UCT
NT
ROD ACEME在
P
勒特
英超
NTER
BSO NDED R气口铈米/ TSC
O
ME
SU P
il.co
COM技术注释w.inters
数据
RE UR特
2002年1月18日
N
片
ww
CT RSIL或
a
续-INTE
8
1-88
EL5185
FN7179
4ns的高速比较器
该EL5185比较器的设计
在单电源和双操作
电源应用采用5V至12V
V之间
S
+和V
S
- 。对于单电源供电，输入可以
从0.1V工作电压低于地面的地电位检测使用
应用程序。
比较器的输出端可以从供给
单电源2.7V至5V 。轨到轨输出摆幅
能够比较这两个CMOS直接连接
和TTL逻辑电路。
的EL5185的锁存输入可以用来保持
通过将低逻辑电平，以使比较器输出值
引脚。
该EL5185是在8引脚SO封装，是
工作在-40 ° C至+ 85 ° C的温度规定
范围内。此外，还包括双（ EL5285 ） ，窗口比较器
（ EL5287 ）和四（ EL5485和EL5486 ）的版本。
特点
4ns的典型。传播延迟
5V至12V的输入电源
+ 2.7V至+ 5V输出电源
真正的对地输入
轨到轨输出
低电平有效锁存器
双用（ EL5285 ）
窗口比较器（ EL5287 ）
四用（ EL5485 & EL5486 ）
引脚兼容8ns的家庭用（ EL5x81 ， EL5283 &
EL5482)
应用
阈值检测
高速采样电路
引脚
EL5185
（ 8引脚SO ）
顶视图
高速触发器
线路接收器
PWM电路
高速V / F转换器
8
V
SD
V
S
+
1
订购信息
IN +
2
+
-
IN-
3
L
A
T
C
H
7
OUT
部分
数
EL5185CS
EL5185CS-T7
包
8引脚SO
8引脚SO
8引脚SO
磁带&卷轴
-
7”
13”
PKG 。号
MDP0027
MDP0027
MDP0027
6
GND
V
S
-
4
5
LATCH
EL5185CS-T13
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有。 ELANTEC是ELANTEC半导体公司的注册商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL5185
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
模拟电源电压（V
S
+到V
S
-) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12.6V
数字电源电压（V
SD
到GND） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 [ （Ⅴ
S
- ） -0.2V ]至[ （V
S
+) +0.2V]
共模输入电压。 。 。 。 。 。 [ （Ⅴ
S
- ） -0.2V ]至[ （V
S
+) +0.2V]
锁存输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.2V至[ （Ⅴ
SD
) +0.2V]
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
工作环境温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
工作结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 125°C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。看到曲线
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示：为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试
是在特定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
电气规格
参数
输入
V
OS
I
B
C
IN
I
OS
V
CM
CMRR
产量
V
OH
V
OL
V
S
= ±5V, V
SD
= 5V ，R
L
= 2.3kΩ ，T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
条件
民
典型值
最大
单位
描述
输入失调电压
输入偏置电流
输入电容
输入失调电流
输入电压范围
共模抑制比
V
CM
= 0V, V
O
= 2.5V
-10
1
-5
5
4
mV
A
pF
V
CM
= 0V, V
O
= 2.5V
-2.5
(V
S
-) - 0.1
0.5
2.5
(V
S
+) - 2.25
A
V
dB
-5.1V < V
CM
< + 2.75V
65
90
输出高电压
输出低电压
V
IN
>为250mV
V
IN
>为250mV
V
SD
- 0.6
V
SD
- 0.4
GND + 0.25
GND + 0.5
V
V
动态性能
t
PD
+
t
PD
-
供应
I
S
+
I
S
-
I
SD
正模拟电源电流
负模拟电源电流
数字电源电流，在空载
每个比较器
每个比较器
每个比较器，输出高电平
每个比较器，输出低电平
PSRR
LATCH
V
LH
V
LL
I
LH
I
LL
t
D
+
t
D
-
t
S
t
H
t
PW
(D)
锁存输入电压高
锁存输入电压低
锁存输入电流高
锁存输入电流低
锁存器禁用于高延迟
锁存器禁用于低延迟
最小建立时间
最小保持时间
最低锁存关闭脉冲宽度
V
LH
= 3.0V
V
LL
= 0.3V
0.8
-30
-30
-18
-24
4
4
2
1
5
2.0
V
V
A
A
ns
ns
ns
ns
ns
电源抑制比
55
12
7.5
5.5
