eorex
特点
内部双数据速率的架构2
每个时钟周期的访问。
1.8V
±0.1V
VDD / VDDQ
1.8V LV- COMS兼容的I / O
突发长度为2 （B / L） ， 4 ， 8 ， 16
3时钟读取延迟
双向，间歇性数据选通（ DQS ）
除了数据和DM所有输入进行采样
在系统时钟的上升沿。
数据掩模（DM）写入数据
顺序&交错突发类型可用
每个突发访问自动预充电选项
DQS边沿对齐与读周期数据
DQS中心对齐与写周期的数据
无DLL ， CK到DQS不同步
深度掉电模式
部分阵列自刷新（ PASR ）
自动温度补偿自刷新
（ TCSR ）通过内置的温度传感器
自动刷新和自刷新
8,192刷新周期/ 64ms的
EM42AM3284LBA
512MB （ 4M
×
4Bank
×
32)
双倍数据速率SDRAM
描述
该EM42AM3284LBA是高速同步
图形内存制造具有超高性能
含536,870,912位CMOS工艺，
组织为4Meg字× 4银行由32位。
512MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。
数据路径内部预取多个比特和
它传输的datafor上升沿和下降沿
该系统的clock.It指一倍数据
带宽可以在I / O引脚来实现。
可用的软件包： TFBGA - 90B （ 13mmx11mm ） 。
订购信息
部件号
EM42AM3284LBA-75F
组织
16M ×32
马克斯。频率
为133MHz / DDR266 @ CL3
包
TFBGA-90B
GRADE
广告
Pb
免费
* EOREX保留更改产品或规格，恕不另行通知。
2006年7月
1/20
www.eorex.com
eorex
引脚分配
1
VSS
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CKE
A9
A6
A4
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
DQ31
DQ29
DQ27
DQ25
DQS3
DM3
CLK
A11
A7
DM1
DQS1
DQ9
DQ11
DQ13
DQ15
2
3
VSSQ
DQ30
DQ28
DQ26
DQ24
NC
/ CLK
A12
A8
A5
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
VSSQ
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ17
DQ19
DQ21
DQ23
NC
/ WE
/ CS
A10
A2
DQ7
DQ5
DQ3
DQ1
EM42AM3284LBA
7
VDDQ
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
8
VDD
9
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
/ RAS
BA1
A1
A3
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
DQS2
DM2
/ CAS
BA0
A0
DM0
DQS0
DQ6
DQ4
DQ2
DQ0
VDDQ
90ball TFBGA / （13毫米X 11毫米X 1.2毫米）
2006年7月
2/20
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eorex
引脚说明（简体）
针
名字
G2,G3
CLK ， / CLK
EM42AM3284LBA
功能
（系统时钟）
时钟输入有效的积极的上升沿，除了DQ和
DM是活跃在DQS的两个边缘上。
CLK和/ CLK是差分时钟输入。
（片选）
/ CS使命令解码器时， “L”和禁用
当“H” 。新命令是过度命令解码器
指令译码器被禁止，但以前看的时候
操作仍然会继续。
（时钟使能）
激活在CLK时的“H”和停用时为“L” 。
当关闭时钟， CKE低标志着掉电或
自刷新模式。
（地址）
行地址（A0至A12）和Calumn地址（ CA0至CA8 ）是
复用相同的引脚。
CA10定义了Calumn地址自动预充电。
（银行地址）
选择哪家银行是活跃。
（行地址选通）
锁存行地址，在CLK的与正上升沿
/ RAS “L”。让行存取&预充电。
（列地址选通）
锁存列地址在CLK的正上升沿
与/ CAS低。启用列的访问。
（写使能）
锁存列地址在CLK的正上升沿
与/ CAS低。启用列的访问。
（数据输入/输出）
数据输入和输出都与DQS的两个边缘同步。
（数据输入/输出掩码）
糖尿病对照数据inputs.DM0对应于数据上
DQ0 DQ7.DM1对应于数据上DQ8 DQ15 ...... ..
