EN25F40
操作特性
SPI模式
该EN25F40通过一个SPI兼容总线组成的四个信号访问：串行时钟（ CLK ） ，
片选信号（ CS ＃ ） ，串行数据输入（ DI ）和串行数据输出（ DO ） 。两个SPI总线操作模式0
（0,0）和3 （1,1）被支持。模式0和模式3之间的主要区别，如图
3 ，关注SCK信号的正常状态时， SPI总线主机在待机和数据不
被传输到串行闪存。对于模式0 SCK信号通常是低的。模式3的SCK
信号通常是高的。在这两种情况下，数据输入的DI引脚进行采样在SCK的上升沿。
在DO引脚输出数据时钟输出在SCK的下降沿。
图3. SPI模式
网页编程
以编程一个数据字节时，两条指令必须：写使能（WREN ），这是一个字节，并且一个
页编程（PP）的序列，它由4个字节加上数据。这之后是在内部
项目周期（时间TPP的） 。
传播这个开销，页编程（PP）的指令允许多达256个字节被编程
一时间（改变位从1变为0 ） ，只要它们存在于连续地址的同一页上
内存。
扇区擦除，块擦除和芯片擦除
在页编程（PP）的指令允许位被从1重置为0。在此之前可以应用，则
内存字节需要被擦除为全1 （ FFH ） 。这可以在同一时间内达到一个扇区，使用
扇区擦除（ SE ）指令，一次一个块使用块擦除（ BE ）指令或整个
整个内存，使用芯片擦除（ CE ）指令。这将启动时间的内部擦除周期（
谢TBE或TCE） 。 ERASE指令前必须有一个写使能（ WREN）指令。
投票在写，编程或擦除周期
在写状态寄存器（ WRSR ） ，计划（ PP）或擦除时间的进一步改进（ SE ， BE或
CE）可以通过不等待最坏情况下的延迟（ TW ， TPP ， TSE ， tBEor TCE）来实现。写在
制品（WIP ）位设置在状态寄存器，以使应用程序可以监视它的价值，
投票是建立在以前的写周期，项目周期或擦除周期完成。
有源电力，待机功耗和深度掉电模式
当片选（ CS ＃ ）为低电平时，器件处于启用状态，在有源模式。当片选
（ CS ＃ ）为高电平时，设备被禁用，但可以留在有源模式下，直到所有的内部循环
已完成（编程，擦除，写状态寄存器） 。然后将设备进入待机功耗
模式。该器件消耗下降至
I
CC1
.
深度掉电模式时输入特定的指令（在进入深度掉电模式
（DP）的指令）被执行。该器件消耗进一步下降到
I
CC2
。该装置保持在这个
模式，直到另一个特定的指令（发布从深度掉电模式和读取设备ID
（ RDI）指令）被执行。
所有其它指令被忽略，而该设备在深度掉电模式。这可以被用作
一个额外的软件保护机制，当装置处于非活动状态的使用，以保护设备从
意外写操作，编程或擦除指令。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2007/05/09
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