EM640FV16FW系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
文档标题
256K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订历史
版本号
0.0
历史
最初的草案
草案日期
2003年8月13日
备注
新兴的内存&逻辑解决方案公司
4F韩国建筑金融合作社B / D， 301-1妍东，济州市，济州岛，韩国Rep.of
电话： + 82-64-740-1712传真： + 82-64-740-1749 1750 /主页： www.emlsi.com
邮编： 690-719
通过EMLSI提供附加的数据表保留随时更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系EMLSI办公室。
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EM640FV16FW系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
256K X16位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
- 工艺技术：采用0.18μm CMOS全
-
组织： 256K X16
-
电源电压
= > EM640FV16FW ： 2.7 3.6V
-
三态输出与TTL兼容
-
包装产品设计为55 / 70ns的
一般物理规格
-
抛光裸硅的背面模具表面
-
典型的模具厚度= 725um
-
典型的顶层金属化：
= >金属（钛/锡/铝铜0.5 ％ ） ： 5.7K埃厚度
-
顶面钝化：
= > 7K埃PE-氮化硅
-
典型的垫尺寸： 90.0um X 80.0um
-
晶圆直径： 8英寸
选项
- C1 / W1 ： DC探索Sun Yatsen模/晶圆@热温度
- C2 / W2 ： DC / AC探索Sun Yatsen模/晶圆@热温度
PAD说明
名字
CS1，CS2
OE
WE
A0~A17
I/O1~I/O16
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/ Outpus
名字
VCC
VSS
UB
LB
* NC
功能
电源
地
高字节（ I / O
9~16
)
低字节（ I / O
1~8
)
无连接
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EM640FV16FW系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
功能特定网络阳离子
有3分类为EMLSI模具和晶片的产品，它们是C1和C2为模具和W1和W2进行晶片上。
每个裸片和晶圆的支持，致力于特色与探讨它们的规格内eletrical参数。以下是
简要信息用于芯片和晶圆分类。请参阅包装规格为更多的信息，但这些参数
不能保证在裸片和晶圆。
C1 LEVEL死亡或W1 LEVEL WAFER
直流参数是通过规范C1级芯片或W1级晶圆测量。直流参数在70℃下温测定
perature ，即要求
“热
DC排序“其他参数不做任何担保，包括保证设备的可靠性。请参考
以鉴定报告设备的可靠性和封装级数据表的电气参数。
C2级死亡或W2 LEVEL WAFER
直流参数和选择的AC参数测量的C2级芯片或W2级硅片。 C2的DC特性
模具和W2的晶片是基于C1级芯片和W1级硅片的DC规格测试。 DC和指定的AC参数
在70℃的温度，这被称为测试
“热
DC &交流选择性排序“ 。其他参数不做任何担保，保证
包括设备的可靠性。请参考资格报告设备的可靠性和封装级数据表的电气参
ETERS 。
C2级芯片和W2级晶圆探针下的交流参数。
tRC的， TAA ，控烟
TWC ， TCW
包装
个人设备将被包装在防静电托盘。
芯片托盘：用于模具2英寸方形华夫式的运营商为每个模具分格。通常被称为一个饼
包装，每个托盘都有选择的设备的腔体大小，可轻松装卸，防止
旋转。本身是由导电材料制成的托盘，以减少损伤的危险，从静电模
放电。该芯片载体将标有以下信息：
EMLSI晶圆批号
EMLSI部件号
QUANTITY
罐包装：罐包装是由EMLSI制作和使用，我们提供了所需的裸片晶圆众多的客户。该组是
包括清洁纸来包装片和海绵几乎脆弱的塑料盒之间的晶片，高缓冲海绵。每
包通常有25片，然后几个包放入较大盒子取决于晶圆的数量。
焊盘＃ 1顶部
在芯片载体芯片的方向
存储和处理
EMLSI建议存储在与过滤的氮气的受控环境中的管芯。运营商必须在开ESD安全
环境时，检验和装配。
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EM640FV16FW系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
评级
-0.2 VCC + 0.3 （ Max.4.0V ）
-0.2 4.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。实用
操作应仅限于推荐工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
功能说明
CS
1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS
2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1-8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O
9-16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
支持
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
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EM640FV16FW系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
2.7
0
2.2
-0.2
3)
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+ 0.2
2)
0.6
单位
V
V
V
V
TA = -40 85
o
C，另有规定
过冲： V
CC
如果脉冲+ 2.0V宽<为20ns
冲：如果脉冲-2.0 V宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
.
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25
o
C)
项
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
= WE = V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA,
CS
1
<0.2V ， LB<0.2V或/和UB<0.2V ， CS
2
＆ GT ; V
CC
-0.2V,
V
IN
<0.2V或V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
LB = V
IL
或/和UB = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
CS
1
=V
IH
， CS
2
=V
IL
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS
1
＆ GT ; V
CC
-0.2V ， CS
2
＆ GT ; V
CC
-0.2V （ CS
1
控制）
或0V<CS
2
<0.2V （ CS
2
控制） ，
其他输入= 0 V
CC
（典型值条件：V
CC
= 3.3V @ 25℃）
（最大条件：V
CC
=3.6V @ 85
o
C)
o
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
-
2.4
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
1
1
3
3
30
25
0.4
-
0.3
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
V
V
mA
55ns
70ns
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
LL
-
1
1)
12
uA
笔记
1.典型值是在Vcc = 3.3V ，T测
A
=
25
o
C和不是100 ％测试。
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QQ：2881677436 复制
