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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第785页 > EMIF03-SIM02C2
EMIF03-SIM02C2
IPAD
3线EMI滤波器包括ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求：
■
■
SIM卡接口（用户识别模块）
UIM接口（通用识别模块）
描述
该EMIF03 - SIM02C2是一个高度集成的
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统受到电磁
干扰。该EMIF03倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路
这可防止设备损坏时，
受到ESD浪涌了15kV的。
涂倒装芯片封装
（ 8颠簸）
引脚配置（凹凸面）
3
RST
in
好处
■
■
■
■
■
■
■
■
2
RST
EXT
1
A
CLK
EXT
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波
无铅涂层封装
极低PCB空间消耗：
- 1.42毫米X 1.42毫米
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成和晶圆级封装
CLK
in
GND
B
C
数据
in
V
CC
数据
EXT
符合以下标准：
IEC 61000-4-2
外部和V 4级
CC
引脚：
15千伏
8千伏
内部引脚1级：
2千伏
2千伏
（空气放电）
（接触放电
（空气放电）
（接触放电
MIL STD 883G - 方法3015-7 3级
2007年3月
REV 2
1/8
www.st.com
特征
EMIF03-SIM02C2
1
特征
图1 。
基本单元配置
V
CC
100
Ω
RST IN
R1
47
Ω
CLK IN
R2
100
Ω
DATA IN
R3
数据转
EXT CLK
RST分机
克莱恩= 20pF的最大值。
GND
表1中。
符号
绝对额定值（限制值）
参数
内部销（ A3，B3， C3） ：
ESD放电IEC61000-4-2 ，空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ，接触放电
外部端子（A2 ，B1， C2，C1 ） ：
ESD放电IEC61000-4-2 ，空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ，接触放电
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
2
2
15
8
125
-40至+85
-55到+150
°C
°C
°C
单位
V
PP
kV
T
j
T
op
T
英镑
表2中。
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
电气特性（T
AMB
= 25° C)
参数
I
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入和输出之间的串联电阻
每行输入电容
I
PP
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
F
V
I
F
2/8
EMIF03-SIM02C2
特征
符号
V
BR
I
RM
R
d
R
1
, R
3
R
2
C
LINE
I
R
= 1毫安
测试条件
民
6
典型值
最大
20
0.2
单位
V
A
Ω
V
RM
= 3 V
1.5
容差±20 ％
容差±20 ％
V
R
= 0 V
100
47
20
pF
图2中。
S21 （ dB）的衰减测量图3 。
（ A2 - A3线）
EMIF03-SIM02C2_FREQ-MEAS_PM428
APLAC 7.70用户：意法半导体2004年9月22日
0.00
S21 （ dB）的衰减测量
（ B1B3线）
EMIF03-SIM02C2_FREQ-MEAS_PM428
APLAC 7.70用户：意法半导体2004年9月22日
0.00
dB
dB
-10.00
-10.00
-20.00
-20.00
-30.00
-30.00
-40.00
100.0k
1.0M
A2 / A3线
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
-40.00
100.0k
1.0M
B1 / B3线
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
图4中。
S21 （ dB）的衰减测量图5 。
（ C 1 -C 3线）
EMIF03-SIM02C2_FREQ-MEAS_PM428
APLAC 7.70用户：意法半导体2004年9月22日
0.00
dB
-10.00
-20.00
模拟串扰测量
EMIF03-SIM02C2_FREQ-MEAS_PM428
APLAC 7.70用户：意法半导体2004年9月22日
0.00
dB
-10.00
-30.00
-40.00
-20.00
-50.00
-60.00
-70.00
-30.00
-80.00
-90.00
-40.00
100.0k
1.0M
C1 / C3线
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
-100.00
100.0k
1.0M
XTALK A2 / B3
10.0M
F / Hz的
100.0M
1.0G
3/8
特征
EMIF03-SIM02C2
图6 。
电压时， IEC 61000-4-2
（ +15 kV空气放电）适用于
外部引脚
图7 。
电压时， IEC 61000-4-2
（ -15 kV空气放电）适用于
外部引脚
Vexternal ： 10V / D
Vexternal ： 5V / D
Vinternal ： 10V / D
100ns/d
Vinternal ： 5V / D
100ns/d
网络连接gure 8 。
线路电容与反向
施加的电压（典型值）
C（ pF）的
20.
00
16.
00
12.
00
8.
00
4.
00
VR （ V）
0.
00
0
1
2
3
4
5
图9 。
APLAC模型
Lbump
Rbump
a2
Cbump RSUB
体积
Lbump Rbump
b3
Cbump RSUB
体积
LbumpRbump
c1
RSUB
Cbump
体积
Dext1
0.25
0.28
Dext2
Dext1
0.25
体积
Dint1
Dint2
0.29
0.31
0.29
Dint1
体积
RSUB Cbump
RSUB Cbump
体积
100
Rbump Lbump
c3
RSUB Cbump
体积
47
Rbump
Lbump
b1
100
Rbump Lbump
a3
Lbump
Ls
100m
Rbump
a2
LGND
Port1
50
CGND
RGND
Port2
50
a3
100m
Ls
4/8
EMIF03-SIM02C2
图10. APLAC参数
订购信息计划
LS 950pH
RS 150米
Cext1 15pF的
Cint1 4.5pF的
Cext2 14pF
Cint2 4PF
Rbump 20米
Lbump 50PH
Cbump 0.15pF
RGND 500米
LGND 50PH
CGND 0.15pF
RSUB百米
模型Dint1
BV=15
CJO=Cint1
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.001m
VJ=0.6
TT=50n
模型Dext1
BV=15
CJO=Cext1
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.001m
VJ=0.6
TT=50n
模型Dint2
BV=15
CJO=Cint2
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.001m
VJ=0.6
TT=50n
模型Dext2
BV=15
CJO=Cext2
IBV=1u
IKF=1000
IS=10f
ISR=100p
N=1
M=0.3333
RS=0.001m
VJ=0.6
TT=50n
2
订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
3字母=应用
2位=版本
包
C =涂层倒装芯片
X = 2 ：无铅，距= 500μm时，凹凸= 315微米
yy
-
XXX ZZ
Cx
5/8
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