EMIF10-LCD01F2
IPAD
10号线EMI滤波器和ESD保护
主要产品特性：
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求：
■
■
■
■
LCD的手机
电脑和打印机
通信系统
MCU板
倒装芯片
（ 25焊球）
描述
该EMIF10 - LCD01F2是一个10行的高度
旨在抑制EMI / RFI集成器件
在所有系统中的噪声进行电磁
干扰。该EMIF10倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
该过滤器包括ESD保护电路，
防止损坏的应用程序时，它是
受到ESD浪涌高达15 kV 。
订货编号
产品型号
EMIF10-LCD01F2
记号
FL
图1 。
引脚配置（凹凸面）
5
I5
I10
GND
4
I4
I9
GND
3
I3
I8
GND
2
I2
I7
GND
1
I1
I6
GND
A
B
C
D
E
好处
■
■
■
■
■
■
■
■
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗： < 6毫米
2
无铅封装
非常薄的封装： 0.69毫米
高效率的ESD抑制输入
销（ IEC 61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成和晶圆级封装。
GND
GND
GND
输入
O10
O5
O9
O4
O8
O3
O7
O2
O6
O1
图2中。
基本单元配置
低通滤波器
产量
v I / O = 100
Ω
克莱恩= 35pF
符合以下标准：
IEC 61000-4-2
4级输入引脚
15千伏
8千伏
（空气放电）
（接触放电）
MIL STD 883G - 方法3015-7 3级
TM ：
IPAD是意法半导体公司的商标。
2007年1月
REV 3
1/8
www.st.com
8
特征
EMIF10-LCD01F2
1
表1中。
符号
T
j
T
op
T
英镑
特征
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25° C)
参数
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
125
-40+ 85
-55到+150
单位
°C
°C
°C
:
表2中。
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
RT /英尺
电气特性
(T
AMB
= 25° C)
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态电阻
峰值脉冲电流
输入和输出之间的串联电阻
每行输入电容
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3 V
90
@ 0 V偏置
引起的上升和下降时间10-90％ ，在26 MHz的频率
信号V = 1.9 V （ RT /英尺输入1纳秒， 50Ω阻抗发电机）
100
28
8
(1)
分钟。
6
典型值。
8
马克斯。
10
500
110
35
单位
V
nA
Ω
pF
ns
I
PP
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
F
V
I
I
F
1.保证设计
网络连接gure 3 。
0
-10
-20
-30
-40
S21 （ dB）的衰减测量
图4中。
dB
模拟串扰测量
dB
10
-10
-30
-50
-70
F（赫）
F（赫）
1.0 M
10.0 M 100.0 M
1.0 G
10.0 G
-50
0.1 M
1.0 M
10.0 M
100.0 M为1.0G
10.0 G
-90
0.1 M
2/8
特征
图10. APLAC模型
EMIF10-LCD01F2
EMIF10 - LCD01F2模型
返回地
图11. APLAC parametersl
ZRZ结构
aplacvar Remif10low 100
aplacvar Cemif10flow 17.5pF
颠簸
aplacvar Lbump 50PH
aplacvar Rbump 20米
aplacvar Cbump取1.5pF
体积
aplacvar RSUB百米
GND连接
aplacvar RGND百米
aplacvar LGND 200pH
aplacvar CGND 0.15pF
BV = 7
CJO = Cemif10low
IBV = 1U
IKF = 1000
IS = 10F
ISR = 100P
N=1
M = 0.3333
卢比= 0.015
VJ = 0.6
TT = 50N
4/8
EMIF10-LCD01F2
订购信息计划
2
订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值（欧姆）
Z =电容值/ 10 （PF ）
or
3字母=应用
2位=版本
包
F =倒装芯片
X = 1 ： 500微米，凹凸=为315μm
= 2 ：无铅间距= 500μm的，凹凸=为315μm
= 3 ：无铅间距= 400μm的，凹凸= 250微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
3
包装信息
图12.倒装芯片尺寸
500 m ± 50
500 m ± 50
315 m ± 50
650 m ± 65
2.42 mm ± 50m
2.42 mm ± 50m
250 m ± 40
图13.标记
点， ST标志
XX =标记
Z =制造基地
YWW =日期代码
（ Y =年WW =周）
图14.足迹推荐
铜焊盘直径：
建议使用250微米， 300微米最大
E
X X Z
WW
焊锡模板开口道： 330微米
阻焊层开口的建议：
340微米分钟为315微米的铜焊盘直径
