4兆位（ 256K ×16 512K ×8 ）
BOOT BLOCK
闪存系列
28F400BX - T B 28F004BX - T B
Y
X8 X16输入输出架构
28F400BX -T 28F400BX -B
高性能和高
集成的16位和32位的CPU
X8仅输入输出架构
28F004BX -T 28F004BX -B
对于空间受限的8位
应用
升级到英特尔的智能电压
制品
优化的高密度阻止
架构
一个16 KB的保护引导块
两个8 KB参数块
一个96 KB的主座
三128 KB主块
顶部或底部启动位置
扩展循环能力
100000块擦除周期
自动字字节写和块
抹去
命令的用户界面
状态寄存器
擦除挂起功能
SRAM兼容写接口
自动省电功能
1毫安典型I
CC
目前活跃在
静态工作
Y
极高性能的读取
60 80 120 ns最大访问时间
30 40 40 ns最大输出使能
时间
低功耗
20毫安典型的读操作工作电流
复位深度掉电输入
0 2
mA
I
CC
典型
作为复位的启动操作
扩展温度操作
b
40℃
a
85 C
写保护的引导块
硬件数据保护功能
擦除功率在写锁定
TRANSITIONS
行业标准的表面贴装
包装
28F400BX JEDEC兼容的ROM
44引脚PSOP
56引脚TSOP
28F004BX 40引脚TSOP
12V字字节写和块擦除
V
PP
e
12V
g
5 ％标准
V
PP
e
12V
g
10 ％期权
ETOX
TM
III闪存技术
5V阅读
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
其他品牌和名称是其各自所有者的财产
本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或
版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定
修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表
版权
英特尔公司1995年
1995年11月
订单号290451-005
28F400BX - T B 28F004BX - T B
Intel的4兆位闪存系列是引导块架构的扩展，其中包括块selec-
略去删除自动写入和擦除操作和标准微处理器接口的4兆位闪存
存储器系列增强了引导块架构通过添加更多的密度和块X8 X16的输入输出
把控制超高速低功耗的行业标准ROM兼容的引脚排列和表面贴装
包装的4兆位闪存系列是一个易于升级，从英特尔的2 - Mbit的引导块闪存系列
英特尔28F400BX -TB是16位宽的闪存产品，这些高密度快闪记忆体提供
对于无论是8位或16位应用程序的28F400BX - T和28F400BX - B是用户可选择的总线操作
组织为要么524 288字节4 194 304位的非易失性存储器或信息262 144字它们
提供44引脚塑料SOP和56引脚TSOP封装的X8 X16引脚排列符合行业
标准ROM EPROM引脚排列
英特尔28F004BX -TB与组织为524 288个字节的4 194 304位8位闪存
这些信息均提供40引脚TSOP封装，非常适合空间受限的便携式
系统
这些器件采用一个集成的命令用户界面（CUI ）和写状态机（ WSM ）的简化
字字节写和块擦除的28F400BX -T 28F004BX -T提供数据块的位置兼容
Intel的MCS- 186系列80286 I386
TM
i486
TM
i860
TM
和80960CA微处理器28F400BX -B
28F004BX -B提供与英特尔的80960KX和80960SX家庭的兼容性，以及其它嵌入式
微处理器
引导块包括数据保护功能，以保护关键应用有了启动代码
60 ns的最大访问时间这4兆位闪存器件是非常高的性能的存储器，
接口零等待状态，以广泛的微处理器和微控制器深掉电
模式降低了总V
CC
功率消耗为1
mW
这是手持式电池供电系统中的关键
对于使用3 3V电源极低功耗应用指的是英特尔28F400BL - TB 28F004BL - TB 4兆位
引导块闪存系列数据表
英特尔的0 8微米ETOX III工艺制造的4兆位闪存系列提供了世界一流的
在4兆比特密度级质量的可靠性和成本效益
2
28F400BX - T B 28F004BX - T B
请遵循以下准则，以确保兼容性
1将杜（ WP上SmartVoltage产品），以
的控制信号或到V
CC
或GND
2如果添加上V开关
