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EMIF06-10006F2
IPAD
6线EMI滤波器和ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求：
■
■
移动电话和通信系统
电脑，打印机和MCU板
描述
该EMIF06-10006F2是一个高度集成的
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统受到电磁
干扰。该EMIF06倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路
这防止损坏应用时
受到ESD浪涌了15千伏。该装置
包括6个EMIF的过滤器。
倒装芯片
（ 15焊球）
订货编号
产品型号
EMIF06-10006F2
记号
FT
好处
■
■
■
■
■
■
■
■
图1 。
引脚配置（凹凸面）
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波
无铅封装
极低PCB空间消耗
2.92毫米X 1.29毫米
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制
（ IEC 61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
高还原通过寄生元件
集成和晶圆级封装
O6
O5
O4
O3
O2
O1
C
9
8
7
6
5
4
3
2
1
I6
GND
I5
I4
GND
I3
I2
GND
I1
A
B
符合以下标准：
IEC 61000-4-2第4级：
15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
MIL STD 883E - 方法3015-6第3类： 30千伏
TM ： IPAD是意法半导体的trademeark
2006年11月
转4
1/9
www.st.com
9
特征
EMIF06-10006F2
1
特征
图2中。
基本单元配置
100
Ω
100
Ω
输入1
30 pF的
30 pF的
输出1
输入4
30 pF的
30 pF的
输出4
100
Ω
100
Ω
输入2
30 pF的
30 pF的
输出2
输入5
30 pF的
30 pF的
输出5
100
Ω
100
Ω
输入3
30 pF的
30 pF的
输出3
输入6
30 pF的
30 pF的
输出6
表1中。
符号
P
R
P
T
T
j
T
op
T
英镑
绝对额定值（限制值）
参数和测试条件
每个电阻的直流电源
每包的总DC电源
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
0.1
0.6
125
- 40至+ 85
125
单位
W
W
°C
°C
°C
表2中。
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
电气特性（T
AMB
= 25 °C)
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入和输出之间的串联电阻
每行电容
I
PP
V
F
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
I
I
F
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3.3％的V
I = 10毫安
V
R
= 2.5 V ， F = 1兆赫， 30毫伏（上过滤单元）
分钟。
5.5
典型值。
7
马克斯。
9
500
单位
V
nA
Ω
pF
80
50
100
60
120
70
2/9
EMIF06-10006F2
特征
网络连接gure 3 。
0.00
dB
-12.50
S21 （ DB ）衰减测量图4 。
和APLAC仿真
00
模拟串扰测量
APLAC 7.62用户：意法半导体
dB
-25
i3_o2.s2p
-25.00
-50
-37.50
-75
测量
模拟
F / Hz的
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
100.0M
1.0G
-100
100k
1M
10M
100M
1G
F / Hz的
图5中。
数字串扰测量
图6 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ +15 kV空气放电）上的一个开关输入
(V
in
）和一个输出（Ⅴ
OUT
)
图7 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ -15 kV空气放电）上的一个开关输入
(V
in
）和一个输出（Ⅴ
OUT
)
网络连接gure 8 。
线路电容与应用
电压过滤器
C（ pF）的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
3/9
特征
图9 。
Rbump
Ii*
Cz=41pF@0V
Cbump
RSUB
Cz=41pF@0V
RSUB
Cbump
EMIF06-10006F2
APLAC模型
Lbump
Rs=100
Lbump
Rbump
爱*
子
RSUB
Rbump
爱* =输出每个过滤单元
二* =输入的每个过滤器单元的
子
Lbump
CGND
LGND
RGND
EMIF06-10006F2模型
接地回路的每个接地凸点
图10.图10： APLAC参数
aplacvar卢比
aplacvar锆石
aplacvar Lbump
aplacvar Rbump
aplacvar Cbump
aplacvar RSUB
aplacvar RGND
aplacvar LGND
aplacvar CGND
100
Ω
41 pF的
50 pH值
20 m
1.2 pF的
100 m
100 m
100 pH值
0.15 pF的
4/9
EMIF06-10006F2
订购信息计划
2
订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值（欧姆）
Z =电容值/ 10 （PF ）
or
3字母=应用
2位=版本
yy
-
XXX ZZ
Fx
包
F =倒装芯片
X = 2 ：无铅间距= 500μm时，凹凸= 315微米
5/9
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