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T
NT
DUC
PRO LACEME在
TE
TER
EP
OLE
OBS截至R气口岑米/ TSC
p
il.co
OMM
素人
REC工艺ww.inters
NO
数据表
r
1993年11月修订版F
或W
CT OU
onta INTERSIL
c
-
1-888
EL2021
FN7027
单片引脚驱动器
该EL2021是专为驱动
编程电压转换成难
负载。它具有所要求的电路是
用作针驱动器电子电路板的测试系统。
能够压倒逻辑输出,该器件可
准确地驱动分别设置高,低层次的
编程的压摆率到无功负荷。它也可以是
置于高阻抗来监视负载,而不
不必断开。上一页板测试者
复用方案,以减少管脚驱动器的数量
所需。用的小尺寸和功耗
单片EL2021 ,每个节点上的驱动器,具有很少或没有
复用成为现实。因为只有几个销
“床上的钉子”板测试人员需要被激活,在任何给定的时间,
掉电功能可以节省大量的电力大
系统。
特点
可编程的模拟输出电平范围广
0.5安培输出驱动外部晶体管
可编程转换速率
低过冲与大容性负载稳定与
500pF
三态输出
省电功能
宽电源电压范围
过电流检测
应用
加载电路板测试仪
数字测试仪
可编程的4象限电源
订购信息
产品型号
EL2021CJ
TEMP 。 RANGE
0 ° C至+ 75°C
CERDIP
PKG 。号
MDP0031
框图
引脚
EL2021
( 18引脚DIP )
顶视图
真值表
E
0
0
0
1
OE
0
0
1
X
数据
0
1
X
X
V
CL
V
CH
高-Z
未定义
V
OUT
评论
活跃
活跃
第三国
掉电
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2003版权所有。 ELANTEC是ELANTEC半导体公司的注册商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
EL2021
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
V+
V-
B+, B-
SENSE +
SENSE-
E,振动时效,
OE ,数据
V
CH
, V
CL
SENSE OUT
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V至+ 16V
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.03V至-16V
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V-至V +
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( -2V + B + )到( 0.3V + B + )
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ( -0.3V + B- )至( 2V + B- )
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3 + 6V
输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 B-到B +和V-至V +
输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -10mA至+ 10毫安
V
OUT
,驱动+ ,
DRIVE-的输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -45mA至+ 45毫安
T
J
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
T
A
工作环境
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 75°C
T
ST
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ° C至+ 150°C
P
D
功率耗散(T
A
= 25°C)
(见曲线) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .1.8W
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
重要提示:为最小/最大规格的所有参数都得到保证。典型值仅供参考。除非另有说明,所有的测试
是在特定的温度,并且脉冲测试,因此:T已
J
= T
C
= T
A
DC电气规格
T
A
= 25 ° C,V + = 15 ,V = -10V , B + = V
CH
+ 3.6V ,B = V
CL
-3.6V ,无负载。数据和OE水平:
L = 2.0V和H = 3.0V (CMOS阈值) 。 E水平为: L = 1.5V和H = 3.5V 。使用完成所有测试
2N2222和2N2907输出晶体管Beta>40 @我
C
= 400mA的电流Beta>27 @我
C
= 500毫安和
V
CE
= 3.1V 。 OE和E低。
参数
I
S
描述
V + , - 供应电流
条件
V
CH
= 5V, V
CL
= 0, VSR = 2.5V ,数据= H或L
V
CH
= 11V, V
CL
= -6V , VSR = 5V ,数据= H或L
V
CH
= -6V, V
CL
= 11V , VSR + 2.5V ,数据= H或L
V
CH
= 5V, V
CL
= 0V , VSR = 2.5V ,数据= H或L ,E = H
V
CH
= -1V至+ 7.5V ,V
CL
= 0V , VSR = 5V ,
数据= H或L
V
CL
= -3.5V至+ 3.5V ,V
CH
= 0V , VSR = 5V ,