H7
/ CS
G1
CKE
J8,J9,K7,K9,K1,
K3,J1~J3,H1~H3,
H8,H9
G9
A0~12
BA0 ， BA1
/ RAS
G8
/ CAS
G7
L8,L2,E8,E2
K8,K2,F8,F2
R8,P7,P8,N7,N8,M7,
M8,L7,L3,M2,M3,N2,
N3,P2,P3,R2,A8,B7,
B8,C7,C8,D7,D8,E7,
E3,D2,D3,C2,C3,B2,
B3,A2
A9,F1,R9/
A1,F9,R1
A7,B1,C9,D1,E9,L9,
M1,N9,P1,R7/A3,B9,
C1,D9,E1,L1,M9,N1,
P9,R3
F3,F7
2006年7月
/ WE
DQS0~3
DM0~3
DQ0~31
（数据输入/输出）
数据输入和输出复用在相同的针。
V
DD
/V
SS
（电源/接地）
V
DD
和V
SS
在电源引脚内部电路。
（电源/接地）
V
DDQ
和V
SSQ
在电源引脚的输出缓冲器。
（无连接/留作将来使用）
该引脚建议留在设备上的连接。
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3/20
V
DDQ
/V
SSQ
NC / RFU
eorex
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OP
T
英镑
P
D
项
输入，输出电压
电源电压
工作温度范围
存储温度范围
功耗
EM42AM3284LBA
等级
-0.5 ~ +2.3
-0.5 ~ +2.3
广告
0 ~ +70
EXTENDED
-25 ~ +85
-55 ~ +125
1
单位
V
V
°C
°C
W
I
OS
短路电流
50
mA
注意：
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能
会造成永久性的损害。该装置不意味着以外的条件下进行操作
在本说明书中的操作部分中描述的限制。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
电容（ V
CC
=1.8V
±
0.1V ， F = 1MHz的，T
A
=25°C)
符号
C
CLK
C
I
C
O
参数
时钟电容
输入电容为CLK ， CKE ，地址，
/ CS ， / RAS ， / CAS ， / WE ， DQML ， DQMU
输入/输出电容
分钟。
2.0
2.0
3.5
典型值。
马克斯。
4.5
4.5
6.0
单位
pF
pF
pF
建议的直流工作条件（T
A
=0°C ~70°C)
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
输入逻辑高电压
分钟。
1.7
1.7
0.8* V
DDQ
-0.3
典型值。
1.8
1.8
马克斯。
1.9
1.9
V
DDQ
+0.3
0.2*V
DDQ
单位
V
V
V
V
V
IL
输入逻辑低电压
注意：
*所有的电压被称为V
SS
.
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特点
内部双数据速率的架构2
每个时钟周期的访问。
1.8V
±0.1V
VDD / VDDQ
1.8V LV- COMS兼容的I / O
突发长度为2 （B / L） ， 4 ， 8 ， 16
3时钟读取延迟
双向，间歇性数据选通（ DQS ）
除了数据和DM所有输入进行采样
在系统时钟的上升沿。
数据掩模（DM）写入数据
顺序&交错突发类型可用
每个突发访问自动预充电选项
DQS边沿对齐与读周期数据
DQS中心对齐与写周期的数据
无DLL ， CK到DQS不同步
深度掉电模式
部分阵列自刷新（ PASR ）
自动温度补偿自刷新
（ TCSR ）通过内置的温度传感器
自动刷新和自刷新
8,192刷新周期/ 64ms的
EM42AM3284LBA
512MB （ 4M
×
4Bank
×
32)
双倍数据速率SDRAM
描述
该EM42AM3284LBA是高速同步
图形内存制造具有超高性能
含536,870,912位CMOS工艺，
组织为4Meg字× 4银行由32位。
512MB的DDR SDRAM采用的是双倍数据速率
体系结构来实现高速操作。
数据路径内部预取多个比特和
它传输的datafor上升沿和下降沿
该系统的clock.It指一倍数据
带宽可以在I / O引脚来实现。
可用的软件包： TFBGA - 90B （ 13mmx11mm ） 。
订购信息
部件号
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组织
16M ×32
马克斯。频率
为133MHz / DDR266 @ CL3
包
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VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
CKE
A9
A6
A4
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
DQ31
DQ29
DQ27
DQ25
DQS3
DM3
CLK
A11
A7
DM1
DQS1
DQ9
DQ11
DQ13
DQ15
2
3
VSSQ
DQ30
DQ28
DQ26
DQ24
NC
/ CLK
A12
A8
A5
DQ8
DQ10
DQ12
DQ14
VSSQ
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
