EIC7179-5
已更新2007年8月21日
7.10-7.90GHz
5瓦内部匹配功率FET
特点
7.10-7.90GHz带宽
输入/输出阻抗相匹配的50欧姆
在1dB压缩37.5 dBm的输出功率
8.5分贝功率增益1dB压缩
35 ％的功率附加效率
-46 dBc的IM3在PO = 25.5 dBm的SCL
100 ％测试DC， RF ，和R
TH
电气特性（T
a
= 25°C)
符号
P
1dB
G
1dB
G
PAE
Id
1dB
IM3
I
DSS
V
P
R
TH
参数/测试条件
1
在1dB压缩输出功率F = 7.10-7.90GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1600mA
增益1dB压缩
F = 7.10-7.90GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1600mA
增益平坦度
F = 7.10-7.90GHz
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1600mA
在1dB压缩功率附加效率
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1600mA
F = 7.10-7.90GHz
漏电流在1dB压缩F = 7.10-7.90GHz
输出3阶互调失真
f
= 10 MHz的2音测试; POUT = 25.5 dBm的S.C.L
2
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
F = 7.90GHz
饱和漏极电流
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
捏-O FF电压
热阻
3
V
DS
= 3 V，I
DS
= 30毫安
注意！ ESD敏感器件。
民
36.5
7.5
典型值
37.5
8.5
±0.6
35
1600
-43
-46
2900
-2.5
5.0
3500
-4.0
5.5
o
最大
单位
DBM
dB
dB
%
2000
mA
dBc的
mA
V
C / W
注： 1。测试与100欧姆的栅极电阻。
2. S.C.L. =单载波电平。
3.总体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大额定EFE
符号
参数
绝对
1
15V
-5V
68mA
-13.6mA
37dBm
175C
-65℃至+ 175℃
27W
连续
2
10V
-4V
20.4mA
-3.4mA
@ 3分贝压缩
175C
-65℃至+ 175℃
27W
VDS
VGS
IGF
IGR
针
总胆固醇
TSTG
Pt
漏源电压
栅源电压
正向栅电流
反向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
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7.10-7.90GHz
5瓦内部匹配功率FET
性能数据
典型的S参数（T = 25℃ ， 50Ω系统，解嵌入到封装的边缘）
V
DS
= 10 V，I
DSQ
≈
1600mA
S11和S22
6
0.
SWP最大
8.5GHz
2.
0
1.0
0.8
20
S21和S12
-1.0
-0.8
-0
.
-4
-10.0
10.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
-0
.4
0.
-0
S[2,2] *
EIC7179-5
-0.8
0.8
.0
-2
.6
-1.0
频率
（千兆赫）
--- S11 ---
MAG
昂
6.25
6.50
6.75
7.00
7.25
7.50
7.75
8.00
8.25
8.50
8.75
0.752
0.711
0.659
0.591
0.487
0.320
0.097
0.315
0.600
0.769
0.843
168.140
136.260
105.510
75.820
46.300
11.650
-69.360
154.860
114.000
85.120
64.260
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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-3
.0
S[1,1] *
EIC7179-5
2.
0
4
SWP敏
6.5GHz
-4
.0
-5.
0
2
-0.
4.
-10.0
2
-0.
-5.
0
5.0
S21和S12 （ dB）的
.0
4
-3
.0
.
-0
.0
-2
6
0.
4
0
3.
10
4.
0
10.0
0
DB （ | S [ 2,1 ] | ） *
EIC7179-5
DB（ | S [1,2] | ） *
EIC7179-5
0
3.
5.0
0
0.2
10.0
10.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.
6
0.2
0.2
0
-10
-20
-30
6.5
7
7.5
频率（GHz ）
8
8.5
--- S21 ---
MAG
昂
--- S12 ---
MAG
昂
--- S22 ---
MAG
昂
2.901
2.974
3.004
2.986
3.063
3.161
3.168
2.860
2.233
1.607
1.123
-7.820
-39.130
-70.350
-100.630
-131.620
-165.600
156.190
113.990
73.400
38.360
9.490
0.073
0.081
0.088
0.096
0.103
0.111
0.116
0.108
0.087
0.063
0.046
-64.840
-97.090
-127.140
-156.850
172.760
140.350
103.520
62.710
23.160
-9.110
-36.130
0.232
0.224
0.267
0.322
0.358
0.377
0.364
0.326
0.323
0.379
0.455
-147.530
159.760
117.460
82.450
53.770
21.450
-18.780
-72.420
-131.860
-178.690
151.440
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EIC7179-5
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7.10-7.90GHz
5瓦内部匹配功率FET
功率降容曲线和IM3定义
功耗与温度的关系
30
三阶
截取点IP3
25
总功耗（ W）
潜在的不安全
工作区
IP
3
=噘+ IM3 / 2
F1或F2
20
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
噘
针
IM3
15
安全工作
地区
10
IM3
f1 f2
(2f1-f2) f1 f2 (2f2-f1)
5
（ 2F2 - 为f1 ）或（ 2F1 - f2）上
0
0
25
50
75
100
125
外壳温度（ ° C）
150
175
销[ S.C.L. ] （ DBM）
典型的电力数据（V
DS
= 10 V，I
DSQ
= 1600 mA）的
40
39
P- 1分贝（ DBM）
典型的IM3数据（V
DS
= 10 V,
I
DSQ
≈
65％的智能决策支持系统
)
12
11
G- 1分贝（分贝）
P- 1分贝& G- 1分贝与频率
IM3与输出功率
-10
-20
F1 = 7.90千兆赫， F2 = 7.91 GHz的
38
P- 1分贝（ DBM）
37
36
35
7.0
7.2
7.4
7.6
7.8
8.0
频率（GHz ）
10
G- 1分贝（分贝）
9
8
7
IM3 （ DBC）
-30
-40
-50
-60
IM3 （ DBC）
-70
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34
的Pout 〔 S.C.L. ] （ dBm的）
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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EIC7179-5
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5瓦内部匹配功率FET
封装外形
除非另有规定尺寸以英寸，公差+ 0.005
EIC7179-5 （密封）
EIC7179-5NH （非气密性）
Excelics
EIC7179-5
.827±.010 .669
0.120敏
.024
.421
Excelics
EIC7179-5NH
YYWW
SN
0.120敏
YYWW
SN
.125
.508±.008
.442
.168±.010
以英寸所有尺寸
.004
.063
.004
.105±.008
以英寸所有尺寸
注意！ ESD敏感器件。
注意！ ESD敏感器件。
订购信息
产品型号
EIC7179-5
EIC7179-5NH
注意事项：
套餐
密闭
非密封
GRADE
1
产业
产业
f
TEST
（千兆赫）
7.10-7.90GHz
7.10-7.90GHz
P
1dB
（分钟）
36.5
36.5
IM
3
（分钟）
2
-43
-43
1.联系工厂用于军事和高可靠性等级。
2，精确的测试条件中的“电气特性”表中指定。
放弃
EXCELICS半导体保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 EXCELICS不承担任何
责任因任何产品或电路此处所述的应用或使用。
生命支持政策
EXCELICS半导体产品未被授权用于生命中的关键部件
支持设备或系统，而无需EXCELICS半导体的明确书面批准，
INC AS在这里：
1.生命支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到设备或系统
体，或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行时，按照正常使用
在标签规定的使用说明，可以合理预期造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以是任何组件
合理预期造成生命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或
效用
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