初步数据表

2G位DDR2 SDRAM

EDE2104ABSE （ 512M词

×

4比特）

EDE2108ABSE （ 256M词

×

8比特）

特定网络阳离子

密度： 2G位

组织

64M的话

×

4位

×

8银行（ EDE2104ABSE ）

32M的话

×

8位

×

8银行（ EDE2108ABSE ）

包

68球FBGA

无铅（符合RoHS）

电源： VDD ， VDDQ

=

1.8V

±

0.1V

数据速率

达800Mbps / 667Mbps / 533Mbps （最大）

1KB的页面大小

行地址： A0到A14

列地址： A0到A9 ， A11 （ EDE2104ABSE ）

A0到A9 （ EDE2108ABSE ）

八个内部银行的并发操作

接口： SSTL_18

脉冲串长度（BL） ： 4,8

突发类型（BT） ：

顺序（4,8 ）

交织（4,8 ）

/ CAS延迟（CL） ：3， 4 ，5，6

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

驱动力：正常/弱

刷新：自动刷新，自刷新

特点

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

高速数据传输是由4比特来实现

预取流水线结构

双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）

传输/数据接收的数据采集

接收器

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

发布/ CAS通过可编程附加延迟

更好的命令和数据总线效率

片外驱动器阻抗调整和在复模机

终止更好的信号质量

可编程RDQS ， / RDQS输出制作

×

8

组织相容

×

4机构

/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用

数据选通操作

刷新周期： 8192次/ 64ms的

平均更新周期

7.8μs在0℃下

≤

TC

≤ +85°C

在3.9μs

+ 85°C <

TC

≤ +95°C

工作温度范围

TC = 0 ° C至+ 95°C

一号文件E1196E10 （版本1.0 ）

发布日期2007年11月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面， 2007年公司

EDE2104ABSE ， EDE2108ABSE

订购信息

产品型号

EDE2104ABSE-8G-E

EDE2104ABSE-6E-E

EDE2104ABSE-5C-E

EDE2108ABSE-8G-E

EDE2108ABSE-6E-E

EDE2108ABSE-5C-E

面膜

VERSION

B

组织

（字

×

位）

512M

×

4

国内

银行

8

速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR2-800 （ 6-6-6 ）

DDR2-667 （ 5-5-5 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

DDR2-800 （ 6-6-6 ）

DDR2-667 （ 5-5-5 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

包

68球FBGA

256M

×

8

产品型号

E D E 21 04 A B SE - 8G - é

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品系列

E： DDR2

密度/银行

21 ：2GB / 8银行

组织

04: x4

08: x8

电源，接口

答： 1.8V ， SSTL_18

环境法规

E：无铅

（符合RoHS ）

速度

8G DDR2-800 （ 6-6-6 ）

6E ： DDR2-667 （ 5-5-5 ）

5C ： DDR2-533 （ 4-4-4 ）

包

SE ： FBGA

牧师死亡

初步数据表E1196E10 （版本1.0 ）

2

EDE2104ABSE ， EDE2108ABSE

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

68球FBGA

(×8,

×4

组织）

1

A

NC

B

C

D

E

VDD

NU / / RDQS

VSS

（ NC ） *

2

NC

3

7

8

NC

9

NC

VSSQ / DQS VDDQ

的DQ

VDDQ

DQ2

VSSDL

/ RAS

/ CAS

A2

A6

A11

NC

VSSQ

DQ0

VSSQ

CK

/ CK

/ CS

A0

A4

A8

A13

VSS

VDD

（ NC ） *

F

G

DQ6

DM / RDQS

（ NC ） *

VSSQ

（DM） *

VDDQ

DQ1 VDDQ

VSSQ

DQ3

VSS

/ WE

BA1

A1

A5

A9

A14

DQ7

VDDQ

（ NC ） *

H

J

（ NC ） *

DQ4

DQ5

VDDL VREF

K

CKE

L

BA2

M

A10

N

VSS

P

A7

R

VDD

T

U

V

W

NC

NC

A12

A3

BA0

VDD

ODT

NC

（ TOP VIEW ）

NC

注： （ ） *标记的管脚是

×4

组织。

引脚名称

A0到A14

BA0 ， BA1 ， BA2

DQ0到DQ7

DQS ， / DQS

RDQS ， / RDQS

/ CS

/ RAS ， / CAS ， / WE

CKE

CK ， / CK

DM

功能

地址输入

BANK SELECT

数据输入/输出

差分数据选通信号

差分数据选通信号读

芯片选择

命令输入

时钟使能

差分时钟输入

写数据面膜

引脚名称

ODT

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREF

VDDL

VSSDL

NC *

NU *

1

2

功能

ODT控制

电源电压为内部电路

地上的内部电路

电源电压为DQ电路

地面DQ电路

输入参考电压

电源电压为DLL电路

地面的DLL电路

无连接

不可用

注意事项： 1.不与内部芯片连接。

2.不要连接。内部连接。

初步数据表E1196E10 （版本1.0 ）

3

EDE2104ABSE ， EDE2108ABSE

目录

Specifications.................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

