）
+15%
T
A
= +25°C
EM6325A
EM6325B
EM6325D
传播延迟时间
V
DD
为RESET （复位）延迟
漏极开路
RESET
产量
电压
t
P
V
DD
从V下降
TH （典型值）
+ 0.2V至V
TH （典型值）
-0.2V
（注2 ） 。牛逼
A
= +25°C
V
DD
>1V
V
OL
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
V
OL
推挽RESET / RESET
输出电压
V
OH
输出漏电流
手动复位（
MR
)
MR输入低电平
MR输入高
MR到复位延迟
在MR（注5）脉冲宽度
MR内部上拉电阻
V
地铁
低
V
地铁
高
t
MD
t
PMD
R
MR
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= +25°C
0.7
V
DD
0.3
1
4.8
15
31
0.3
V
DD
V
V
μ
s
μ
s
民
155
0.7
19.4
1240
2
-
-
-
-
-
-
0.8
2
4
-
典型值
200
1.6
25
1600
130
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
224
3.8
28
1792
255
0.3
0.3
0.35
0.3
0.3
0.35
-
-
-
0.5
单位
ms
μ
s
I
OL
=100
μ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OL
=100
μ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OH
=-30
μ
A
I
OH
=-1.5mA
I
OH
=-3mA
V
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
I
泄漏
只为EM6325_Y （漏极开路）
μ
A
k
Ω
注1 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
注2 ：
RESET （复位）
开。
注4 ：
标准版吨
POR
为200ms （典型值） ，可在任何时候。其他选项（ 1.6ms ， 25ms的， 1600ms之间）都可以
通过掩膜选项并在最小起订量。请联系EM销售。
注5 ：
脉冲宽度必须大于1μs的时间，以确保
RESET
（ RESET ）
去激活。
版权
2005年， EM微电子，马林SA
4
www.emmicroelectronic.com
EM6325
时序波形
V
DD
V
TH
t
SEN
V
HYS
OVERDRIVE
0.8V
t
逻辑"1"
MR
逻辑"0"
t
逻辑"1"
RESET
逻辑"0"
t
逻辑"1"
RESET
逻辑"0"
t
t
POR
t
POR
t
MD
t
P
t
PMD
注6 ：
t
SEN
=最大瞬态持续时间。请参考图中的下一个页面上。
注7 ：
高速模式= V
TH
-V
DD
。请参考图中的下一个页面上。
手动复位输入
为逻辑低电平
MR
触发复位信号。复位保持有效，而
MR
低，以及在t
POR
后（ 200ms的名义为EM6325C ）
它返回高。
MR
有一个内部15kΩ的上拉电阻，所以可以留在未使用开放。该输入可以被驱动以
CMOS逻辑电平或漏极开路输出。连接从一个常开开关瞬间
MR
到V
SS
创建
手动复位功能;去抖电路集成。如果
MR
从长电缆驱动或该装置用于在嘈杂
环境，从接一个0.1μF的电容
MR
到V
SS
以提供额外的抗噪声性能（强外的其他
上拉电阻也可加入） 。
版权
2005年， EM微电子，马林SA
5
www.emmicroelectronic.com
EM微电子
- MARIN SA
复位电路，带有手动复位
描述
该EM6325是一款超低电流复位电路中使用
大各种结构和非常小的包
在所有的终端应用最大的灵活性高达125° C和
采用1.5V和5.5V之间的供电。
该电路监视任何电子的电源电压
系统，并经过一个生成适当的复位信号
固定复位超时周期。阈值定义
允许的最小电压，保证了良好的
该系统的功能。当V
DD
上升超过V
TH
中，
额外的延迟时间输出仍然有效。这
使系统能够得到充分活跃之前稳定下来。
该电路具有手动复位：输入断言
当拉低复位（
MR
有内部上拉） 。
小SC70-4L ， SC70-5L和SOT23-5L封装以及
2.9μA的超低电源电流使EM6325的
便携式和电池供电设备的理想选择。
EM6325
特点
手动复位功能
200ms的复位超时周期（ 1.6ms ， 25ms的， 1600ms之间的
要求提供）
2.9μA （V超低电源电流
DD
=3.3V)
工作温度范围： -40 ° C至+ 125°C
±1.5%
复位门限精度
11复位阈值电压V
TH
: 4.63V, 4.4V, 3.08V,
2.93V, 2.63V, 2.2V, 1.8V, 1.66V, 1.57V, 1.38V, 1.31V
3复位输出选项：
低电平有效
RESET
推挽
低电平有效
RESET
漏极开路
ACTIVE -HIGH
RESET
推挽
不受短期负面V
DD
瞬变
保证复位有效低至0.9V
阈值迟滞： V为2.1 ％
TH
非常小的SOT23-5L ， SC70-5L和SC70-4L
典型用途
V
DD
V
DD
RESET
*
V
DD