0.9
80
13.5
8.5
6.5
1.2
mA
mA
mA
mA
dB
正向延迟时间
负向延迟时间
V
IN
= 1V
P-P
, V
OD
= 50mV的
V
IN
= 1V
P-P
, V
OD
= 50mV的
4
4
6
6
ns
ns
2
EL5185
典型性能曲线
（续）
4.2
4.1
DELAY TIME （ NS ）
4
3.9
3.8
3.7
3.6
传播延迟VS高速
V
IN
= 1V
步
V
S
= ±5V
V
SD
= 5V
R
L
= 2.3k
T
PD
+
DELAY TIME （ NS ）
传播延迟与电源电压
4.5
4.4
4.3
4.2
4.1
4
3.9
3.8
3.7
3.6
3.5
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
5.2
5.4
5.6
5.8
6
±V
S
(V)
数字电源电流与开关频率
（每个比较器）
25
V
S
= ±5V
V
SD
= 5V
R
L
= 2.3k
V
S
= ±5V
T
A
= 25°C
R
L
= 2.3k
T
PD
-
T
PD
+
V
SD
= V
S
+
V
OD
= 50mV的
R
L
= 2.2k
T
PD
-
3.5
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
V
OD
（毫伏）
传播延迟VS高速
V
IN
= 3V
步
6.8
6.6
6.4
DELAY TIME （ NS ）
6.2
6
5.8
5.6
5.4
5.2
20
T
PD
+
I
SD
（MA ）
15
V
SD
=5V
V
SD
=3V
T
PD
-
10
5
5
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
10
20
30
40
50
V
OD
(V)
频率（MHz）
传播延迟VS源电阻
V
IN
= 1V
步
V
S
= ±5V
V
SD
=为5mV
V
OD
= 50mV的
R
L
= 2.3k
T
PD
+
T
PD
-
7.2
7
DELAY TIME （ NS ）
6.8
6.6
6.4
6.2
6
传播延迟VS高速
V
IN
= 5V
步
V
S
= ±5V
V
SD
= 5V
R
L
= 2.3k
DELAY TIME （ NS ）
1.2 1.4 1.6 1.8
V
OD
(V)
2
2.2 2.4 2.6
16
14
12
10
8
6
4
T
PD
+
T
PD
-
5.8
0.2 0.4 0.6 0.8
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
源电阻值（kΩ ）
4
EL5185C - 初步
EL5185C - 初步
4ns的高速比较器
特点
4ns的典型。传播延迟
5V至12V的输入电源
+ 2.7V至+ 5V输出电源
真正的对地输入
轨到轨输出
单独的模拟和数字
耗材
低电平有效锁存器
提供双（ EL5285C ）
窗口比较器（ EL5287C ）
四用（ EL5485C &
EL5486C)
引脚兼容系列为6ns
可用（ EL5x81C ， EL5283C &
EL5482C)
概述
该EL5185C比较器是专为单电源操作
和双电源应用采用5V V之间12V
S
+和V
S
-.
对于单电源供电，输入可从0.1V低于地面操作
在地感应应用程序使用。
比较器的输出端可以从一个单一的支持供给
股2.7V至5V的。轨到轨输出摆幅可直接
比较器连接到CMOS和TTL逻辑电路。
该EL5185C的锁存输入可以用来保持比较
通过将低逻辑电平，以所述销的输出值。
该EL5185C是在8引脚SO封装，指定
工作在-40 ° C至+ 85 °C温度范围。也可用
是双（ EL5285C ） ，窗口比较器（ EL5287C ） ，和四
（ EL5485C和EL5486C ）版本。
应用
阈值检测
高速采样电路
高速触发器
线接收器
PWM电路
高速V / F转换器
引脚配置
订购信息
产品型号
EL5185CS
EL5185CS-T7
EL5185CS-T13
包
8引脚SO
8引脚SO
8引脚SO
磁带&卷轴
-
7”
13”
大纲＃
MDP0027
MDP0027
MDP0027
VS + 1
IN + 2
IN- 3
VS- 4
EL5185CS
（ 8引脚SO ）
L
A
T
C
H
8 VSD
7 OUT
6 GND
5 LATCH
+
-
2001年9月6日
注意：
包含在此数据表中的所有信息已仔细核对并认为是准确的出版日期;不过，该数据表不能是“受控文件” 。当前版本，如果有的话，这些
规格维持在工厂，可根据您的要求。我们建议您检查您的设计文件定稿之前的版本。
2001 ELANTEC半导体公司
EL5185C - 初步
EL5185C - 初步
4ns的高速比较器
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
绝对最大额定值是那些价值超过该设备
可以永久损坏。绝对最大额定值是压力
只和功能器件的工作收视率是不是暗示。
模拟电源电压（V
S
+到V
S
-)
+12.6V
数字电源电压（V
SD
到GND）
+7V
差分输入电压
[(V
S
- ） -0.2V ]至[ （V
S
+) +0.2V]
共模输入电压
[(V
S
- ） -0.2V ]至[ （V
S
+) +0.2V]
闩锁输入电压
存储温度范围
工作环境温度
工作结温
功耗
ESD电压
-0.2V到[V
SD
+0.2V]
-65 ° C至+ 150°C
-40 ° C至+ 85°C
+125°C
TBDmW
2kV
重要注意事项：
具有最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明，所有的测试都在
规定的温度，并且脉冲测试，因此：T已
J
= T
C
= T
A
.
