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EL7535
数据表
2005年8月16日
FN7003.2
单片350毫安降压型稳压器
该EL7535是同步的,集成式FET 350毫安步进
在MSOP10包下来稳压器。该稳压器
内部补偿,这使得它可能使用的只是
5纤巧的外部组件,形成一个完整的DC / DC
转换器。该稳压器的输入电压
范围从2.5V至6V ,可容纳用品
3.3V , 5V或锂离子电池电源。输出可以是
外部设定从0.8V至V
IN
用一个电阻分压器。
该EL7535配备PWM模式控制。操作
频率为1.4MHz的典型。其他功能还包括
<1μA关断电流,短路保护和过
温度保护。
该EL7535可在10引脚MSOP封装,
工作在-40 ° C至+ 85°C
温度范围。
特点
极小350毫安DC / DC转换器
最大高度1.1毫米MSOP10包
可能只使用了五连固定的小尺寸外部元件
产量
上电复位输出( POR)
内部补偿的电压模式控制器
高达94 %的效率
<1μA关断电流
过流和过温保护
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
PDA和Pocket PC电脑
条码阅读器
订购信息
产品型号
(品牌)
EL7535IY
(a)
EL7535IY-T7
(a)
EL7535IY-T13
(a)
EL7535IYZ
( BAACA ) (注)
EL7535IYZ-T7
( BAACA ) (注)
EL7535IYZ-T13
( BAACA ) (注)
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
(无铅)
10引脚MSOP
(无铅)
10引脚MSOP
(无铅)
磁带&
REEL
-
7”
13”
-
7”
13”
PKG 。
DWG 。 #
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
- 蜂窝电话
便携式测试设备
锂离子电池供电设备
小外形( SFP )模块
引脚排列及典型应用图
EL7535
( 10引脚MSOP )
顶视图
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
1
SGND
C
1
10F
V
O
(1.8V@350mA)
V
IN
(2.5V-6V)
5
VDD
R
4
R
5
C
2
10F
1.8H
L
1
2
保护地
3
LX
4
VIN
FB
10
VO
9
POR
8
EN
7
RSI
6
100k
100k
R
1
*
100k
R
2
*
124k
POR
EN
RSI
R
6
100k
*对于可变输出电压: V
O
= 0.8V *(1 + R
2
/ R
1
)
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004年, 2005年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7535
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
IN
, V
DD
,上电复位至SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.5V
LX至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
RSI , EN ,V
O
, FB到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
PGND到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 145℃
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试都
在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
电气规格
参数
DC特性
V
FB
I
FB
V
IN
, V
DD
V
IN,关
V
IN, ON
I
DD
V
DD
= V
IN
= V
EN
= 3.3V , C1 = C2 = 10μF , L =值是1.8μH ,V
O
= 1.8V ,除非另有规定。
条件
典型值
最大
单位
描述
反馈输入电压
反馈输入电流
输入电压
最低电压关断
最大电压启动
电源电流
V
IN
落下
V
IN
升起
PWM ,V
IN
= V
DD
= 5V
EN = 0 ,V
IN
= V
DD
= 5V
790
800
810
250
mV
nA
V
V
V
A
A
m
m
A
°C
°C
2.5
2
2.2
400
0.1
70
45
1.5
牛逼上升
牛逼下降
V
EN
, V
RSI
= 0V到3.3V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 3.3V
V
FB
升起
V
FB
落下
I
SINK
= 5毫安
86
35
0.8
-1
145
130
6
2.2
2.4
500
1
100
75
R
DS ( ON) -PMOS
PMOS FET电阻
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
R
DS ( ON) -NMOS
NMOS FET电阻
I
LMAX
T
OT ,关
T
OT ,ON
I
EN
, I
RSI
V
EN1
, V
RSI1
V
EN2
, V
RSI2
V
POR
电流限制
过温阈值
过温迟滞
EN , RSI电流
EN , RSI上升阈值
EN , RSI下降阈值
最小V
FB
对于POR , WRT目标
V
FB
价值
上电复位电压降
1
2.4
A
V
V
95
%
%
V
OLPOR
70
mV
AC特性
F
PWM
t
RSI
t
SS
t
POR
PWM开关频率
RSI最小脉冲宽度
软启动时间
上电复位延迟时间
80
通过设计保证
1.25
1.4
25
650
100
120
1.55
50
兆赫
ns
s
ms
2
FN7003.2
2005年8月16日
EL7535
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