PP
写保护
切换到GND为完整的写保护
3允许用于连接5V到V
PP
和断开
12V从V
PP
如果需要行
10
产品系列概述
在本数据表中的28F400BX指
两者28F400BX -T和28F400BX - B设备和
28F004BX同时指28F004BX -T和
28F004BX -B设备的4兆位闪存FAM-
随手同时指28F400BX和28F004BX的精良
UCTS该数据表包括规范
四个单独的产品在4兆比特的闪存
家庭第1提供了4兆位的概述
闪存系列包括引脚的应用
和引脚说明第2和第3描述了
详细的具体组织内存在
分别28F400BX和28F004BX产品
第4节结合了家庭的的说明
操作的原则。最后第5节介绍
家庭的操作规范
产品系列
X8 X16产品
28F400BX-T
28F400BX-B
X8仅产品
28F004BX-T
28F004BX-B
1 2主要特点
该28F400BX 28F004BX引导块闪存
家庭是一个非常高的性能4兆位（ 4 194 304
位）内存的家庭组织为任256 K字
每16位或512字节（ 262 144字）
（ 524 288字节）的每个8位
七分别可擦除块
包括
硬件可锁定引导块
（ 16 384字节）
2参数块
（ 8每192字节），
四大块
（ 1块98 304字节和3
131 072字节块）都包含在4兆位
家庭擦除操作擦除的主要原因之一
在通常2 4秒块和引导或纸张
在通常1 0秒独立rameter块
剩下的块中的每个块可以是indepen-
dently擦除和编程100万次
引导块
位于任一顶端
(28F400BX-T
28F004BX - T）或底部
在该地址的地图（ 28F400BX -B 28F004BX - B）的
为了适应不同的微处理器亲
母育酚的启动代码的位置
硬件locka-
BLE引导块
提供了最安全的代码stor-
年龄的引导块用于存储内核
需要引导，建立一个系统当代码
RP
引脚11 4V和6V 12引导块之间
是解锁，编程和擦除操作可
来执行当RP销处于或低于6 5V
引导块被锁定，编程和擦除OP-
操作，以引导块将被忽略
该28F400BX产品是在ROM可用
EPROM兼容的引脚排列和容纳在
44引脚PSOP （塑料小外形封装）封装，
56引脚TSOP （薄型小尺寸1毫米厚）
包在图3和图4中的所示
28F004BX产品在40引脚可用
TSOP （1毫米厚）包装，如图5
该
命令用户界面（CUI ）
作为
微处理器或单片机之间的接口
控制器和28F400BX的内部操作
和28F004BX闪存产品
1设计升级到
SmartVoltage产品
今天的高容量引导块产品上调
可分级英特尔SmartVoltage引导块的精良
UCTS提供编程和擦除操作电压为5V
或12V V
PP
而读操作电压为3V或5V V
CC
英特尔SmartVoltage引导块产品提供
以下增强功能，以引导块产品
本数据手册描述
1 ，DU销被替换为可湿性粉剂是提供一种手段
锁定和解锁逻辑引导块显
的NAL
2 5V编程擦除操作使用证明亲
克和擦除技术与5V
g
10 ％ AP-
合股到V
PP
3增强电路，在3 3V优化性能
V
CC
请参考2 4或8兆比特SmartVoltage引导块
闪存数据表的完整规格
系统蒸发散
当你设计采用12V V
PP
引导块产品
你应该提供的功能在你的DE-板
签署升级到SmartVoltage产品
3
28F400BX - T B 28F004BX - T B
编程和擦除自动化
允许程序
并用双执行擦除操作
写命令序列的崔内部
写状态机（ WSM ）自动执行
算法和必要的程序定时
和擦除操作，包括核查there-
通过unburdening微处理器或microcontrol-
内存数据写入LER在词或进行
为28F400BX家庭和一个字节一个字节的增量
增量为28F004BX家庭通常在
9
ms
这是一种改进的100％过电流
闪存产品
该
状态寄存器（ SR ）
显示的状态
WSM以及是否WSM顺利完成
所需的程序或擦除操作
最大访问时间
60纳秒（T
加
)
实现
在商用温度范围（ 0℃至
70℃ ） 5 ％V
CC
电源电压范围（ 4 75V至
5 25V ）和30 pF的输出负载的最大访问
时间
70纳秒（T
加
)
实现在商业用
CIAL温度范围10 ％V
CC
电源电压范围（ 5V 4
到5 5V）和100pF的输出负载
I
PP
最高纲领电流为40毫安X16
对于X8的操作我的操作和30mA
PP
抹去
电流为30 mA（最大值） V