RESET
应用
电脑
服务器和工作站
调制解调器
无线通信
测光
Playstation游戏机
PDA ， Webpad
汽车系统
EM6325
MR
RESET
GND
MPU ， DSP
RESET
GND
GND
*
R
EXT
只开漏版
框图
V
DD
振荡器
引脚配置
（ TOP VIEW ）
RESET
RESET
推 - 拉/漏极开路
+
电压
参考
-
RESET
逻辑
RESET
1
2
3
5
V
DD
GND
RESET
（ RESET ）
1
2
4
3
V
DD
MR
GND
RESET
推挽
MR
GND
滤波器
4
MR
SOT23-5 / SC70-5
顶视图
SC70-4
顶视图
引脚说明
针
SOT23-5L / SC70-5L
1
SC70-4L
2
名字
功能
低电平有效复位输出。 RESET保持低电平复位超时周期和
RESET
2
3
1
2
GND
RESET
然后变为高电平后，所有的复位状态无效或之后
MR从低
到HIGH
地
高电平有效复位输出。 RESET保持高电平复位超时周期和
然后变为低电平后，所有的复位状态无效或之后
MR
从低到
高
手动复位输入，带内部上拉15K
Ω
电阻器。复位保持活跃
只要MR低，在t
POR
MR后返回高电平。 MR可以被驱动以
CMOS输出或短路至地，开关
电源电压（ 5.5V最大值）。
4
5
3
4
MR
V
DD
版权
2005年， EM微电子，马林SA
1
www.emmicroelectronic.com
EM6325
订购信息
EM6325 X SP5B - 2.9 +
延迟（T
POR
):
C = 200毫秒
A = 1.6ms
B = 25ms的
D = 1600ms之间
符合RoHS标准：
+ =无铅/绿色模具标准
[空白]
=含铅
复位门限电压（V
TH
):
1.3 = 1.31V
2.6 = 2.63V
1.4 = 1.38V
2.9 = 2.93V
1.6 = 1.57V
3.1 = 3.08V
1.7 = 1.66V
4.4 = 4.40V
1.8 = 1.80V
4.6 = 4.63V
2.2 = 2.20V
复位输出类型：
X =低电平/ RES推挽
高电平有效RES推挽
Y =低电平/ RES漏极开路
高电平有效RES推挽
Z =高电平有效RES推挽
包装：
SP5B = SOT23-5 ， Tape&Reel 3000个
的SC5b = SC70-5 ， Tape&Reel 3000个
SC4B = SC70-4 ， Tape&Reel 3000个
顶部标记
包装顶部标记下面是大部分地区的引线封装（第一个字母是“A” ） 。无铅/绿霉（ RoHS）的部分，
顶部标记的第一个字母开头字母“B”代替字母“A” 。下划线"_ _"指的是四个字母的代码
包（例如SP5B ， SC4B ，...）。
产品型号
EM6325AX__-1.3
EM6325AX__-1.4
EM6325AX__-1.6
EM6325AX__-1.7
EM6325AX__-1.8
EM6325AX__-2.2
EM6325AX__-2.6
EM6325AX__-2.9
EM6325AX__-3.1
EM6325AX__-4.4
EM6325AX__-4.6
EM6325AY__-1.3
EM6325AY__-1.4
EM6325AY__-1.6
EM6325AY__-1.7
EM6325AY__-1.8
EM6325AY__-2.2
EM6325AY__-2.6
EM6325AY__-2.9
EM6325AY__-3.1
EM6325AY__-4.4
EM6325AY__-4.6
顶部
记号
ANAA
ANAB
ANAC
ANAD
ANAE
ANAF
ANAG
亚拿
ANAJ
ANAK
肛门
亚南
安安
祖国党
ANAQ
ANAR
ANAS
ANAT
蒂阿瑙
ANAV
ANAW
ANAX
产品型号
EM6325BX__-1.3
EM6325BX__-1.4
EM6325BX__-1.6
EM6325BX__-1.7
EM6325BX__-1.8
EM6325BX__-2.2
EM6325BX__-2.6
EM6325BX__-2.9
EM6325BX__-3.1
EM6325BX__-4.4
EM6325BX__-4.6
EM6325BY__-1.3
EM6325BY__-1.4
EM6325BY__-1.6
EM6325BY__-1.7
EM6325BY__-1.8
EM6325BY__-2.2
EM6325BY__-2.6
EM6325BY__-2.9
EM6325BY__-3.1
EM6325BY__-4.4
EM6325BY__-4.6
顶部
记号
ANBA
ANBB
ANBC
ANBD
ANBE
ANBF
ANBG
ANBH
ANBJ
ANBK
ANBL
ANBM
AnBn
ANBP
ANBQ
ANBR
ANBS
ANBT
庵埠镇
ANBV
ANBW
ANBx
产品型号
EM6325CX__-1.3
EM6325CX__-1.4
EM6325CX__-1.6
EM6325CX__-1.7
EM6325CX__-1.8
EM6325CX__-2.2
EM6325CX__-2.6
EM6325CX__-2.9
EM6325CX__-3.1
EM6325CX__-4.4
EM6325CX__-4.6
EM6325CY__-1.3
EM6325CY__-1.4
EM6325CY__-1.6
EM6325CY__-1.7
EM6325CY__-1.8
