【EnnnnnnnDD28F032SA32兆位（ 2兆×16 ， 4 MBIT X 8 ）FlashF】,IC型号DD28F032SA-100,DD28F032SA-100 PDF资料,DD28F032SA-100经销商,ic,电子元器件-51电子网

DD28F032SA

32兆位（ 2兆×16 ， 4 MBIT X 8 ）

FlashFile 内存

革命性的架构

100 ％的向后兼容

英特尔28F016SA

流水线命令执行

程序在擦除

2毫安典型I

在静态模式

2 μA典型深度掉电

0.6微米ETOX IV闪存国家的最先进的

技术

用户可选的3.3V或5V V

用户可配置的x8或x16操作

70 ns的最大访问时间

28.6 MB /秒的突发写传输率

每座100万典型的擦除周期

56引脚， 1.2× 14 ×20mm的高级

双芯片TSOP封装技术

64独立带锁块

英特尔DD28F032SA 32兆位FlashFile 存储是一个革命性的架构使设计

真正的移动，高性能，个人计算和通信产品。凭借创新

能力，低功率操作和非常高的读/程序的性能， DD28F032SA也是理想

选择设计嵌入式大容量存储闪存系统。

该DD28F032SA是非常先进的包装创新的结果，封装了两个28F016SA

死在一个单一的双芯片薄型小尺寸封装（ DDTSOP ）。

该DD28F032SA是密度最高，为固性能最高的非易失性读/程序的解决方案

固态存储应用。其对称地封结构（ 100与28F016SA兼容％

16兆位FlashFile内存），非常高循环，低功耗的3.3V工作电压，速度非常快的程序和读

性能和选择性块锁定提供适合于高密度的一个高度灵活的存储器元件

存储卡，常驻闪存阵列和PCMCIA -ATA闪存驱动器。该DD28F032SA的双重读取电压

使的可以读/写在3.3V和互换记忆卡5.0V系统的设计。其

X8 / X16架构允许存储到处理器接口的优化。灵活的模块锁定选项

使可执行的应用软件捆绑在一个居民闪存阵列或存储卡。该

DD28F032SA将在英特尔0.6微米ETOX IV技术制造。

1996年12月

订单号： 290490-005

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F016SA可能包含设计缺陷或勘误表错误。当前勘误表可供索取。