PP
擦除和亲
编程电压为4V 11到12 6V （V
PP
e
12V
g
5 ％ ），在所有操作条件下，
作为选件
灰V
PP
也可以在10 8V至13 2V变化（V
PP
e
12V
g
10％）为100，保证数
块擦除周期
典型的我
CC
25毫安的工作电流
实现
对于X16产品（ 28F400BX ）
典型的我
CC
AC-
20毫安电流略去
实现为X8的精良
UCTS （ 28F400BX 28F004BX ）请参阅我
CC
活跃
本数据表的电流降额曲线
4兆位引导块闪存系列还
设计了自动省电（ APS ）
功能以减少系统的电池漏电流和
允许非常低的功耗设计一旦设备
被访问以读取阵列数据APS方式将时
diately把内存中运行的静态模式
在那里我
CC
有源电流典型1毫安直到
下一次读取启动
当CE和RP引脚在V
CC
和
BYTE引脚（ 28F400BX只）是在任V
CC
or
在GND
CMOS待机
模式被使能，其中
I
CC
通常
50
mA
A
深度掉电模式
启用时，
RP引脚为地降低功耗
并在上电期间提供写保护CON-
ditions
I
CC
当前
在深度掉电模式
is
0 20
mA
典型
的初始最大存取时间
或复位300 ns的时间从RP是必需的
切换到输出有效等价的
器件具有215纳秒最大的唤醒时间，直到
写入命令的用户界面是recog-
的发布当RP是在地面WSM是重置
状态寄存器被清零，而整个装置是
被写入此功能保护预
通风口数据损坏，保护存储的代码
在系统上电时器件复位系统复位
引脚可连接到RP重置内存去甲
发作时启动复位引脚的阅读模式
与片内程序擦除自动化的
4 - Mbit的家庭和亲数据的RP功能
tection当CPU被复位，即使一个程序
或擦除命令发出后，设备将不会市盈率
ognize任何操作，直到RP返回到其正常
状态
对于28F400BX字节宽度或字宽在 -
把输出控制
可以通过控制
BYTE引脚当BYTE引脚为逻辑低电平
该装置是在字节宽模式的（x8）和数据是
读取并通过DQ 0 7写在字节级
宽屏幕模式DQ 8月14日处于三态和DQ15 A-1
成为最低阶地址引脚当
BYTE引脚处于逻辑高的装置是在
字宽模式（ X16 ），数据被读取和写入
通过DQ 0 15
4
28F400BX - T B 28F004BX - T B
这增加了软件的复杂垫片
一个代码更新将被要求的概率
后PC在出厂时， 4兆位闪存
产品提供了一个廉价的解决方案更新
笔记本电脑和掌上个人电脑
同时延长其产品寿命。此外
4兆位闪存产品的掉电
模式提供了更大的灵活性，这些电池 -
操作需要操作便携式设计
在非常低的功率电平
4兆位闪存产品还提供EX-
用于数字蜂窝电话cellent设计解决方案
电信和切换应用程序重新
quiring高性能高密度存储capa-
相容性加上模块化的软件设计和
小外形封装（ X8仅总线）的
4兆位的拦截计划，允许容易段
的嵌入式代码心理状态为16千字节
硬件保护的引导代码4个主要模块
8 KB的程序代码和参数2块
每一个频繁更新的数据存储和diag-
NOSTIC信息（例如电话号码的所有授权
灰码）图2是这样一个应用程序的一个例子
阳离子与28F004BX -T
这些是宽范围的几个实际例子
为4兆位引导块闪存存储器的应用
储器家族，使系统设计人员实现
最好的产品设计只有你的想像力
化限制了这种多功能的产品的适用性
家庭
1 3应用
4兆位引导块闪存系列的COM
bines高密度高性能高性价比的
闪存与阻塞和硬件保护
化功能的灵活性和多功能性将重新
在整个产品生命周期的闪存领袖成本
内存非常适合刚刚在时间的生产流程再
ducing系统库存和成本，并消除
在生产阶段部件处理
在产品生命周期，当代码更新或
增强功能成为必要闪光
内存将允许EI-降低更新成本
疗法通过软盘用户进行代码更改
或通过串行链路的4兆位的远程代码变化
引导块闪存系列提供了完整的功能
灰堵塞适合广泛闪速存储器
的应用，这些应用包括范围
扩展PC的BIOS和ROM ，能够
应用
存储数字蜂窝电话的程序和数据
存储
电信
引导固件
打印 -
er
固件的字体存储和其他各种嵌入
DED应用程序既和保存数据
年龄要求
可重新编程的系统，如个人的COM
计算机都为4兆位闪存应用的理想选择
内存产品便携式和手持式个人
计算机的应用程序正变得越来越复杂
用加入了电源管理软件
利用最新的微处理器技的
术的基于ROM的应用程序的可用性
电子手写软件，手写板代码
和诊断代码图1示出的例子
一个28F400BX -T的应用
5