数据= H或L
V
CH
= 5V, V
CL
= 0V , VSR = 5V ,数据= 0或5V
V
CH
= 5V, V
CL
= 0V , VSR = 5V ,数据= L , OE = 0V或5V
V
CH
= 5V, V
CL
= 0V , VSR = 5V ,数据= L , E = 0V或5V
V
CH
= 5V, V
CL
= 0V ,数据= L , VSR = 0V或5V
V
CH
= 5V, V
CL
= 0V , VSR = 5V ,数据= 0V或5V
V
CH
= 5V, V
CL
= 0V ,数据= 1, VSR = 5V
V+ = 14.5V, V- = -9.5V
V
CH
= 5V, V
CL
= 0 , VSR = 1V ,数据= L ,
输出电流= -100mA , 0毫安,或+百毫安
输出电流= -400mA或+ 400毫安
输出电流= -500mA或+ 500毫安
V
CH
= 5V, V
CL
= 0 , VSR = 1V ,数据= H
输出电流= -100mA , 0毫安,或+百毫安
输出电流= -400mA或+ 400毫安
输出电流= -500mA或+ 500毫安
V
CH
= 11V, V
CL
= -6V , VSR = 1V ,我
OUT
= 0,数据= L
V
CH
= 11V, V
CL
= -6V , VSR = 1V ,我
OUT
= 0,数据= H
V
CH
= 5V, V
CL
= 0, VSR = 2.5V ,R
SENSE
= 1Ω ,数据= H
V
CH
= 5V, V
CL
= 0, VSR = 2.5V ,R
SENSE
= 1Ω ,数据= L
V
CH
= 5V, V
CL
= 0, VSR = 2.5V ,数据L或H ,
输出电流= -350mA或+ 350毫安
输出电流= -550mA或+ 550毫安
V
CH
= 5V, V
CL
= 0 , VSR = 2.5V ,数据= L , OE = H ,
输出电压= -2.5V和+ 7.5V
15
21
15
0
-20
-20
-50
-20
-20
-20
-20
-20
典型值
25
33
25
0.5
5
-5
5
5
2
2
5
5
最大
30
45
30
2.5
20
20
50
20
20
20
20
20
单位
mA
mA
mA
mA
A
A
A
A
A
A
A
A
I
S
,残疾人
I
VCH
I
VCL
I
数据
I
OE
I
E
I
VSR
±I
SENSE
I
B
+, I
B
-
V
O
V + , - 供应电流
V
CH
输入电流
V
CL
输入电流
数据输入电流
OE输入电流
输入电流
VSR输入电流
检测输入电流
B + , B-输入电流
输出电压
-50
-300
-600
4.95
4.7
4.4
-6.1
10.9
400
-400
0
3.5
-100
5
450
-450
50
300
600
5.05
5.3
5.6
-5.9
11.1
600
-600
0.6
5.0
100
mV
mV
mV
V
V
V
V
V
mA
mA
V
V
A
I
SENSE +
I
SENSE-
V
O, SENSE
+ ISENSE
门槛
-ISENSE
门槛
常理出水平
I
OUT , TRI
高阻抗
输出漏
2
EL2021
AC电气规格
参数
SR +
SR-
SRSYM
T
PD
T
S
OS
描述
+压摆率
-SLEW率
压摆率
对称
传播延迟
建立时间
直流试验条件适用,除非另有说明。对于AC测试,R
L
= 1K ,C
L
= 200pF的。延迟时间是
从OE或数据交叉2.5V ,V测
CH
= 5V, V
CL
= 0.
条件
数据L到H,从0.5V至4.5V的输出, VSR = 1V
VSR = 3V
数据H到L ,从4.5V至0.5V的输出, VSR = 1V
VSR = 3V
(
SR +
)- (
SR-
)
VSR
=
1V
-------------------------------------
-
(
SR +
)+ (
SR-
)
VSR
=
2V
数据L到H,输出为0.2V , VSR = 2.5V
数据H到L ,输出为4.8V , VSR = 2.5V
VSR = 5V ,数据L到H,输出4.5V至5V ± 0.2V
VSR = 5V ,数据H到L ,输出0.5V至± 0.2V
VSR = 1V ,数据L到H或H到L
VSR = 1V , OE H至L,数据= L,R
L
至5V
VSR = 1V ,OE H到L ,数据= H,R
L
为0V
VSR = 2.5V , OE H至L,C
L
= 50pF的
R
L
至5V ,数据= 1,输出到3.5V
R
L
为0V ,数据= H ,输出为1.5V
VSR = 2.5V , OE L到H,C
L
= 50pF的,
数据= L ,R
L
至5V ,输出为0.5V
数据= H,R
L
到0V,输出到4.5V
-300
-300
-300
80
150
-80
-150
-10
-20
6.5
6.5
9
9
典型值
100
240
-100
-240
最大
120
360
-120
-360
10
20
11.5
11.5
30
30
300
300
300
50
50
50
50
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
%
%
ns
ns
ns
ns
mV
mV
mV
ns
ns
ns
ns
T
PDA
传播延迟,
高Z到主动
传播延迟,
主动到高阻
T
PDH
引脚说明表
针#
1
2
GND
E
名字
系统地。
使能控制输入。逻辑低电平可以正常运行;逻辑高电平使器件进入
掉电模式。无输出电平在断电定义,也没有输出表现
为高阻抗。
输出使能输入。逻辑低电平输出设置为低阻抗驱动模式;逻辑高
并将输出进入高阻抗状态。
较低的模拟控制输入。当数据= OE = E = L时, V
CL
电平输出为V
OUT
(假设V
CL
& LT ; V
CH
).