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱7641

山展望， IL 60056-7641

或致电1-800-879- 4683

CG-041493

DD28F032SA

页面

6.0电气特性.................. 19

6.1绝对最大额定值........................ 19

6.2电容............................................... 20

6.3定时命名................................. 21

6.4直流特性（V

= 3.3V ± 0.3V) .....24

6.5直流特性（V

= 5.0V ± 0.5V) ....26

6.6交流只有特性 - 阅读

操作................................................. ..28

6.7上电和复位时序..................... 32

6.8交流特性WE＃ -Controlled

命令写操作......................... 33

6.9交流特性CE

＃ -Controlled

写操作.......................................... 37

6.10 AC特性页写缓冲

操作................................................. ..41

6.11擦除和字/字节编程

性能方面，自行车的性能和

暂停延迟......................................... 44

7.0降额曲线.................................... 45

8.0机械特性................ 47

附录A ：设备命名/

订购信息..................................... 48

附录B ：附加信息............... 49

1.0产品概述................................... 5

2.0器件的引脚............................................. 6

2.1铅说明........................................ 8

操作............................. 10 3.0模式

4.0存储器映射........................................... 11

4.1扩展状态寄存器内存映射... 12

5.0总线操作，命令和

状态寄存器定义................ 13

5.1总线操作的字宽银幕模式

（ BYTE ＃ = V

).............................................. 13

5.2总线操作的字节宽度模式

（ BYTE ＃ = V

) .............................................. 13

5.3 28F008SA兼容模式命令

总线定义............................................. 14

5.4 28F016SA ，性能增强

命令总线定义............................ 15

5.5兼容状态寄存器....................... 16

5.6全局状态寄存器............................... 17

5.7模块状态寄存器................................ 18

DD28F032SA

修订历史

描述

- 原始版本

-Never发布

- 全数据与规格

σCE

＃，CE

＃控制28F016SA 1号

σCE

＃，CE

＃控制28F016SA 2号

-DC特性（ 3.3V V

): I

CCR1

（ TTL ）： BYTE ＃ = V

或V

- 全片擦除时间（ 3.3V V

）= 51.2秒，典型值

- 全片擦除时间（ 5.0V V

）= 38.4秒，典型值

-section 6.7 ：新增规格吨

PHEL3

, t

PHEL5

-TSOP维A

为0.05毫米（分钟）

-Revised产品状态初步

—t

WHGL

（ 3.3V ） = 120纳秒

-Minor表面的改变

- 更新AC / DC参数

数

-001

-002

-003

-004

-005

DD28F032SA

这些新的命令和功能包括：

页面缓冲区写入闪存

命令队列功能

擦除过程中自动数据程序

内存块的软件锁定

两个字节的

系统

连续

节目

8-bit

1.0产品概述

该DD28F032SA是一款高性能的32 - Mbit的

（ 33554432位）的块擦除非易失性随机