引脚配置.........................................................................................................................................3

电动Specifications.................................................................................................................................5

框图.............................................................................................................................................29

针Function.................................................................................................................................................30

命令操作...................................................................................................................................32

简化的状态图.............................................................................................................................40

DDR2 SDRAM的操作........................................................................................................................41

包装图........................................................................................................................................78

推荐焊接Conditions..........................................................................................................79

初步数据表E1196E10 （版本1.0 ）

4

EDE2104ABSE ， EDE2108ABSE

电气规格

所有电压参考VSS （ GND）

正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。

绝对最大额定值

参数

电源电压

电源电压输出

输入电压

输出电压

储存温度

功耗

短路输出电流

符号

VDD

VDDQ

VIN

VOUT

TSTG

PD

IOUT

等级

1.0

到2.3

0.5

到2.3

0.5

到2.3

0.5

到2.3

55

+100

1.0

50

单位

V

V

V

V

°C

W

mA

笔记

1

1

1

1

1, 2

1

1

注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏

该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他

超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光

在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

工作温度条件

参数

工作温度

符号

TC

等级

0至+95

单位

°C

笔记

1, 2

注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

2.支持0 ° C至+ 85°C ，带AC和DC规格。

支持0 ° C至+ 85°C ，并能扩展到+ 95°C ，在加倍自动刷新命令

频率为32ms的周期（ tREFI = 3.9μs ），并经由A7 "1"于较高温度的自刷新进入

EMRS （2） 。

初步数据表E1196E10 （版本1.0 ）

5

数据表

2G位DDR2 SDRAM

EDE2104ABSE （ 512M词

×

4比特）

EDE2108ABSE （ 256M词

×

8比特）

特定网络阳离子

密度： 2G位

组织

64M的话

×

4位

×

8银行（ EDE2104ABSE ）

32M的话

×

8位

×

8银行（ EDE2108ABSE ）

包

68球FBGA

无铅（符合RoHS）

电源： VDD ， VDDQ

=

1.8V

±

0.1V

数据速率

达800Mbps / 667Mbps / 533Mbps （最大）

1KB的页面大小

行地址： A0到A14

列地址： A0到A9 ， A11 （ EDE2104ABSE ）

A0到A9 （ EDE2108ABSE ）

八个内部银行的并发操作

接口： SSTL_18

脉冲串长度（BL） ： 4,8

突发类型（BT） ：

顺序（4,8 ）

交织（4,8 ）

/ CAS延迟（CL） ：3， 4 ，5，6

预充电：对于每个突发自动预充电选项

ACCESS

驱动力：正常/弱

刷新：自动刷新，自刷新

特点

双倍数据速率体系结构;两种数据传输每

时钟周期

高速数据传输是由4比特来实现

预取流水线结构

双向差分数据选通（ DQS和/ DQS ）

传输/数据接收的数据采集

接收器

DQS是边沿对齐的数据进行读操作;中央重点

与写入的数据一致

差分时钟输入（ CK和/ CK ）

DLL对齐DQ和DQS转换与CK

TRANSITIONS

命令中输入的每个正CK边缘;数据

和数据掩码参考DQS的两个边缘

数据掩码（DM）写入数据

发布/ CAS通过可编程附加延迟

更好的命令和数据总线效率

片外驱动器阻抗调整和在复模机

终止更好的信号质量

可编程RDQS ， / RDQS输出制作

×

8

组织相容

×

4机构

/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用

数据选通操作

刷新周期： 8192次/ 64ms的

平均更新周期

7.8μs在0℃下

≤

TC

≤ +85°C

在3.9μs

+ 85°C <

TC

≤ +95°C

工作温度范围

TC = 0 ° C至+ 95°C

一号文件E1196E30 （ 3.0版本）

发布日期2008年12月（K ）日本

日本印刷

网址： http://www.elpida.com

Elpida

内存方面，公司2007-2008年

EDE2104ABSE ， EDE2108ABSE

订购信息

产品型号

EDE2104ABSE-8G-E

EDE2104ABSE-6E-E

EDE2104ABSE-5C-E

EDE2108ABSE-8G-E

EDE2108ABSE-6E-E

EDE2108ABSE-5C-E

DIE

调整

B

组织

（字

×

位）

512M

×

4

国内

银行

8

速度斌

（ CL - tRCD的-TRP ）

DDR2-800 （ 6-6-6 ）

DDR2-667 （ 5-5-5 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

DDR2-800 （ 6-6-6 ）

DDR2-667 （ 5-5-5 ）

DDR2-533 （ 4-4-4 ）

包

68球FBGA

256M

×

8

产品型号

E D E 21 04 A B SE - 8G - é

尔必达内存

TYPE

D：单片器件

产品系列

E： DDR2

环境法规

E：无铅

（符合RoHS ）

密度/银行

21 ：2GB / 8银行

组织

04: x4

08: x8

电源，接口

答： 1.8V ， SSTL_18

速度

8G DDR2-800 （ 6-6-6 ）

6E ： DDR2-667 （ 5-5-5 ）

5C ： DDR2-533 （ 4-4-4 ）

包

SE ： FBGA

牧师死亡

数据表E1196E30 （版本3.0 ）

2

EDE2104ABSE ， EDE2108ABSE

销刀豆网络gurations

/ xxx表示低电平有效的信号。

68球FBGA

(×8,

×4

组织）

