EDI88512CA
512Kx8单片SRAM ， SMD 5962-95600
特点
■
访问时间的15 ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
■
数据保持功能（ LPA版）
■
TTL兼容的输入和输出
■
完全静态的，并没有时钟
■
组织为512Kx8
■
商用，工业和军用温度范围
■
32脚JEDEC批准进化引脚
陶瓷Sidebrazed 600万DIP （包9 ）
陶瓷Sidebrazed 400万DIP （ 326包）
陶瓷32引脚扁平封装（封装344 ）
陶瓷薄型扁平封装（封装321 ）
陶瓷SOJ （ 140包）
■
36脚JEDEC批准的革命引脚
陶瓷扁平封装（封装316 ）
陶瓷SOJ （ 327包）
陶瓷LCC （ 502包）
■
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
该EDI88512CA是4兆位单片CMOS
静态RAM 。
32引脚DIP引脚排列坚持以JEDEC演化
tionary标准为四兆的设备。所有的32针
包是引脚对引脚升级为单芯片
使128K ×8的EDI88128CS 。引脚1和30 BE-
来的高阶地址。
36引脚引脚排列革命也坚持了
JEDEC标准为四兆的设备。岑
之三针电源和地引脚有助于减少噪音
高性能系统。 36引脚引脚排列也
使用户的升级路径，未来2Mx8 。
低功率版本，数据保留
（ EDI88512LPA ）也可用于电池供电
应用程序。军工产品可符合
附录A MIL -PRF- 38535的。
图。 1
引脚配置
36 P
IN
T
OP
V
IEW
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
P
IN
D
ESCRIPTION
32 P
IN
T
OP
V
IEW
32 V
CC
31 A15
30 A17
29我们
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CS
21 I / O7
20 I / O6
19 I / O5
18 I / O4
17 I / O3
A
-18
I / O
0-7
数据输入/输出
A
0-18
WE
CS
OE
V
CC
V
SS
NC
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V± 10％）的
地
没有连接
B
LOCK
D
IAGRAM
存储阵列
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
OE
2002年8月修订版9
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88512CA
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
-0.5 7.0
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1.5
20
175
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
OE
X
H
L
X
CS
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
T
RUTH
T
ABLE
模式
产量
待机
高Z
输出取消高Z
读
数据输出
写
DATA IN
动力
ICC
2
，国际商会
3
ICC
1
ICC
1
ICC
1
R
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
参数
符号
电源电压
V
CC
电源电压
V
SS
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
3.0
+0.8
单位
V
V
V
V
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他唯一和功能操作
条件比那些在业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
C
APACITANCE
(T
A
= +25°C)
参数
符号
条件
最大单位
地址线
C
I
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的12 pF的
数据线
C
O
V
OUT
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的14 pF的
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC
极特
(V
CC
= 5V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
V
OL
V
OH
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
WE ， CS = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
CS
V
IH
, V
IN
V
IL
, V
IN
V
IH
CS
V
CC
-0.2V
V
IN
VCC -0.2V或V
IN
0.2V
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
民
-10
-10
—
—
—
—
—
—
2.4
最大
10
10
250
225
60
25
20
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
(17ns)
（ 20 -55ns ）
CA
LPA
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= VCC -0.3V
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
480
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