作为组织或者2 Mword ×16访问存储器，

或4 MB的X 8. DD28F032SA是使用内置

2 28F016SA芯片封装在一个单一的

56-引脚TSOP I型包。该DD28F032SA

包括64 64 KB （ 65,536 ）块或六十

4个32千瓦（ 32,768 ）块。

该DD28F032SA架构允许业务

要在一个单一的， 16兆位芯片在执行

时间。

新架构的实施，与

许多增强的功能，将提高该设备

工作在更高的特点和效果

产品的可靠性和易用性。

其中对在显著增强

DD28F032SA ：

3.3V低功耗性能

提高程序性能

座专用编程/擦除保护

一个3/5 ＃输入引脚重新配置内部设备

优化3.3V或5.0V的读取/编程

操作。

该DD28F032SA将在一个56引脚，

厚1.2毫米， 14毫米×20mm的双芯片TSOP

I型包。这种外形和引脚允许

非常高的电路板布局密度。该

DD28F032SA的引脚排列和占位面积兼容

与28F016SA 。

两个命令的用户界面（ CUI）作为

微处理器之间或系统接口

微控制器和所述内部存储器的操作。

内部算法自动允许字/字节

程序和块擦除操作是

使用双写的命令序列，以执行

以同样的方式作为28F016SA在CUI

16兆位FlashFile存储器。

一个超集命令已被添加到该

基本28F008SA （ 8兆位FlashFile存储器）

指令集来实现更高的程序

性能和提供更多的功能。

删除所有块解锁

这些操作可以仅在一个执行

16兆位器件的时间。如果WSM忙

执行操作时，系统不应

试图选择另一个设备。

在任一字节进行内存数据写入

通常在6 μs或字为单位， 33％

改进的28F008SA 。块擦除

操作擦除的64块之一的典型

0.6秒，独立于其他块，这是

一个改进了28F008SA 65％。

每个块可以被写入和擦除的最小

10万次。系统通常可以达到

百万块擦除周期提供耐磨损

均衡算法和优美块的退休生活。

这些技术已经被应用在

许多闪存文件系统。此外，损耗均衡

块的擦除周期可以用来最小化

跨编程/擦除性能差异

块。

该DD28F032SA集成了两个页面缓冲器

256字节（ 128字）上的每个28F016SA到

让网页数据的程序。这个功能可以

提高最多的系统程序性能

的4.8倍以上以前的快闪存储器装置。

所有操作都通过序列开始

命令写入到设备。三种状态

寄存器（稍后详细描述）和一个RY / BY＃

输出引脚提供的进度信息

请求的操作。

该DD28F032SA允许的下一个排队

而内存执行当前操作

操作。这消除了系统开销时

在连续写几个字节的数组或

擦除多个块在同一时间。该

DD28F032SA还可以执行程序

操作一个内存块，而

执行擦除另一个块。不过，

同时程序和/或擦除操作

不允许两个28F016SA设备上。看

工作模式，第3.0节。

DD28F032SA

32兆位（ 2兆×16 ， 4 MBIT X 8 ）

FlashFile 内存

革命性的架构

100 ％的向后兼容

英特尔28F016SA

流水线命令执行

程序在擦除

2毫安典型I

在静态模式

2 μA典型深度掉电

0.6微米ETOX IV闪存国家的最先进的

技术

用户可选的3.3V或5V V

用户可配置的x8或x16操作

70 ns的最大访问时间

28.6 MB /秒的突发写传输率

每座100万典型的擦除周期

56引脚， 1.2× 14 ×20mm的高级

双芯片TSOP封装技术

64独立带锁块

英特尔DD28F032SA 32兆位FlashFile 存储是一个革命性的架构使设计

真正的移动，高性能，个人计算和通信产品。凭借创新

能力，低功率操作和非常高的读/程序的性能， DD28F032SA也是理想

选择设计嵌入式大容量存储闪存系统。

该DD28F032SA是非常先进的包装创新的结果，封装了两个28F016SA

死在一个单一的双芯片薄型小尺寸封装（ DDTSOP ）。

该DD28F032SA是密度最高，为固性能最高的非易失性读/程序的解决方案

固态存储应用。其对称地封结构（ 100与28F016SA兼容％

16兆位FlashFile内存），非常高循环，低功耗的3.3V工作电压，速度非常快的程序和读

性能和选择性块锁定提供适合于高密度的一个高度灵活的存储器元件

存储卡，常驻闪存阵列和PCMCIA -ATA闪存驱动器。该DD28F032SA的双重读取电压

使的可以读/写在3.3V和互换记忆卡5.0V系统的设计。其

X8 / X16架构允许存储到处理器接口的优化。灵活的模块锁定选项

使可执行的应用软件捆绑在一个居民闪存阵列或存储卡。该

DD28F032SA将在英特尔0.6微米ETOX IV技术制造。

1996年12月

订单号： 290490-005

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F016SA可能包含设计缺陷或勘误表错误。当前勘误表可供索取。