EM6325CY__-2.2
EM6325CY__-2.6
EM6325CY__-2.9
EM6325CY__-3.1
EM6325CY__-4.4
EM6325CY__-4.6
顶部
记号
ANCA
ANCB
ANCC
ANCD
ANCE
ANCF
ANCG
ANCH
ANCJ
ANCK
ANCL
ANCM
ANCN
ANCP
ANCQ
ANCR
ANCS
ANCT
ANCU
ANCV
ANCW
ANCx
产品型号
EM6325DX__-1.3
EM6325DX__-1.4
EM6325DX__-1.6
EM6325DX__-1.7
EM6325DX__-1.8
EM6325DX__-2.2
EM6325DX__-2.6
EM6325DX__-2.9
EM6325DX__-3.1
EM6325DX__-4.4
EM6325DX__-4.6
EM6325DY__-1.3
EM6325DY__-1.4
EM6325DY__-1.6
EM6325DY__-1.7
EM6325DY__-1.8
EM6325DY__-2.2
EM6325DY__-2.6
EM6325DY__-2.9
EM6325DY__-3.1
EM6325DY__-4.4
EM6325DY__-4.6
顶部
记号
ANDA
ANDB
ANDC
ANDD
ANDE
和F
和G
ANDH
和j
和K
和L
ANDM
ANDN
和p
和Q
ANDR
阿富汗国家发展战略
和T
安都
andV
ANDW
及X
标准版本，样品
样本股普遍举行
标准版本
（下同）只。非标准版本有30000枚最小
订货量。对于这里没有显示其他的版本和非标版本的可用性，请联系工厂。
EM6325AXSC4B-2.9
EM6325CXSC5B-2.9
EM6325CXSP5B-1.3
EM6325CXSP5B-2.6
EM6325CXSP5B-2.9
EM6325CXSP5B-3.1
EM6325CYSP5B-2.9
EM6325CYSP5B-4.6
EM6325DXSC4B-2.6
EM6325CXSP5B-4.6
版权
2005年， EM微电子，马林SA
2
www.emmicroelectronic.com
EM6325
绝对最大额定值
参数
电压V
DD
到GND
在任何信号引脚的最小电压
在任何信号引脚的最大电压
静电放电最大。对
MIL -STD- 883C方法3015.7
与参考。到V
SS
马克斯。焊接条件
存储温度范围
办理程序
符号
V
DD
V
民
V
最大
V
ESD
T
最大
T
英镑
条件
-0.3V至+ 6V
GND - 0.3V
V
DD
+ 0.3V
2000V
250℃ X 10秒
-65 ° C至+ 150°C
该器件还内置了防静电高
电压或电场;然而，防静电
必须采取预防措施作为任何其它的CMOS
组件。除非另有说明，适当的
操作时，所有的端子电压是仅发生
保持的电压范围内。未使用的输入必须
总是被捆绑到一个定义的逻辑电压电平。
工作条件
参数
电源电压
工作温度
强调以上这些上市最大额定值可能
造成永久性的损坏该设备。曝光
超出规定的工作条件下可能影响器件
可靠性或导致故障。
符号最小值最大值单位
V
DD
T
A
0.9
-40
5.5
+125
V
°C
电气特性
除非另有规定： V
DD
= 0.9V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （注1 ） 。
参数
符号
条件
+25°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
V
DD
=3.3V
-40°C至+ 125°C
+25°C
V
DD
=5.0V
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.3
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.4
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.6
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.7
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 1.8
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 2.2
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 2.6
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 2.9
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 3.1
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 4.4
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
+25°C
EM6325 - 4.6
-40 ° C至+ 85°C
-40°C至+ 125°C
T
A
=+25°C
V
DD
=1.5V
民
-
-
-
-
-
-
1.290
1.245
1.221
1.359
1.311
1.286
1.546
1.492
1.463
1.635
1.577
1.547
