纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
EM128L08
超前信息
EM128L08家庭
128Kx8位超低功耗异步静态RAM
概观
该EM128L08是一个集成存储设备
包含低功率1兆位静态随机
存取记忆体组织为131,072字8
位。该器件采用制造纳安的
先进的CMOS工艺和高速/低
电源电路技术。本设备被设计
非常低的电压工作使相当suit-
能够为电池供电设备。
它也是
设计用于非常低的操作和standby-
电流。该器件的引脚是兼容
其它标准128Kx8的SRAM 。
特点
宽电压范围：
2.3至3.6伏特
扩展级温度范围：
-40至+85
o
C
快速循环时间：
T
加
< 55纳秒@ 3.0V
极低的工作电流：
I
CC
< 10毫安典型电压为3V ， 10兆赫
极低的待机电流：
I
SB
＆ LT ; 10
A
@ 55
o
C
32引脚TSOP ， STSOP ，可用封装
图1 ：典型工作电流曲线
12.5
10.0
3.6伏特
典型的我
CC
7.5
2.3伏特
5.0
2.5
0.0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
工作频率（MHz ）
库存号23033 -A
推进信息 - 如有更改，恕不另行通知。
1
纳安解决方案公司
EM128L08
超前信息
表3 ：绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
*
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.0
500
-40至125
-40至+85
260
o
C， 10秒（仅适用于铅）
单位
V
V
mW
o
o
o
C
C
C
应力大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
表4 ：工作特性（在规定的温度范围）
项
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写操作电源电流
租@ 1
S
周期
读/写操作电源电流
租@ 70纳秒周期时间
读/写静态工作
电源电流（注1 ）
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
0 1
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
VCC = 3.6 V ，V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用， IOL = 0
VCC = 3.6 V ，V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用， IOL = 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片启用， IOL = 0，F = 0，
t
A
= 85
o
C， VCC = 3.3 V
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 55
o
C， VCC = 3.3V
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C， VCC = 3.3V
VCC = 2.0V ，V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
芯片禁用（注3 ）
测试条件
民
2.3
1.8
0.7V
CC
–0.5
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
3.0
14.0
典型值
最大
3.6
3.6
V
CC
+0.5
0.3V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
CC3
20
A
工作待机电流
（注1 ）
最大待机电流
（注1 ）
最大数据保持电流
（注1 ）
I
SB1
10
A
I
SB2
20
A
I
DR
10
A
注： 1 。
该装置假设待机模式下，如果CE1要么禁用（高）或CE2被禁用（低） 。它也将自动进入
成待机模式时所有的输入信号是静止的（不触发），而不管CE1或CE2的状态。为了
实现低待机电流，在启动模式（低CE1和CE2高） ，所有的输入必须在0.2伏的任
V
CC
或V
SS
.
库存号23033 -A
推进信息 - 如有更改，恕不另行通知。
3
纳安解决方案公司
1982年Zanker路，圣何塞，加利福尼亚95112
电话： 408-573-8878 ，传真： 408-573-8877
www.nanoamp.com
EM128L08
超前信息
EM128L08家庭
128Kx8位超低功耗异步静态RAM
概观
该EM128L08是一个集成存储设备
包含低功率1兆位静态随机
存取记忆体组织为131,072字8
位。该器件采用制造纳安的
先进的CMOS工艺和高速/低
电源电路技术。本设备被设计
非常低的电压工作使相当suit-
能够为电池供电设备。
它也是
设计用于非常低的操作和standby-
电流。该器件的引脚是兼容
其它标准128Kx8的SRAM 。
特点
宽电压范围：
2.3至3.6伏特
扩展级温度范围：
-40至+85
o
C
快速循环时间：
T
加
< 55纳秒@ 3.0V
极低的工作电流：
I
CC
< 10毫安典型电压为3V ， 10兆赫
极低的待机电流：
I
SB
＆ LT ; 10
A
@ 55
o
C
32引脚TSOP ， STSOP ，可用封装
图1 ：典型工作电流曲线
12.5
10.0
3.6伏特
典型的我
CC
7.5
2.3伏特
5.0
2.5
0.0
0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
工作频率（MHz ）
库存号23033 -A
推进信息 - 如有更改，恕不另行通知。
1
纳安解决方案公司
EM128L08
超前信息
表3 ：绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
*
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.0
500
-40至125
-40至+85
260
o
C， 10秒（仅适用于铅）
单位
V
V
mW
o
o
o
C
C
C
应力大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的本规范的操作部分标明的任何其他条件，操作不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
表4 ：工作特性（在规定的温度范围）
项
电源电压
数据保持电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
读/写操作电源电流
租@ 1
S
周期
读/写操作电源电流
租@ 70纳秒周期时间
读/写静态工作
电源电流（注1 ）
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
0 1
I
LI
I
LO
I
CC1
I
CC2
I
OH
= 0.2毫安
I
OL
= -0.2mA
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
IH
或者芯片已禁用
VCC = 3.6 V ，V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用， IOL = 0
VCC = 3.6 V ，V
IN
=V
IH
或V
IL
芯片启用， IOL = 0
V
IN
= V
CC
或0V
芯片启用， IOL = 0，F = 0，
t
A
= 85
o
C， VCC = 3.3 V
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 55
o
C， VCC = 3.3V
V
IN
= V
CC
或0V
芯片已禁用
t
A
= 85
o
C， VCC = 3.3V
VCC = 2.0V ，V
IN
= V
CC
或0
芯片禁用，T
A
= 85
o
C
芯片禁用（注3 ）
测试条件
民
2.3
1.8
0.7V
CC
–0.5
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
3.0
14.0
典型值
最大
3.6
3.6
V
CC
+0.5
0.3V
CC
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
I
CC3
20
A
工作待机电流
（注1 ）
最大待机电流
（注1 ）
最大数据保持电流
（注1 ）
I
SB1
10
A
I
SB2
20
A
I
DR
10
A
注： 1 。
该装置假设待机模式下，如果CE1要么禁用（高）或CE2被禁用（低） 。它也将自动进入
成待机模式时所有的输入信号是静止的（不触发），而不管CE1或CE2的状态。为了
实现低待机电流，在启动模式（低CE1和CE2高） ，所有的输入必须在0.2伏的任
V
CC
或V
SS
.
库存号23033 -A
推进信息 - 如有更改，恕不另行通知。
3
QQ：2881677436 复制