480
注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2）
Q
255
30pF
Q
255
5pF
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
2
EDI88512CA
AC - C
极特
读周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
符号
JEDEC Alt键。
t
AVAV
t
RC
t
AVQV
t
AA
t
ELQV
t
ACS
t
ELQX
t
CLZ
t
EHQZ
t
CHZ
t
AVQX
t
OH
t
GLQV
t
OE
t
GLQX
t
OLZ
t
GHQZ
t
OHZ
15ns
最小最大
15
15
15
2
0
7
0
8
0
0
7
17ns
最小最大
17
17
17
3
0
7
0
8
0
0
7
20ns
最小最大
20
20
20
3
0
8
0
10
0
0
8
25ns
35ns
45ns
55ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
25
35
45
55
ns
25
35
45
55
ns
25
35
45
55
ns
3
3
3
3
ns
0 10
0 15
0 20
0 20
ns
0
0
0
0
ns
12
15
25
30
ns
0
0
0
0
ns
0 10
0 15
0 20
0 20
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC - C
极特
写周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
符号
JEDEC Alt键。
t
AVAV
t
W C
t
ELWH
t
C宽
t
ELEH
t
C宽
t
AVWL
t
AS
t
AVEL
t
AS
t
AVWH
t
AW
t
AVEH
t
AW
t
W长宽高
t
W P
t
WLEH
t
W P
t
WHAX
t
W R
t
EHAX
t
W R
t
W高清X
t
DH
t
EHDX
t
DH
t
WLQZ
t
WHZ
t
VWH
t
W
t
DVEH
t
W
t
WHQX
t
WLZ
15ns
17ns
最小值最大值最小值最大值
15
17
13
14
13
14
0
0
0
0
13
14
13
14
13
14
13
14
0
0
0
0
0
0
0
0
0
8
0
8
8
8
8
8
0
0
20ns
25ns
35ns
45ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
20
25
35
45
15
17
25
30
15
17
25
30
0
0
0
0
0
0
0
0
15
17
25
30
15
17
25
30
15
17
25
30
15
17
25
30
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
8
0 10
0 25
0
30
10
12
20
25
10
12
20
25
0
0
0
0
55ns
最小值最大值单位
55
ns
50
ns
50
ns
0
ns
0
ns
50
ns
50
ns
45
ns
45
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
30
ns
40
ns
30
ns
0
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88512CA
图。 2时序波形 - 读周期
t
AVAV
地址
t
AVQV
t
AVAV
地址
地址1
地址2
CS
t
ELQV
t
ELQX
OE
t
EHQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据
1
数据2
t
GLQV
t
GLQX
数据输出
t
GHQZ
读周期1 （WE高; OE ， CS为低电平）
读周期2 （WE高）
图。 3写周期 - 我们控制
t
AVAV
地址
t
AVWH
t
ELWH
CS
t
WHAX
t
AVWL
WE
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高Z
t
WHQX
写周期1 ，我们控制
图。 4写周期 - CS控
t
AVAV
地址
t
AVEH
t
ELEH
CS
WS32K32-XHX
t
EHAX
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEL
WE
DATA IN
数据输出
高Z
数据有效
写周期2 ， CS控
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
4
EDI88512CA
D
ATA
R
ETENTION
C
极特
（ EDI88512LPA ONLY）
(T
A
= -55°C
TO
+125°C)
特征
只有低功率版
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保存时间
手术恢复时间
符号
V
DD
I
CCDR
T
CDR
T
R
条件
V
DD
= 2.0V
CS
V
DD
-0.2V
V
IN
V
DD
-0.2V
或V
IN
0.2V
民
2
–
0
T
AVAV
典型值
–
–
–
–
最大
–
2
–
–
单位
V
mA
ns
ns
图。 5数据保留 - CS控
数据保持方式
V
CC
t
CDR
CS
CS = V
DD
-0.2V
4.5V
V
DD
WS32K32-XHX
4.5V
t
R
数据保留， CS控
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88512CA
512Kx8单片SRAM ， SMD 5962-95600
特点
■
访问时间的15 ， 17 ， 20 ， 25 ， 35 ， 45 ， 55ns
■
数据保持功能（ LPA版）
■
TTL兼容的输入和输出
■
完全静态的，并没有时钟
■
组织为512Kx8
■
