【直流分量CO 。， LTD 。RDXTD965分立半导体作者： NPN外延平面型晶体管技术规格描述】,IC型号DXTD965,DXTD965 PDF资料,DXTD965经销商,ic,电子元器件-51电子网

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直流分量CO 。， LTD 。

R

DXTD965

分立半导体

作者： NPN外延平面型晶体管技术规格

描述

设计用于音频输出放大器和闪光灯的使用。

SOT-89

钉扎

1 - 基地

2 =收藏家

3 =发射器

.066(1.70)

.059(1.50)

.063(1.60)

.055(1.40)

绝对最大额定值

(T

A

=25

o

C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（连续）

集电极电流（峰值PT = 10毫秒）

总功耗

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

C

P

D

T

J

T

英镑

等级

40

20

7

5

8

1.2

+150

-55到+150

单位

V

V

V

A

A

W

o

o

.167(4.25)

.159(4.05)

1

2

3

.102(2.60)

.095(2.40)

.020(0.51)

.014(0.36)

.060(1.52)

.058(1.48)

.120(3.04)

.117(2.96)

.181(4.60)

.173(4.40)

.016(0.41)

.014(0.35)

C

尺寸以英寸（毫米）

C

电气特性

o

特征

（在25℃环境温度额定值除非另有说明）

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

(1)

民

40

20

7

-

-

-

340

150

-

-

典型值

-

-

-

-

-

0.35

-

-

150

-

最大

-

-

-

0.1

0.1

1

800

-

-

50

单位

V

V

V

A

A

V

-

-

兆赫

pF

I

C

=1mA

测试条件

I

C

=100A

I

E

=10A

V

CB

=10V

V

EB

=7V

I

C

= 3A ，我

B

=0.1A

I

C

= 0.5A ，V

CE

=2V

I

C

= 2A ，V

CE

=2V

I

E

= 50mA时V

CE

=6V

V

CB

= 20V ， F = 1MHz的

集电极 - 基极击穿Volatge

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿Volatge

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流增益

(1)

跃迁频率

输出电容

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

V

CE （ SAT ）

h

FE1

h

FE2

f

T

C

ob

380μs ，占空比2 ％

分类h及

FE1

秩

范围

R

340~600

S

560~800

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