DQ17
DQ19
DQ21
DQ23
NC
/ WE
/ CS
A10
A2
DQ7
DQ5
DQ3
DQ1
EM42AM3284LBA
7
VDDQ
DQ16
DQ18
DQ20
DQ22
8
VDD
9
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
/ RAS
BA1
A1
A3
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDD
DQS2
DM2
/ CAS
BA0
A0
DM0
DQS0
DQ6
DQ4
DQ2
DQ0
VDDQ
90ball TFBGA / （13毫米X 11毫米X 1.2毫米）
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针
名字
G2,G3
CLK ， / CLK
EM42AM3284LBA
功能
（系统时钟）
时钟输入有效的积极的上升沿，除了DQ和
DM是活跃在DQS的两个边缘上。
CLK和/ CLK是差分时钟输入。
（片选）
/ CS使命令解码器时， “L”和禁用
当“H” 。新命令是过度命令解码器
指令译码器被禁止，但以前看的时候
操作仍然会继续。
（时钟使能）
激活在CLK时的“H”和停用时为“L” 。
当关闭时钟， CKE低标志着掉电或
自刷新模式。
（地址）
行地址（A0至A12）和Calumn地址（ CA0至CA8 ）是
复用相同的引脚。
CA10定义了Calumn地址自动预充电。
（银行地址）
选择哪家银行是活跃。
（行地址选通）
锁存行地址，在CLK的与正上升沿
/ RAS “L”。让行存取&预充电。
（列地址选通）
锁存列地址在CLK的正上升沿
与/ CAS低。启用列的访问。
（写使能）
锁存列地址在CLK的正上升沿
与/ CAS低。启用列的访问。
（数据输入/输出）
数据输入和输出都与DQS的两个边缘同步。
（数据输入/输出掩码）
糖尿病对照数据inputs.DM0对应于数据上
DQ0 DQ7.DM1对应于数据上DQ8 DQ15 ...... ..
H7
/ CS
G1
CKE
J8,J9,K7,K9,K1,
K3,J1~J3,H1~H3,
H8,H9
G9
A0~12
BA0 ， BA1
/ RAS
G8
/ CAS
G7
L8,L2,E8,E2
K8,K2,F8,F2
R8,P7,P8,N7,N8,M7,
M8,L7,L3,M2,M3,N2,
N3,P2,P3,R2,A8,B7,
B8,C7,C8,D7,D8,E7,
E3,D2,D3,C2,C3,B2,
B3,A2
A9,F1,R9/
A1,F9,R1
A7,B1,C9,D1,E9,L9,
M1,N9,P1,R7/A3,B9,
C1,D9,E1,L1,M9,N1,
P9,R3
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/ WE
DQS0~3
DM0~3
DQ0~31
（数据输入/输出）
数据输入和输出复用在相同的针。
V
DD
/V
SS
（电源/接地）
V
DD
和V
SS
在电源引脚内部电路。
（电源/接地）
V
DDQ
和V
SSQ
在电源引脚的输出缓冲器。
（无连接/留作将来使用）
该引脚建议留在设备上的连接。
www.eorex.com
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V
DDQ
/V
SSQ
NC / RFU
eorex
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
OP
T
英镑
P
D
项
输入，输出电压
电源电压
工作温度范围
存储温度范围
功耗
EM42AM3284LBA
等级
-0.5 ~ +2.3
-0.5 ~ +2.3
广告
0 ~ +70
EXTENDED
-25 ~ +85
-55 ~ +125
1
单位
V
V
°C
°C
W
I
OS
短路电流
50
mA
注意：
注意设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能
会造成永久性的损害。该装置不意味着以外的条件下进行操作
在本说明书中的操作部分中描述的限制。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
电容（ V
CC
=1.8V
±
0.1V ， F = 1MHz的，T
A
=25°C)
符号
C
CLK
C
I
C
O
参数
时钟电容
输入电容为CLK ， CKE ，地址，
/ CS ， / RAS ， / CAS ， / WE ， DQML ， DQMU
输入/输出电容
分钟。
2.0
2.0
3.5
典型值。
马克斯。
4.5
4.5
6.0
单位
pF
pF
pF
建议的直流工作条件（T
A
=0°C ~70°C)
符号
V
DD
V
DDQ
V
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参数
电源电压
电源电压（ I / O缓冲器）
输入逻辑高电压
分钟。
1.7
1.7
0.8* V
DDQ
-0.3
典型值。
1.8
1.8
马克斯。
1.9
1.9
V
DDQ
+0.3
0.2*V
DDQ
单位
V
V
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输入逻辑低电压
注意：
*所有的电压被称为V
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