商用，工业和军用温度范围
■
32脚JEDEC批准进化引脚
陶瓷Sidebrazed 600万DIP （包9 ）
陶瓷Sidebrazed 400万DIP （ 326包）
陶瓷32引脚扁平封装（封装344 ）
陶瓷薄型扁平封装（封装321 ）
陶瓷SOJ （ 140包）
■
36脚JEDEC批准的革命引脚
陶瓷扁平封装（封装316 ）
陶瓷SOJ （ 327包）
陶瓷LCC （ 502包）
■
单+ 5V （ ± 10 ％ ）电源供电
该EDI88512CA是4兆位单片CMOS
静态RAM 。
32引脚DIP引脚排列坚持以JEDEC演化
tionary标准为四兆的设备。所有的32针
包是引脚对引脚升级为单芯片
使128K ×8的EDI88128CS 。引脚1和30 BE-
来的高阶地址。
36引脚引脚排列革命也坚持了
JEDEC标准为四兆的设备。岑
之三针电源和地引脚有助于减少噪音
高性能系统。 36引脚引脚排列也
使用户的升级路径，未来2Mx8 。
低功率版本，数据保留
（ EDI88512LPA ）也可用于电池供电
应用程序。军工产品可符合
附录A MIL -PRF- 38535的。
图。 1
引脚配置
36 P
IN
T
OP
V
IEW
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
P
IN
D
ESCRIPTION
32 P
IN
T
OP
V
IEW
32 V
CC
31 A15
30 A17
29我们
28 A13
27 A8
26 A9
25 A11
24 OE
23 A10
22 CS
21 I / O7
20 I / O6
19 I / O5
18 I / O4
17 I / O3
A
-18
I / O
0-7
数据输入/输出
A
0-18
WE
CS
OE
V
CC
V
SS
NC
地址输入
写入启用
芯片选择
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V± 10％）的
地
没有连接
B
LOCK
D
IAGRAM
存储阵列
地址
卜FF器
地址
解码器
I / O
电路
I / O
-7
WE
CS
OE
2002年8月修订版9
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88512CA
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
参数
任何引脚相对于VSS的电压
工作温T
A
（环境）
广告
产业
军事
储存温度，塑料
功耗
输出电流
结温，T
J
-0.5 7.0
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+150
1.5
20
175
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
°C
OE
X
H
L
X
CS
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
T
RUTH
T
ABLE
模式
产量
待机
高Z
输出取消高Z
读
数据输出
写
DATA IN
动力
ICC
2
，国际商会
3
ICC
1
ICC
1
ICC
1
R
ECOMMENDED
O
操作摄像机
C
ONDITIONS
参数
符号
电源电压
V
CC
电源电压
V
SS
输入高电压
V
IH
输入低电压
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.3
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
3.0
+0.8
单位
V
V
V
V
注意：
压力大于下"Absolute最大Ratings"上市
可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力等级
该器件在这些或任何其他唯一和功能操作
条件比那些在业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
C
APACITANCE
(T
A
= +25°C)
参数
符号
条件
最大单位
地址线
C
I
V
IN
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的12 pF的
数据线
C
O
V
OUT
= VCC或VSS时， F = 1.0MHz的14 pF的
这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
DC
极特
(V
CC
= 5V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
待机（ TTL ）电源电流
全部备用电源电流
输出低电压
输出高电压
符号
I
LI
I
LO
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
V
OL
V
OH
条件
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
WE ， CS = V
IL
, I
I / O
= 0毫安，闵周期
CS
V
IH
, V
IN
V
IL
, V
IN
V
IH
CS
V
CC
-0.2V
V
IN
VCC -0.2V或V
IN
0.2V
I
OL
= 8.0毫安
I
OH
= -4.0mA
民
-10
-10
—
—
—
—
—
—
2.4
最大
10
10
250
225
60
25
20
0.4
—
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
(17ns)
（ 20 -55ns ）
CA
LPA
注： DC测试条件： V
IL
= 0.3V, V
IH
= VCC -0.3V
AC测试条件
图1
VCC
图2
VCC
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
480
V
SS
至3.0V
5ns
1.5V
图1
480
注：对于T
EHQZ
, t
GHQZ
和T
WLQZ
， CL = 5pF的图2）