SGND
保护地
LX
VIN
VDD
RSI
EN
POR
VO
FB
负电源的控制器阶段
负电源的功率级
电感器驱动销;与平均电压等于稳压器的输出电压高电流的数字输出
正电源的功率级
电源为控制器的阶段
复位POR定时器
启用
上电复位开漏输出
输出电压检测
电压反馈输入;连接到V之间一个外部电阻分压器
O
和SGND变
产量
引脚功能
时序图
V
O
25ns
RSI
100ms
POR
100ms
3
FN7003.2
2005年8月16日
EL7535
框图
V
DD
V
O
10pF
124K
FB
5M
-
+
PWM
COMPEN-
+
-
PWM
比较
控制
逻辑
+
-
当前
极限
V
IN
100K
时钟
1.4MHz
EN
EN
开始
坡道
发电机
P- DRIVER
LX
1.8
1.8V
350mA
10F
10F
N驱动器
理解
电压
封锁
温度
SENSE
5V
+
带隙
参考
SGND
保护地
100K
POR
PG
POR
RSI
4
FN7003.2
2005年8月16日
EL7535
典型性能曲线
100
V
IN
=5V
95
90
效率(%)
85
80
75
70
65
60
0
100
200
I
O
(MA )
300
400
V
O
=1.2V
V
O
=1.8V
V
O
=2.5V
效率(%)
V
O
=3.3V
100
V
IN
=3.3V
95
90
85
80
75
70
65
60
0
100
200
I
O
(MA )
300
400
V
O
=1V
V
O
=1.8V
V
O
=1.2V
V
O
=2.5V
图1.效率
JEDEC JESD51-7高效热
系数测试板
图2.效率
JEDEC JESD51-3低有效热
系数测试板
1.2
功耗( W)
0.7
功耗( W)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1 1.087W
0.8
0.6
0.4
0.2
0
θ
M
JA
=
SO
607mW
θ
M
11
P8
/1
C/
0
JA
=
W
SO
P8
/1
20
0
C/
W
0
25
50
75 85 100
125
150
0
25
50
75 85 100
125
150
环境温度( ℃)
环境温度( ℃)
图3.封装功耗与环境
温度
图4.封装功耗与环境
温度
波形
所有的波形都取在V
IN
=3.3V, V
O
= 1.8V ,我
O
= 350毫安带,显示第1页,除非另有说明,元件值
V
IN
(2V/DIV)
V
IN
(1V/DIV)
I
IN
(0.2A/DIV)
V
O
(2V/DIV)
POR
(2V/DIV)
V
O
(1V/DIV)
0.5ms/DIV
50ms/DIV
图5. START -UP 1
图6. START -UP 2
5
FN7003.2
2005年8月16日
EL7535
数据表
2006年7月13日
FN7003.5
单片350毫安降压型稳压器
该EL7535是同步的,集成式FET 350毫安步进
在MSOP10包下来稳压器。该稳压器
内部补偿,这使得它可能使用的只是
5纤巧的外部组件,形成一个完整的DC / DC
转换器。该稳压器的输入电压
范围从2.5V至6V ,可容纳用品
3.3V , 5V或锂离子电池电源。输出可以是
外部设定从0.8V至V
IN
用一个电阻分压器。
该EL7535配备PWM模式控制。操作
频率为1.4MHz的典型。其他功能还包括
<1μA关断电流,短路保护和过
温度保护。
该EL7535可在10引脚MSOP封装,
工作在-40 ° C至+ 85°C
温度范围。
特点
极小350毫安DC / DC转换器
最大高度1.1毫米MSOP10包
可能只使用了五连固定的小尺寸外部元件
产量
上电复位输出( POR)
内部补偿的电压模式控制器
高达94 %的效率
<1μA关断电流
过流和过温保护
无铅加退火有(符合RoHS )
应用
PDA和Pocket PC电脑
条码阅读器
订购信息
产品型号
部分
磁带&
(品牌)
标记REEL
EL7535IY
EL7535IY-T7
EL7535IY-T13
EL7535IYZ
(注)
EL7535IYZ-T7
(注)
a
a
a
BAACA
BAACA
-
7”
13”
-
7”
13”
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
10引脚MSOP
(无铅)
10引脚MSOP
(无铅)
10引脚MSOP
(无铅)
PKG 。
DWG 。 #
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
MDP0043
- 蜂窝电话
便携式测试设备
锂离子电池供电设备
小外形( SFP )模块
典型应用图
EL7535
( 10引脚MSOP )
顶视图
V
S
( 2.5V至5.5V )
VIN
R
3
100
C
2
10F
C
3
0.1F
R
5
100k
POR
EN
FB
R
2
*
100k
VO
R
4
100k
R
6
100k
VDD
EL7535
EL7535IYZ - T13 BAACA
(注)
LX
L
1
1.8H
C
1
10F
V
O
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
R
1
*
124k
C
4
470pF
引脚
EL7535 ( 10引脚MSOP )
顶视图
1
SGND
2
保护地
3
LX
4
VIN
5
VDD
FB
10
VO
9
POR
8
EN
7
RSI
6
RSI
保护地
SGND
( 1.8V @ 350毫安)
* V
O
= 0.8V *(1 + R
1
/ R
2
)
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2004年, 2005年, 2006年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL7535
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V
IN
, V
DD
,上电复位至SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 6.5V
LX至PGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