1.773
1.710
1.678
2.167
2.090
2.050
2.591
2.499
2.451
2.886
2.784
2.731
3.034
2.926
2.871
4.334
4.180
4.101
4.561
4.399
4.315
-
典型值
2.3
2.9
3.4
1.31
最大
4.6
7
5.5
8.3
6.3
9.6
1.330
1.382
1.387
1.401
1.456
1.461
1.594
1.656
1.663
1.685
1.751
1.758
1.827
1.899
1.906
2.233
2.321
2.330
2.669
2.775
2.785
2.974
3.091
3.103
3.126
3.249
3.262
4.466
4.642
4.660
4.699
4.885
4.903
-
单位
电源电流（注2 ）
I
DD
μ
A
1.38
1.57
1.66
1.80
阈值电压
（注3）
V
TH
2.20
V
2.63
2.93
3.08
4.40
4.63
2.1%
V
TH
阈值迟滞
V
HYS
V
注1 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
注3 ：
阈值电压被指定为V
DD
坠落。
版权
2005年， EM微电子，马林SA
3
www.emmicroelectronic.com
EM6325
电气特性
（续）
除非另有规定： V
DD
= 0.9V至5.5V ，T
A
= -40 ° C至+ 125°C （注1 ） 。
参数
符号
条件
EM6325C
复位超时周期
t
POR
（注2和4）
V
DD
从0V到V
TH （典型值）
+15%
T
A
= +25°C
EM6325A
EM6325B
EM6325D
传播延迟时间
V
DD
为RESET （复位）延迟
漏极开路
RESET
产量
电压
t
P
V
DD
从V下降
TH （典型值）
+ 0.2V至V
TH （典型值）
-0.2V
（注2 ） 。牛逼
A
= +25°C
V
DD
>1V
V
OL
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
V
OL
推挽RESET / RESET
输出电压
V
OH
输出漏电流
手动复位（
MR
)
MR输入低电平
MR输入高
MR到复位延迟
在MR（注5）脉冲宽度
MR内部上拉电阻
V
地铁
低
V
地铁
高
t
MD
t
PMD
R
MR
T
A
= -40 ° C至+ 125°C
T
A
= +25°C
0.7
V
DD
0.3
1
4.8
15
31
0.3
V
DD
V
V
μ
s
μ
s
民
155
0.7
19.4
1240
2
-
-
-
-
-
-
0.8
2
4
-
典型值
200
1.6
25
1600
130
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
224
3.8
28
1792
255
0.3
0.3
0.35
0.3
0.3
0.35
-
-
-
0.5
单位
ms
μ
s
I
OL
=100
μ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OL
=100
μ
A
I
OL
=1.5mA
I
OL
=3mA
I
OH
=-30
μ
A
I
OH
=-1.5mA
I
OH
=-3mA
V
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
DD
>1V
V
DD
>2.5V
V
DD
>5V
V
I
泄漏
只为EM6325_Y （漏极开路）
μ
A
k
Ω
注1 ：
在+ 25°C仅生产测试。随着温度的限制是由设计保证，未经生产测试。
注2 ：
RESET （复位）
开。
注4 ：
标准版吨
POR
为200ms （典型值） ，可在任何时候。其他选项（ 1.6ms ， 25ms的， 1600ms之间）都可以
通过掩膜选项并在最小起订量。请联系EM销售。
注5 ：
脉冲宽度必须大于1μs的时间，以确保
RESET
（ RESET ）
去激活。
版权
2005年， EM微电子，马林SA
4
www.emmicroelectronic.com
EM6325
时序波形
V
DD
V
TH
t
SEN
V
HYS
OVERDRIVE
0.8V
t
逻辑"1"
MR
逻辑"0"
t
逻辑"1"
RESET
逻辑"0"
t
逻辑"1"
RESET
逻辑"0"
t
t
POR
t
POR
t
MD
t
P
t
PMD
注6 ：
t
SEN
=最大瞬态持续时间。请参考图中的下一个页面上。
注7 ：
高速模式= V
TH
-V
DD
。请参考图中的下一个页面上。
手动复位输入
为逻辑低电平
MR
触发复位信号。复位保持有效，而
MR
低，以及在t
POR
后（ 200ms的名义为EM6325C ）
它返回高。
MR
有一个内部15kΩ的上拉电阻，所以可以留在未使用开放。该输入可以被驱动以
CMOS逻辑电平或漏极开路输出。连接从一个常开开关瞬间
MR
到V
SS
创建
手动复位功能;去抖电路集成。如果
MR
从长电缆驱动或该装置用于在嘈杂
环境，从接一个0.1μF的电容
MR
到V
SS
以提供额外的抗噪声性能（强外的其他
上拉电阻也可加入） 。
版权
2005年， EM微电子，马林SA
5
www.emmicroelectronic.com
QQ：2881677436 复制