Q
255
30pF
Q
255
5pF
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
2
EDI88512CA
AC - C
极特
读周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z（ 1 ）
芯片禁用到输出高Z（ 1 ）
从地址变更输出保持
输出使能到输出有效
输出使能到输出低Z（ 1 ）
输出禁止到输出高Z（ 1 ）
符号
JEDEC Alt键。
t
AVAV
t
RC
t
AVQV
t
AA
t
ELQV
t
ACS
t
ELQX
t
CLZ
t
EHQZ
t
CHZ
t
AVQX
t
OH
t
GLQV
t
OE
t
GLQX
t
OLZ
t
GHQZ
t
OHZ
15ns
最小最大
15
15
15
2
0
7
0
8
0
0
7
17ns
最小最大
17
17
17
3
0
7
0
8
0
0
7
20ns
最小最大
20
20
20
3
0
8
0
10
0
0
8
25ns
35ns
45ns
55ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值单位
25
35
45
55
ns
25
35
45
55
ns
25
35
45
55
ns
3
3
3
3
ns
0 10
0 15
0 20
0 20
ns
0
0
0
0
ns
12
15
25
30
ns
0
0
0
0
ns
0 10
0 15
0 20
0 20
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
AC - C
极特
写周期
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
A
= -55°C
TO
+125°C)
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
数据保持时间
写入输出高Z（ 1 ）
数据写入时间
输出写入结束活动（ 1 ）
符号
JEDEC Alt键。
t
AVAV
t
W C
t
ELWH
t
C宽
t
ELEH
t
C宽
t
AVWL
t
AS
t
AVEL
t
AS
t
AVWH
t
AW
t
AVEH
t
AW
t
W长宽高
t
W P
t
WLEH
t
W P
t
WHAX
t
W R
t
EHAX
t
W R
t
W高清X
t
DH
t
EHDX
t
DH
t
WLQZ
t
WHZ
t
VWH
t
W
t
DVEH
t
W
t
WHQX
t
WLZ
15ns
17ns
最小值最大值最小值最大值
15
17
13
14
13
14
0
0
0
0
13
14
13
14
13
14
13
14
0
0
0
0
0
0
0
0
0
8
0
8
8
8
8
8
0
0
20ns
25ns
35ns
45ns
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
20
25
35
45
15
17
25
30
15
17
25
30
0
0
0
0
0
0
0
0
15
17
25
30
15
17
25
30
15
17
25
30
15
17
25
30
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
8
0 10
0 25
0
30
10
12
20
25
10
12
20
25
0
0
0
0
55ns
最小值最大值单位
55
ns
50
ns
50
ns
0
ns
0
ns
50
ns
50
ns
45
ns
45
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
ns
0
30
ns
40
ns
30
ns
0
ns
1.此参数由设计保证，但未经测试。
3
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
EDI88512CA
图。 2时序波形 - 读周期
t
AVAV
地址
t
AVQV
t
AVAV
地址
地址1
地址2
CS
t
ELQV
t
ELQX
OE
t
EHQZ
t
AVQV
数据I / O
t
AVQX
数据
1
数据2
t
GLQV
t
GLQX
数据输出
t
GHQZ
读周期1 （WE高; OE ， CS为低电平）
读周期2 （WE高）
图。 3写周期 - 我们控制
t
AVAV
地址
t
AVWH
t
ELWH
CS
t
WHAX
t
AVWL
WE
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
DATA IN
数据有效
t
WLQZ
数据输出
高Z
t
WHQX
写周期1 ，我们控制
图。 4写周期 - CS控
t
AVAV
地址
t
AVEH
t
ELEH
CS
WS32K32-XHX
t
EHAX
t
WLEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEL
WE
DATA IN
数据输出
高Z
数据有效
写周期2 ， CS控
怀特电子设计公司亚利桑那州凤凰城 （ 602 ） 437-1520
4
EDI88512CA
D
ATA
R
ETENTION
C
极特
（ EDI88512LPA ONLY）
(T
A
= -55°C
TO
+125°C)
特征
只有低功率版
数据保持电压
数据保持静态电流
芯片禁用到数据保存时间
手术恢复时间
符号
V
DD
I
CCDR
T
CDR
T
R
条件
V
DD
= 2.0V
CS
V
DD
-0.2V
V
IN
V
DD
-0.2V
或V
IN
0.2V
民
2
–
0
T
AVAV
典型值
–
–
–
–
最大
–
2
–
–
单位
V
mA
ns
ns
图。 5数据保留 - CS控
数据保持方式
V
CC
t
CDR
CS
CS = V
DD
-0.2V
4.5V
V
DD
WS32K32-XHX
4.5V
t
R
数据保留， CS控
5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.whiteedc.com
QQ：2880707522 复制