RSI , EN ,V
O
, FB到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到(V
IN
+ +0.3V)
PGND到SGND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 0.3V
峰值输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 500毫安
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至+ 85°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 125°C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试都
在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
电气规格
参数
DC特性
V
FB
I
FB
V
IN
, V
DD
V
IN,关
V
IN, ON
I
DD
V
DD
= V
IN
= V
EN
= 3.3V , C1 = C2 = 10μF , L =值是1.8μH ,V
O
= 1.8V ,除非另有规定。
条件
典型值
最大
单位
描述
反馈输入电压
反馈输入电流
输入电压
最低电压关断
最大电压启动
电源电流
V
IN
落下
V
IN
升起
PWM ,V
IN
= V
DD
= 5V
EN = 0 ,V
IN
= V
DD
= 5V
790
800
810
250
mV
nA
V
V
V
A
A
m
m
A
°C
°C
2.5
2
2.2
400
0.1
70
45
1.5
牛逼上升
牛逼下降
V
EN
, V
RSI
= 0V到3.3V
V
DD
= 3.3V
V
DD
= 3.3V
V
FB
升起
V
FB
落下
I
SINK
= 5毫安
86
35
0.8
-1
145
130
6
2.2
2.4
500
1
100
75
R
DS ( ON) -PMOS
PMOS FET电阻
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
V
DD
只= 5V ,晶圆测试
R
DS ( ON) -NMOS
NMOS FET电阻
I
LMAX
T
OT ,关
T
OT ,ON
I
EN
, I
RSI
V
EN1
, V
RSI1
V
EN2
, V
RSI2
V
POR
电流限制
过温阈值
过温迟滞
EN , RSI电流
EN , RSI上升阈值
EN , RSI下降阈值
最小V
FB
对于POR , WRT目标
V
FB
价值
上电复位电压降
1
2.4
A
V
V
95
%
%
V
OLPOR
70
mV
AC特性
F
PWM
t
RSI
t
SS
t
POR
PWM开关频率
RSI最小脉冲宽度
软启动时间
上电复位延迟时间
80
通过设计保证
1.25
1.4
25
650
100
120
1.55
50
兆赫
ns
s
ms
2
FN7003.5
2006年7月13日
EL7535
引脚说明
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
SGND
保护地
LX
VIN
VDD
RSI
EN
POR
VO
FB
负电源的控制器阶段
负电源的功率级
电感器驱动销;与平均电压等于稳压器的输出电压高电流的数字输出
正电源的功率级
电源为控制器的阶段
复位POR定时器
启用
上电复位开漏输出
输出电压检测
电压反馈输入;连接到V之间一个外部电阻分压器
O
和SGND变
产量
引脚功能
时序图
V
O
25ns
RSI
100ms
POR
100ms
3
FN7003.5
2006年7月13日
EL7535
框图
V
DD
V
O
10pF
124K
FB
5M
-
+
PWM
COMPEN-
+
-
当前
极限
+
-
PWM
比较
控制
逻辑
V
IN
100K
时钟
1.4MHz
EN
EN
开始
坡道
发电机
P- DRIVER
LX
1.8
1.8V
350mA
10F
N驱动器
理解
电压
封锁
温度
SENSE
10F
5V
+
带隙
参考
SGND
保护地
100K
POR
PG
RSI
POR
4
FN7003.5
2006年7月13日
EL7535
典型性能曲线
100
95
90
效率(%)
85
80
75
70
65
60
0
100
200
I
O
(MA )
300
400
V
O
=1.2V
V
O
=1.8V
V
O
=2.5V
效率(%)
100
V
O
=3.3V
95
90
85
80
75
70
65
60
0
100
200
I
O
(MA )
300
400
V
O
=1V
V
O
=1.8V
V
O
=1.2V
V
IN
=5V
V
IN
=3.3V
V
O
=2.5V
图1.效率
图2.效率
JEDEC JESD51-7高效热
系数测试板
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
0
25
50
75 85 100
125
150
环境温度( ℃)
0
P1
/W
°C
SO
M 115
=
θ
J
A
允许功耗( W)
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
25
50
75 85 100
125
150
环境温度( ℃)
θ
M
SO
JA
P
=2
06 10
°C
/W
图3.封装功耗与环境
温度
图4.封装功耗与环境
温度
波形
所有的波形都取在V
IN
= 3.3V, V
O
= 1.8V ,我
O
= 350毫安带,显示第1页,除非另有说明,元件值
V
IN
(2V/DIV)
V
IN
(1V/DIV)
I
IN
(0.2A/DIV)
V
O
(1V/DIV)
允许功耗( W)
JEDEC JESD51-3低有效热
系数测试板
V
O
(2V/DIV)
POR
(2V/DIV)
0.5ms/DIV
50ms/DIV
图5. START -UP 1
图6. START -UP 2
5
FN7003.5
2006年7月13日
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