融合存储&逻辑解决方案公司
文档标题
64K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
EM611FV16U系列
低功耗， 64Kx16 SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
最初的草案
2'nd草案
添加无铅部件编号
草案日期
2003年5月9日
2004年2月13日
备注
新兴的内存&逻辑解决方案公司
IT创业大厦东区11楼， 78 Karac洞，松坡苦，首尔，韩国Rep.of邮编： 138-160
联系电话： + 82-2-2142-1759 1766传真： + 82-2-2142-1769 /主页： www.emlsi.com
通过EMLSI提供所附的说明书保留更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系EMLSI办公室。
1
融合存储&逻辑解决方案公司
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
EM611FV16U系列
低功耗， 64Kx16 SRAM
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
评级
-0.2 VCC + 0.3 （最大4.0V ）
-0.2 4.0V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。实用
操作应仅限于推荐工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
功能说明
CS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O
1-8
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O
9-16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
3
融合存储&逻辑解决方案公司
交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ： CL = 100pF电容+ 1 TTL
CL = 30pF的+ 1 TTL
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070
,
R
2
=3150
3. V
TM
=2.8V
1)
EM611FV16U系列
低功耗， 64Kx16 SRAM
V
TM 3 ）
R
12)
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 2.7 3.6V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB接取时间
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
co
t
ê
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
55ns
民
55
-
-
-
最大
-
55
55
25
30
10
5
5
0
0
0
10
-
-
-
20
20
20
-
10
5
5
0
0
0
10
民
70
-
-
-
70ns
最大
-
70
70
35
35
-
-
-
25
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 2.7 3.6V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
As
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55ns
民
55
45
0
45
45
40
0
0
25
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
25
民
70
60
0
60
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
-
-
-
-
-
-
30
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
-
-
ns
ns
5
融合存储&逻辑解决方案公司
文档标题
512K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
EM640FP8系列
低功耗， 512Kx8 SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
历史
最初的草案
2'nd草案
3 °草案
rd
改变了国际商会ICC1值
改变了我
SB1
试验条件下，
改变了VDR & IDR
测量条件
草案日期
十月24,2002
2002年11月11日
2002年12月23日
备注
初步
0.3
4'th草案
添加无铅部件编号
2004年2月13日
新兴的内存&逻辑解决方案公司
IT创业大厦东区11楼， 78 Karac洞，松坡苦，首尔，韩国Rep.of邮编： 138-160
联系电话： + 82-2-2142-1759 1766传真： + 82-2-2142-1769 /主页： www.emlsi.com
通过EMLSI提供所附的说明书保留更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系EMLSI办公室。
1
融合存储&逻辑解决方案公司
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
EM640FP8系列
低功耗， 512Kx8 SRAM
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
评级
-0.5V到VCC + 0.3V （ Max.2.5V ）
-0.3V至2.5V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。实用
操作应仅限于推荐工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
功能说明
CS
1
H
X
L
L
L
CS
2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
支持
支持
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
3
融合存储&逻辑解决方案公司
交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.2V至VCC- 0.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 0.9V
输出负载（见右图） ： CL = 100pF电容+ 1 TTL
CL = 30pF的+ 1 TTL
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070
,
R
2
=3150
3. V
TM
=1.8V
1)
EM640FP8系列
低功耗， 512Kx8 SRAM
V
TM 3 ）
R
12)
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 1.65 2.2V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
co1,
t
co2
t
ê
t
LZ1,
t
LZ2
t
OLZ
t
HZ1,
t
HZ2
t
OHZ
t
OH
70ns
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 1.65 2.2V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW1,
t
CW2
t
As
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
70ns
民
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