系统供电。该EL2021采用该引脚为负极性输出电流监视器的连接。
小电流从该引脚,短暂的或静态的画。
负输出电流监视器的输入。
负电源。因为所有的负输出驱动电流来自该引脚
(电流可达60mA瞬时) ,良好的旁路是必不可少的。
输出到外部PNP晶体管的基极。
大电流输入和输出,这取决于操作环境。
输出到外部NPN晶体管的基极。
输出电流流 - 它标志着一个高+或逻辑输出。
正电源。像V型,但是应该很好旁路。
正输出电流监视器的输入。
系统电源,类似于B超。
较高的模拟控制输入。当数据= H和OE = E = L时, V
CH
电平是作为输出
V
OUT
(假设V
CH
& GT ; V
CL
).
压摆率控制输入。该引脚上的电平1V使输出压摆在100V / μs的, 0.5V
导致50V / μs的等压摆率
输出电平控制输入。该引脚进行数字选择V
CL
或V
CH
作为输出电压
当OE = E = L。
未连接。
描述
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
OE
V
CL
B-
I
SENSE
-
V-
驱动器 -
V
OUT
驱动+
SENSE OUT
V+
I
SENSE
+
B+
V
CH
VSR
数据
N / C
3
EL2021
典型性能曲线
家庭的输出波形,的。
ECL , TTL , CMOS , HCMOS
与C1 = 50pF的, VSR = 1V 。
家庭的输出波形,的。
ECL , TTL , CMOS , HCMOS
与C1 = 200pF的, VSR = 1V 。
收益二厅
输出波形,用
5MHz的数据速率。 C1 = 50pF的,
VSR = 4V 。
家庭的输出波形,的。
ECL , TTL , CMOS , HCMOS
与C1 = 200pF的, VSR = 1V ,
而过度补偿与
22pF的每个驱动器引脚
到地面。
家庭的输出波形,对
从积极的H,L为
高阻抗H, L。
家庭的输出波形,对
从高阻抗H,L
主动H, L。
家庭+输出的边缘,
0V至5V的VSR = 0.5V , 1V ,
2V, 3V, 5V.
的输出边缘家庭,
5V至0V或VSR = 0.5V , 1V ,
2V, 3V, 5V.
4
EL2021
典型性能曲线
(续)
冲VS VSR
冲VS VSR
压摆率与VSR
V
OUT
与负载电流
供应电流与
电源电压
三态泄漏VS
输出电压
供应电流与VSR
功耗与
温度
应用信息
输出级
为了满足低输出阻抗的要求,广泛
带宽和大的容性负载的驱动能力,则
EL2021有一个相当奇特的输出级。图1示出了
电路的简化原理图,只适用于正常,
低阻抗模式。外部管用于
处理大负载电流和峰值功率耗散。
由于不存在需要良好的AC交越失真
在一个引脚驱动器的性能,输出晶体管是
操作等级C.即,对于小的输出电流,也
输出晶体管将进行偏置电流,而当负载
电流不流动时,设备中的一个是关闭的。这是
由肖特基势偏压输出晶体管来实现
二极管D1和D2 。在操作中,二极管的正向电压是
大约0.4V ,而在“开”输出晶体管将具有
V
BE
的0.6V 。这样,只有0.2V跨越“关”的
晶体管的基极 - 发射极结,几乎没有足够的
使偏置电流流过它。肖特基二极管具有一个
温度漂移类似于硅晶体管,所以C类
偏置保持温度过高。一个谨慎的是,
二极管是在IC封装中和是热分离
从晶体管,因此有可能存在温度
包之间的差异,可能会导致热
暴走。失控被避免,只要外部
晶体管是由以上的EL2021包不热
超过80 ℃。唯一的办法失控被诱导为
写这篇文章就是用“遇冷喷”的IC封装,而
输出晶体管都非常火爆。
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EL2021
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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√ 欧美㊣品
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