1

A

NC

B

C

D

E

VDD

NU / / RDQS

VSS

（ NC ） *

2

NC

3

7

8

NC

9

NC

VSSQ / DQS VDDQ

的DQ

VDDQ

DQ2

VSSDL

/ RAS

/ CAS

A2

A6

A11

NC

VSSQ

DQ0

VSSQ

CK

/ CK

/ CS

A0

A4

A8

A13

VSS

VDD

（ NC ） *

F

G

DQ6

DM / RDQS

（ NC ） *

VSSQ

（DM） *

VDDQ

DQ1 VDDQ

VSSQ

DQ3

VSS

/ WE

BA1

A1

A5

A9

A14

DQ7

VDDQ

（ NC ） *

H

J

（ NC ） *

DQ4

DQ5

VDDL VREF

K

CKE

L

BA2

M

A10

N

VSS

P

A7

R

VDD

T

U

V

W

NC

NC

A12

A3

BA0

VDD

ODT

NC

（ TOP VIEW ）

NC

注： （ ） *标记的管脚是

×4

组织。

引脚名称

A0到A14

BA0 ， BA1 ， BA2

DQ0到DQ7

DQS ， / DQS

RDQS ， / RDQS

/ CS

/ RAS ， / CAS ， / WE

CKE

CK ， / CK

DM

功能

地址输入

BANK SELECT

数据输入/输出

差分数据选通信号

差分数据选通信号读

芯片选择

命令输入

时钟使能

差分时钟输入

写数据面膜

引脚名称

ODT

VDD

VSS

VDDQ

VSSQ

VREF

VDDL

VSSDL

NC *

NU *

1

2

功能

ODT控制

电源电压为内部电路

地上的内部电路

电源电压为DQ电路

地面DQ电路

输入参考电压

电源电压为DLL电路

地面的DLL电路

无连接

不可用

注意事项： 1.不与内部芯片连接。

2.不要连接。内部连接。

数据表E1196E30 （版本3.0 ）

3

EDE2104ABSE ， EDE2108ABSE

目录

Specifications.................................................................................................................................................1

Features.........................................................................................................................................................1

订购Information......................................................................................................................................2

产品型号..................................................................................................................................................2

引脚配置.........................................................................................................................................3

电动Specifications.................................................................................................................................5

框图.............................................................................................................................................29

针Function.................................................................................................................................................30

命令操作...................................................................................................................................32

简化的状态图.............................................................................................................................40

DDR2 SDRAM的操作........................................................................................................................41

包装图........................................................................................................................................78

推荐焊接Conditions..........................................................................................................79

数据表E1196E30 （版本3.0 ）

4

EDE2104ABSE ， EDE2108ABSE

电气规格

所有电压参考VSS （ GND）

正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。

绝对最大额定值

参数

电源电压

电源电压输出

输入电压

输出电压

储存温度

功耗

短路输出电流

符号

VDD

VDDQ

VIN

VOUT

TSTG

PD

IOUT

等级

1.0

到2.3

0.5

到2.3

0.5

到2.3

0.5

到2.3

55

+100

1.0

50

单位

V

V

V

V

°C

W

mA

笔记

1

1

1

1

1, 2

1

1

注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏

该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他

超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光

在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。

2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

小心

该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致

永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作

在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

工作温度条件

参数

工作温度

符号

TC

等级

0至+95

单位

°C

笔记

1, 2

注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。

2.支持0 ° C至+ 85°C ，带AC和DC规格。

支持0 ° C至+ 85°C ，并能扩展到+ 95°C ，在加倍自动刷新命令

频率为32ms的周期（ tREFI = 3.9μs ），并经由A7 "1"于较高温度的自刷新进入

EMRS （2） 。

数据表E1196E30 （版本3.0 ）

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