初步数据表
512MB DDR SDRAM SO DIMM
EBD52UC8AKDA
（ 64M字
×
64位， 2级）
描述
该EBD52UC8AKDA是64M的话
×
64位， 2级
双倍数据速率（ DDR ） SDRAM小外形双
直插式内存模块，安装16块256M
位DDR SDRAM封装在TCP包。阅读和
写入操作时，在交叉点进行
在CK和/ CK 。这种高速数据传输是
由2位预取流水线架构实现。
数据选通（DQS ），既用于读操作，写操作可用
用于高速和可靠的数据总线设计。通过设置
扩展模式寄存器中，芯片上的延迟锁定
回路（ DLL） ，可设置启用或禁用。该模块
提供了高密度安装，而无需使用表面
安装技术。去耦电容安装
旁边的模块板的每个TCP 。
注意：不要推盖或删除模块
为了避免机械故障，这可能
导致电气故障。
特点
200针插座型小外形双列直插式内存
模块（ SO DIMM ）
PCB高度： 31.75毫米
引线间距： 0.6毫米
2.5V电源
数据传输速率： 333Mbps / 266Mbps （最大）
2.5 V （ SSTL_2兼容）I / O
双倍数据速率的架构;两种数据传输每
时钟周期
双向的，数据选通（DQS ）被发送
/接收的数据，在捕获数据中使用
接收器
数据输入，输出和DM与同步
的DQ
4个内部银行的并发操作
（组成）
DQS是边沿与读取数据对齐的;中心
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘;数据
参考DQS的两个边缘
数据掩码（DM）写入数据
自动预充电选项为每个突发访问
可编程的突发长度： 2，4， 8
可编程/ CAS延迟（CL） ： 2,2.5
更新周期： （ 8192刷新周期/ 64ms的）
7.8μs最大平均周期刷新间隔
刷新2变化
自动刷新
自刷新
一号文件E0367E20 （版本2.0 ）
发布日期2003年3月（K ）日本
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2003
EBD52UC8AKDA
订购信息
数据速率
Mbps的（最大）
333
266
266
部件
JEDEC速度斌
（ CL - tRCD的-TRP ）
DDR333B （ 2.5-3-3 ）
DDR266A （ 2-3-3 ）
DDR266B （ 2.5-3-3 ）
联系
PAD
安装设备
256M比特DDR SDRAM TCP *
1
产品型号
EBD52UC8AKDA-6B
EBD52UC8AKDA-7A
EBD52UC8AKDA-7B
包
200针SO DIMM金
注意：
请参考256Mb的DDR TSOP产品数据表的电气特性。
销刀豆网络gurations
正面
1针
39针41针
199针
2针
40针42针
背面
200针
PIN号
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
引脚名称
VREF
VSS
DQ0
DQ1
VDD
DQS0
DQ2
VSS
DQ3
DQ8
VDD
DQ9
DQS1
VSS
DQ10
DQ11
VDD
CK0
/CK0
VSS
DQ16
DQ17
VDD
DQS2
DQ18
PIN号
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
引脚名称
VSS
DQ19
DQ24
VDD
DQ25
DQS3
VSS
DQ26
DQ27
VDD
NC
NC
VSS
NC
NC
VDD
NC
NC
VSS
CK2
/CK2
VDD
CKE1
NC
A12
PIN号
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
引脚名称
VREF
VSS
DQ4
DQ5
VDD
DM0
DQ6
VSS
DQ7
DQ12
VDD
DQ13
DM1
VSS
DQ14
DQ15
VDD
VDD
VSS
VSS
DQ20
DQ21
VDD
DM2
DQ22
PIN号
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
引脚名称
VSS
DQ23
DQ28
VDD
DQ29
DM3
VSS
DQ30
DQ31
VDD
NC
NC
VSS
NC
NC
VDD
NC
NC
VSS
VSS
VDD
VDD
CKE0
NC
A11
初步数据表E0367E20 （版本2.0 ）
2
QQ：2880707522 复制
