EM640FP16系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
文档标题
256K X16位低功耗和低电压全CMOS静态RAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
历史
最初的草案
2'nd草案
3'rd草案
改变了国际商会ICC1值
改变了我
SB1
试验条件下，
改变了VDR & IDR
测量条件
草案日期
2002年10月24日
2002年11月11日
2002年12月23日
备注
初步
0.3
0.4
4'th草案
5'th草案
添加无铅部件编号
EM640FP16 ：
改变ICC2值
改变包装尺寸
2004年2月13日
2006年4月11日
新兴的内存&逻辑解决方案公司
IT创业大厦东区11楼， 78 Karac洞，松坡苦，首尔，韩国Rep.of邮编： 138-160
联系电话： + 82-2-2142-1759 1766传真： + 82-2-2142-1769 /主页： www.emlsi.com
通过EMLSI提供所附的说明书保留更改规格和产品的权利。 EMLSI会回答你的
有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系EMLSI办公室。
1
EM640FP16系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
A
最低
-0.5到2.5V
-0.3 2.5V
1.0
-40到85
单位
V
V
W
o
C
*
应力大于上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。功能能操作
ATION应限制在推荐的工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
会影响其可靠性。
功能说明
CS
1
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CS
2
X
L
X
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1-8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
I / O
9-16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
支持
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
3
EM640FP16系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
建议的直流工作条件
1)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
1.
2.
3.
4.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
1.65
0
1.4
-0.3
3)
典型值
1.8
0
-
-
最大
2.2
0
V
CC
+ 0.3
2)
0.4
单位
V
V
V
V
TA = -40 85
o
C，另有规定
过冲： V
CC
如果脉冲+1.0 V形槽宽度为20ns <
冲：如果脉冲-1.0 V形槽宽度为20ns <
过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
.
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25
o
C)
项
输入电容
输入/输出继电器容量
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
平均工作电流
I
CC2
输出低电压
输出高电压
V
OL
V
OH
周期时间=最小，我
IO
= 0毫安， 100 ％的关税，
CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
， LB = V
IL
或/和UB = V
IL
V
IN
=V
IL
或V
IH
I
OL
= 0.1毫安
I
OH
= -0.1mA
CS
1
＆ GT ; V
CC
-0.2V ， CS
2
＆ GT ; V
CC
-0.2V （ CS
1
控制）
或0V<CS
2
<0.2V （ CS
2
控制） ，
其他输入= 0 V
CC
（典型值条件：V
CC
=1.8V @ 25
o
C)
（最大条件：V
CC
=2.2V @ 85
o
C)
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS
1
=V
IH
， CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
或LB = UB = V
IH
V
IO
=V
SS
到V
CC
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
= WE = V
IH
, V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1
S， 100 ％的关税，我
LO
=0mA,
CS
1
<0.2V ， LB<0.2V或/和UB<0.2V ， CS
2
＆ GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
<0.2V或V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V
测试条件
民
-1
-1
-
-
典型值
-
-
-
-
最大
1
1
2
2
单位
uA
uA
mA
mA
-
-
1.4
-
-
-
15
0.2
-
mA
V
V
待机电流（ CMOS ）
I
SB1
LL
LF
-
1
5
uA
4
EM640FP16系列
低功耗， 256Kx16 SRAM
V
TM3)
R
12)
交流工作条件
测试条件（测试
加载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.2 VCC- 0.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 0.9V
输出负载（见右图） ： CL = 100pF电容+ 1 TTL
CL
1)
= 30pF的+ 1 TTL
1.包括范围和夹具电容
R
2
= 3150欧姆
2. R
1
= 3070欧姆
,
3. V
TM
=1.8V
CL
1)
R
22)
读周期
(V
cc
= 1.65 2.2V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB接取时间
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
co1,
t
co2
t
OE
t
BA
t
LZ1,
t
LZ2
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ1,
t
HZ2
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
70ns
民
70
-
-
-
最大
-
70
70
35
70
10
10
5
0
0
0
10
-
-
-
25
25
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
(V
cc
= 1.65 2.2V ， GND = 0V ，T
A
= -40
o
C至+ 85
o
C)
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
把脉冲宽度
写恢复时间
写信到输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW1,
t
CW2
t
As
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
70ns
民
70
60
0
60
60
55
0
0
30
0
5
-
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