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EMIF10-LCD01F1
IPAD
TM
10号线EMI滤波器
和ESD保护
主要产品特性：
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求：
LCD的手机
电脑和打印机
通信系统
MCU板
描述
该EMIF10 - LCD01F1是一个10行的高度
旨在抑制EMI / RFI集成器件
在所有系统中的噪声进行电磁
干扰。该EMIF10倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路，
这可防止设备损坏时，
受到ESD浪涌了15kV的。
s
s
s
s
倒装芯片封装
引脚配置（球侧）
好处
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗：
2.64毫米X 2.64毫米
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制输入
销（ IEC6100-4-2水平4 ）
的单片集成提供高可靠性
通过IN-高降低寄生元件
tegration &晶圆级封装。
s
s
s
s
s
s
s
5
I5
I10
GND
4
I4
I9
GND
3
I3
I8
GND
2
I2
I7
GND
1
I1
I6
GND
A
B
C
D
E
O10
O5
O9
O4
O8
O3
O7
O2
O6
O1
符合以下标准：
IEC61000-4-2
4级输入引脚15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
1级输出引脚2kV的（空气放电）
2kV的（接触放电）
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
基本单元配置
低通滤波器
输入
产量
v I / O = 100
克莱恩= 35pF
GND
TM
： IPAD是意法半导体公司的商标。
GND
GND
2003年11月 - 埃德： 2A
1/6
EMIF10-LCD01F1
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 °C)
符号
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
125
-40+ 85
-55到+150
单位
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入&之间的串联电阻
产量
每行输入电容
I
PP
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
F
V
I
I
F
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
RT /英尺
在0V偏压
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
测试条件
民
6
90
典型值
8
100
8
(1)
最大
10
500
110
35
单位
V
nA
pF
ns
引起的上升和下降时间的10-90％ ，在26 MHz的频
昆西信号V = 1.9 V （ RT /英尺输入1纳秒， 50Ω
阻抗发电机）
（ 1 ）保证设计
图。 1 ：
S21 （ dB）的所有线路衰减测量
和APLAC仿真。
图。 2 ：
模拟串扰测量。
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EMIF10-LCD01F1
图。 3 ：
ESD回应IEC61000-4-2 （ + 15kV空气
放电）上的一个输入和一个输出。
图。 4 ：
ESD回应IEC61000-4-2 （ -15kV空气
放电）上的一个输入和一个输出。
V
in
V
OUT
图。 5 ：
线电容与所施加的电压。
图。 6 ：
上升时间10-90 ％，测量，
1.9V的信号在26 MHz的频率（ 50Ω信号发生器） 。
克莱因（PF ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
U电源（ V）
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
图。 7 ：
下降时间10-90 ％的测量与1.9V
信号在26 MHz的频率（ 50Ω信号发生器） 。
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EMIF10-LCD01F1
APLAC模型。
EMIF10 - LCD01F1模型
返回地
APLAC参数。
ZRZ结构
aplacvar Remif10low 100
aplacvar Cemif10flow 17.5pF
颠簸
aplacvar Lbump 50PH
aplacvar Rbump 20米
aplacvar Cbump取1.5pF
体积
aplacvar RSUB百米
GND连接
aplacvar RGND百米
aplacvar LGND 200pH
aplacvar CGND 0.15pF
BV = 7
CJO = Cemif10low
IBV = 1U
IKF = 1000
IS = 10F
ISR = 100P
N=1
M = 0.3333
卢比= 0.015
VJ = 0.6
TT = 50N
订货编号
EMIF
EMI滤波器
行数
yy
-
xxx
zz
F
x
1 ：间距= 500μm的凹凸=为315μm
2 ：无铅间距= 500μm的凹凸=为315μm
3 ：无铅间距= 400μm的凹凸= 250微米
4 ：间距= 500μm的凹凸= 250微米
FL IP芯片
X：电阻值（欧姆） Z：电容值/ 10 （PF ）
or
应用程序（ 3个字母）和版本（2位）
4/6
QQ：2880707522 复制
