EN29LV010
EN29LV010
1兆位（ 128K ×8位）的统一部门，
CMOS 3.0伏只快闪记忆体
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围： 3.03.6伏读
和写为高性能操作
3.3伏的微处理器。
高性能
- 全电压范围：存取时间快55
ns
为快速存取时间：稳压电压范围 -
如为45nS
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
A
典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
-
-
-
-
灵活的部门架构：
8个16字节扇区
支持整片擦除
单个扇区擦除支持
部门保护和解除保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
高性能的编程/擦除速度
- 字节编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和触发位
特征
单扇区和芯片擦除
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS闪存
技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
>100K编程/擦除周期耐力
da0.
封装选项
- 采用8mm x 20毫米32脚TSOP （类型1）
- 采用8mm x 14毫米32脚TSOP （类型1）
- 32引脚PLCC
-
商用和工业温度范围
概述
该EN29LV010是1兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为131,072字节。任何字节通常可以在8μs进行编程。该EN29LV010
特征3.0V电压进行读写操作，具有存取时间快，为45nS ，以消除
需要在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV010有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
）和写使能（ WE）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单
扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2003宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2004年1月5日
EN29LV010
连接图
表1.引脚说明
图1.逻辑图
引脚名称
A0-A16
DQ0-DQ7
WE＃
CE＃
OE ＃
VCC
VSS
功能
地址
8数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源电压
地
CE＃
OE ＃
WE＃
A0 - A16
DQ0 - DQ7
EN29LV010
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或修改，由于改变的技术规格。
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表2.均匀BLOCK部门架构
扇形
7
6
5
4
3
2
1
0
地址
1C000h - 1FFFFH
18000H - 1BFFFh
14000h - 17FFFh
10000H - 13FFFh
0C000h - 地址0FFFFh
08000H - 0BFFFh
04000h - 07FFFh
00000H - 03FFFh
大小（字节）
16
16
16
16
16
16
16
16
A16
1
1
1
1
0
0
0
0
A15
1
1
0
0
1
1
0
0
A14
1
0
1
0
1
0
1
0
产品选择指南
产品编号
速度选项
稳压电压范围： VCC = 3.03.6 V
全电压范围： VCC = 2.7 - 3.6 V
-45R
-55
45
45
25
55
55
30
-70
70
70
30
-90
90
90
35
EN29LV010
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问， NS （T
ce
)
最大OE ＃访问， NS （T
oe
)
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或修改，由于改变的技术规格。
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框图
VCC
VSS
块保护开关
DQ0-DQ7
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE＃
命令
注册
CE＃
OE ＃
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-A16
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或修改，由于改变的技术规格。
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表3.操作模式
1M FLASH USER MODE表
手术
读
写
CMOS待机
TTL待机
输出禁用
部门保护
2
扇形
撤消
2
CE＃
L
L
V
cc
±
0.3V
H
L
L
L
OE ＃
L
H
X
X
H
H
H
WE＃
H
L
X
X
H
L
L
A0-A16
A
IN
A
IN
X
X
X
扇区地址，
A6 = L时， A 1 = H， A 0 = L
扇区地址，
A6 = H ，A = H， A 0 = L
DQ0-DQ7
D
OUT
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
D
IN
, D
OUT
D
IN
, D
OUT
注意事项：
1， L =逻辑低= V
IL
，H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
=11
±
0.5V ， X =无所谓（ L或H，但不浮！ ）
D
IN
=数据，D
OUT
=数据输出，A
IN
=地址
2.扇区保护/解除保护可以通过编程设备来实现。
表4.辨识的装置（自选代码）
1M闪存制造商/设备ID表
A16
to
A14
X
X
A13
to
A10
X
X
2
描述
生产厂家
ID ：李炎
器件ID
扇形
保护
验证
CE＃
L
L
OE ＃
L
L
WE＃
H
H
A9
A8
H
1
A7
X
X
A6
L
L
A5
to
A2
X
X
A1
L
L
A0
L
H
DQ7到DQ0
1Ch
6Eh
01h
（被保护）
V
ID
V
ID
X
L
L
H
SA
X
V
ID
X
X
L
X
H
L
00h
（无保护）
注意：
1. A8 = H ，建议生产检查身份证。如果一个厂商ID读取与A8 = L时，芯片将输出配置
代码7Fh的。
2. A9 = VID仅用于HV A9自选模式。 A9必须
≤
工作电压（ CMOS逻辑电平）的命令自动选择模式。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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