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订购数量: ENA1420
ECH8102
三洋半导体
数据表
ECH8102
应用
PNP外延平面硅晶体管
大电流开关应用
大功率IGBT / MOSFET栅极驱动器,DC / DC转换器,灯驱动器,电机驱动器。
特点
采用FBET , MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
高允许功耗。
无卤素规定。
IECO被保证用于防止反向溢流从集电极到发射极。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体( 900毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
-30
-30
-30
-6
-12
-24
-1.2
1.6
150
-55到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
打标: GB
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备(家电,影音设备,
通信设备,办公自动化设备,工业设备等)。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,
航空航天仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号
系统,安全设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体,也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围,例如使用的应用程序
应用程序,请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的,我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,并
不是性能,特点,以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个被评估
独立的设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
D0209EA TK IM TC- 00002127号A1420-1 / 5
ECH8102
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
IECO
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE ( SAT )
V( BR ) CBO
V( BR ) CES
V( BR ) CEO
V( BR ) EBO
TSTG
tf
条件
VCB = -30V , IE = 0A
VEB = -4V , IC = 0A
VEC = -4.5V , IC = 0A
VCE = -2V , IC = -500mA
VCE = -2V , IC = -4A
VCE = -2V , IC = -10A
VCE = -10V , IC = -500mA
VCB = -10V , F = 1MHz的
IC = -6A , IB = -300mA
IC = -2A , IB = -40mA
IC = -2A , IB = -40mA
IC = -10μA , IE = 0A
IC = -100μA , RBE = 0Ω
IC = -1mA , RBE = ∞
IE = -10μA , IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
-30
-30
-30
-6
91
125
17
200
150
100
140
120
-80
-50
-0.85
-135
-85
-1.2
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
评级
典型值
最大
-0.1
-0.1
-1
560
单位
μA
μA
μA
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7011A-005
电气连接
8
7
6
5
顶视图
0.25
2.9
0.15
8
5
0吨 0.02
2.8
2.3
1
2
3
4
1 :发射器
2 :发射器
3 :发射器
4 :基本
5 :收藏家
6 :收藏家
7 :收藏家
8 :收藏家
顶视图
0.25
1
0.65
4
0.3
1 :发射器
2 :发射器
3 :发射器
4 :基本
5 :收藏家
6 :收藏家
7 :收藏家
8 :收藏家
博特吨OM查看
0.07
0.9
三洋: ECH8
第A1420-2 / 5
ECH8102
开关时间测试电路
PW=20μs
D.C.≤1%
输入
50Ω
VR
IB1
IB2
RB
+
100μF
VBE=5V
+
470μF
VCC = --12V
VOUT
RL
IC = --50IB1 = 25IB2 = --5A
--80mA
--10
--9
IC - VCE
--6
0m
--50mA
--12
IC - VBE
VCE = --2V
A
--45mA
--40mA
--35mA
集电极电流, IC - 一个
集电极电流, IC - 一个
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--100mA
--90mA
--10
--30mA
--25mA
--20mA
--8
Ta=75
°
C
0
--0.2
--0.4
--0.6
A
--70m
--15mA
--10mA
--5mA
IB=0mA
--6
--4
--2
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8 --2.0
IT14456
0
--0.8
--25
°C
25
°
C
--1.0
--1.2
IT14433
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
7
5
的hFE - IC
基极发射极电压VBE - V
1000
的hFE - IC
VCE = --0.5V
Ta=75
°
C
7
5
VCE = --2V
Ta=75
°
C
直流电流增益, hFE参数
直流电流增益, hFE参数
3
2
25
°C
--25
°
C
3
2
25
°C
--25
°
C
100
7
5
3
2
10
--0.01
100
7
5
3
2
10
--0.01
2 3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
5
F T - IC
5 7 --10 2 3
IT14434
2 3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
7
COB - VCB
5 7 --10 2 3
IT14435
VCE = --10V
增益带宽积, F T - 兆赫
3
2
5
f=1MHz
输出电容,科夫 - pF的
3
100
7
5
3
2
2
100
7
10
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
集电极电流, IC - 一个
7 --10
IT14436
5
5
--1.0
2
3
5
7
--10
2
3
5
IT14437
集电极 - 基极电压VCB - V
第A1420-3 / 5
ECH8102
3
2
VCE (SAT) - IC
IC / IB = 10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - 毫伏
3
2
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
VCE (SAT) - IC
IC / IB = 20
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - 毫伏
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
25
°
C
C
5
°
°
C
25
=7
Ta
C
5
°
--2
=7
Ta
C
5
°
--2
C
5
°
5
°
C
TA = --2
75
°
C
25
°
C
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5
°
C
TA = --2
75
°
C
25
°
C
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
--1.0
--0.01
集电极电流, IC - 一个
3
VCE (SAT) - IC
5 7 --10 2 3
IT14438
2
--0.01
集电极电流, IC - 一个
3
VBE (星期六) - IC
5 7 --10 2 3
IT14439
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) - 毫伏
2
IC / IB = 50
基极 - 发射极
饱和电压VBE (星期六) - V
2
IC / IB = 50
7
5
3
2
25
°
C
--100
=
Ta
TA = --25
°
C
°
C
75
--2
5
--1.0
°
C
TA = --25
°
C
7
5
75
°
C
25
°C
--10
7
75
°
C
25
°
C
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10 2 3
IT14440
3
2
--0.01
5
--0.01
2 3
5 7 --0.1
2 3
5 7 --1.0
2 3
集电极电流, IC - 一个
5
3
2
ASO
集电极电流, IC - 一个
1.8
1.6
5 7 --10 2 3
IT14441
PC - TA
ICP = --24A
IC = --12A
DC
op
≤10μs
50
当安装在陶瓷基板
(900mm
2
×
0.8mm)
s
0
μ
10
集电极电流, IC - 一个
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
ERA
s
1
10
0ms
0m
s
TIO
n(
Ta
=
集电极耗散,电脑 - 含
5
--10
7
5
0
μ
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1m
s
25
°
C
)
--0.01
--0.01 2 3
Ta=25°C
单脉冲
当安装在陶瓷基体( 900毫米
2
×0.8mm)
5 7--0.1
2 3
5 7--1.0
2 3
5 7 --10
2 3
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT14442
环境温度,钽 -
°C
IT14443
第A1420-4 / 5
ECH8102
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超出的价值产品,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数)
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三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品,然而,任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的,这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件,危及人的生命,麻烦,可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备,
采取安全措施,这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计,冗余设计误差防止电路,以及
结构设计。
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该目录规定的12月, 2009年说明和信息,在此受
更改,恕不另行通知。
PS第A1420-5 / 5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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