电气特性
V
S
=
±5V,
V
SD
= 5V ，R
L
= 2.3kΩ ，C
L
= 15pF的，T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
V
OS
I
B
C
IN
I
OS
V
CM
A
VO
CMRR
PSRR
V
OH
V
OL
V
LH
V
LL
I
LH
I
LL
I
S
+
I
S
-
I
DD
t
d
+
t
d
-
t
pd
+
t
pd
-
t
s
t
h
t
pw
(D)
描述
输入失调电压
输入偏置电流
输入电容
输入失调电流
输入电压范围
大信号电压增益
共模抑制比
电源抑制比
输出高电压
输出低电压
锁存输入电压高
锁存输入电压低
锁存输入电流高
锁存输入电流低
正模拟电源电流
负模拟电源电流
数字电源电流
正向延迟时间
负向延迟时间
锁存器禁用于高延迟
锁存器禁用于低延迟
最小建立时间
最小保持时间
最低锁存关闭脉冲宽度
V
OD
- 为5mV ，C
L
= 15pF的，我
O
= 2毫安
V
OD
- 为5mV ，C
L
= 15pF的，我
O
= 2毫安
V
LH
= 3.0V
V
LL
= 0.3V
0.8
1
40
10.5
7.5
6
4
4
6
8
2
1
5
6
6
20
80
V
IN
>为250mV
V
IN
>为250mV
V
SD
- 0.5V
-5V < V
CM
< + 2.75V ，V
O
= 2.5V
V
CM
= 0V, V
O
= 2.5V
(V
S
-) - 0.1
5000
80
60
V
SD
- 0.4V
GND + 0.4V
GND + 0.5V
2.0
条件
V
CM
= 0V, V
O
= 2.5V
民
典型值
2
8
5
100
500
(V
S
+) - 2V
最大
4
15
单位
mV
A
pF
nA
V
V/V
dB
dB
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
EL5185C - 初步
EL5185C - 初步
4ns的高速比较器
典型性能曲线
传播延迟VS高速
V
IN
=5V
步
V
S
=±5V
V
SD
=5V
R
L
=2.2k
DELAY TIME （ NS ）
传播延迟VS源电阻
V
IN
=1V
步
V
S
=±5V
V
SD
=5V
V
OD
=50mV
R
L
=2.2k
7.8
7.6
15
13
11
T
PD
-
7.4
DELAY TIME （ NS ）
7.2
T
PD
+
7
6.8
6.6
6.4
0.2
T
PD
-
9
T
PD
+
7
5
0.6
1
1.4
V
OD
(V)
1.8
2.2
2.6
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
源电阻值（kΩ ）
数字电源电流与开关频率
（每个比较器）
V
S
=±5V
T
A
=25°C
传播延迟与电源电压
6.8
6.6
6.4
6.2
6
5.8
5.6
T
PD
+
5
0
I
SD
（MA ）
15
10
V
SD
=V
S
+
V
OD
=50mV
R
L
=2.2k
25
20
DELAY TIME （ NS ）
V
SD
=5V
V
SD
=3V
T
PD
-
4
4.2
4.4
4.6
4.8
5
±V
S
(V)
5.2
5.4
5.6
5.8
6
0
10
20
30
40
50
频率（MHz）
传播延迟VS高速
V
IN
=3V
步
V
S
=±5V
V
SD
=5V
R
L
=2.2k
T
PD
-
6.1
6
5.9
DELAY TIME （ NS ）
5.8
5.7
5.6
5.5
5.4
5.3
传播延迟VS高速
V
IN
=1V
步
V
S
=±5V
V
SD
=5V
R
L
=2.2k
DELAY TIME （ NS ）
T
PD
-
8
7.5
7
6.5
T
PD
+
6
5.5
5
0.2
T
PD
+
5.2
50
100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600
V
OD
（毫伏）
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
V
OD
（毫伏）
4
QQ：2880707522 复制