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱7641

山展望， IL 60056-7641

或致电1-800-879- 4683

CG-041493

DD28F032SA

页面

6.0电气特性.................. 19

6.1绝对最大额定值........................ 19

6.2电容............................................... 20

6.3定时命名................................. 21

6.4直流特性（V

= 3.3V ± 0.3V) .....24

6.5直流特性（V

= 5.0V ± 0.5V) ....26

6.6交流只有特性 - 阅读

操作................................................. ..28

6.7上电和复位时序..................... 32

6.8交流特性WE＃ -Controlled

命令写操作......................... 33

6.9交流特性CE

＃ -Controlled

写操作.......................................... 37

6.10 AC特性页写缓冲

操作................................................. ..41

6.11擦除和字/字节编程

性能方面，自行车的性能和

暂停延迟......................................... 44

7.0降额曲线.................................... 45

8.0机械特性................ 47

附录A ：设备命名/

订购信息..................................... 48

附录B ：附加信息............... 49

1.0产品概述................................... 5

2.0器件的引脚............................................. 6

2.1铅说明........................................ 8

操作............................. 10 3.0模式

4.0存储器映射........................................... 11

4.1扩展状态寄存器内存映射... 12

5.0总线操作，命令和

状态寄存器定义................ 13

5.1总线操作的字宽银幕模式

（ BYTE ＃ = V

).............................................. 13

5.2总线操作的字节宽度模式

（ BYTE ＃ = V

) .............................................. 13

5.3 28F008SA兼容模式命令

总线定义............................................. 14

5.4 28F016SA ，性能增强

命令总线定义............................ 15

5.5兼容状态寄存器....................... 16

5.6全局状态寄存器............................... 17

5.7模块状态寄存器................................ 18

DD28F032SA

修订历史

描述

- 原始版本

-Never发布

- 全数据与规格

σCE

＃，CE

＃控制28F016SA 1号

σCE

＃，CE

＃控制28F016SA 2号

-DC特性（ 3.3V V

): I

CCR1

（ TTL ）： BYTE ＃ = V

或V

- 全片擦除时间（ 3.3V V

）= 51.2秒，典型值

- 全片擦除时间（ 5.0V V

）= 38.4秒，典型值

-section 6.7 ：新增规格吨

PHEL3

, t

PHEL5

-TSOP维A

为0.05毫米（分钟）

-Revised产品状态初步

—t

WHGL

（ 3.3V ） = 120纳秒

-Minor表面的改变

- 更新AC / DC参数

数

-001

-002

-003

-004

-005

DD28F032SA

这些新的命令和功能包括：

页面缓冲区写入闪存

命令队列功能

擦除过程中自动数据程序

内存块的软件锁定

两个字节的

系统

连续

节目

8-bit

1.0产品概述

该DD28F032SA是一款高性能的32 - Mbit的

（ 33554432位）的块擦除非易失性随机

作为组织或者2 Mword ×16访问存储器，

或4 MB的X 8. DD28F032SA是使用内置

2 28F016SA芯片封装在一个单一的

56-引脚TSOP I型包。该DD28F032SA

包括64 64 KB （ 65,536 ）块或六十

4个32千瓦（ 32,768 ）块。

该DD28F032SA架构允许业务

要在一个单一的， 16兆位芯片在执行

时间。

新架构的实施，与

许多增强的功能，将提高该设备

工作在更高的特点和效果

产品的可靠性和易用性。

其中对在显著增强

DD28F032SA ：

3.3V低功耗性能

提高程序性能

座专用编程/擦除保护

一个3/5 ＃输入引脚重新配置内部设备

优化3.3V或5.0V的读取/编程

操作。

该DD28F032SA将在一个56引脚，

厚1.2毫米， 14毫米×20mm的双芯片TSOP

I型包。这种外形和引脚允许

非常高的电路板布局密度。该

DD28F032SA的引脚排列和占位面积兼容

与28F016SA 。

两个命令的用户界面（ CUI）作为

微处理器之间或系统接口

微控制器和所述内部存储器的操作。

内部算法自动允许字/字节

程序和块擦除操作是

使用双写的命令序列，以执行

以同样的方式作为28F016SA在CUI

16兆位FlashFile存储器。

一个超集命令已被添加到该

基本28F008SA （ 8兆位FlashFile存储器）

指令集来实现更高的程序

性能和提供更多的功能。

删除所有块解锁

这些操作可以仅在一个执行

16兆位器件的时间。如果WSM忙

执行操作时，系统不应

试图选择另一个设备。

在任一字节进行内存数据写入

通常在6 μs或字为单位， 33％

改进的28F008SA 。块擦除

操作擦除的64块之一的典型

0.6秒，独立于其他块，这是

一个改进了28F008SA 65％。

每个块可以被写入和擦除的最小

10万次。系统通常可以达到

百万块擦除周期提供耐磨损

均衡算法和优美块的退休生活。

这些技术已经被应用在

许多闪存文件系统。此外，损耗均衡

块的擦除周期可以用来最小化

跨编程/擦除性能差异

块。

该DD28F032SA集成了两个页面缓冲器

256字节（ 128字）上的每个28F016SA到

让网页数据的程序。这个功能可以

提高最多的系统程序性能

的4.8倍以上以前的快闪存储器装置。

所有操作都通过序列开始

命令写入到设备。三种状态

寄存器（稍后详细描述）和一个RY / BY＃

输出引脚提供的进度信息

请求的操作。

该DD28F032SA允许的下一个排队

而内存执行当前操作

操作。这消除了系统开销时

在连续写几个字节的数组或

擦除多个块在同一时间。该

DD28F032SA还可以执行程序

操作一个内存块，而

执行擦除另一个块。不过，

同时程序和/或擦除操作

不允许两个28F016SA设备上。看

工作模式，第3.0节。