【直流分量CO 。， LTD 。RDXTD882分立半导体作者： NPN外延平面型晶体管技术规格描述】,IC型号DXTD882,DXTD882 PDF资料,DXTD882经销商,ic,电子元器件-51电子网

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直流分量CO 。， LTD 。

R

DXTD882

分立半导体

作者： NPN外延平面型晶体管技术规格

描述

设计为0.75W音频输出级，

电压调节器，和继电器驱动器。

SOT-89

.066(1.70)

.059(1.50)

.063(1.60)

.055(1.40)

钉扎

1 - 基地

2 =收藏家

3 =发射器

.167(4.25)

.159(4.05)

.102(2.60)

.095(2.40)

1

2

3

绝对最大额定值

(T

A

=25

o

C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

J

T

英镑

等级

40

30

5

3

1.5

+150

-55到+150

单位

V

V

V

A

W

o

C

o

C

.020(0.51)

.014(0.36)

.060(1.52)

.058(1.48)

.120(3.04)

.117(2.96)

.181(4.60)

.173(4.40)

.016(0.41)

.014(0.35)

尺寸以英寸（毫米）

电气特性

o

特征

（在25℃环境温度额定值除非另有说明）

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

h

FE1

h

FE2

f

T

C

ob

380μs ，占空比

2%

(1)

民

40

30

5

-

-

-

-

30

100

-

-

典型值

-

-

-

-

-

-

-

-

-

90

45

最大

-

-

-

1

1

0.5

2

-

500

-

-

单位

V

V

V

A

A

V

V

-

-

兆赫

pF

测试条件

I

C

= 100μA ，我

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 10μA ，我

C

=0

V

CB

= 30V ，我

E

=0

V

EB

= 3V ，我

B

=0

I

C

= 2A ，我

B

=0.2A

I

C

= 2A ，我

B

=0.2A

I

C

= 20mA时， V

CE

=2V

I

C

= 1A ，V

CE

=2V

I

C

= 0.1A ，V

CE

= 5V ， F = 100MHz的

V

CB

= 10V ， F = 1MHz时，我

E

=0

集电极 - 基极击穿Volatge

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿Volatge

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

(1)

基射极饱和电压

直流电流增益

(1)

跃迁频率

输出电容

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

分类h及

FE2

秩

范围

Q

100~200

P

160~320

E

250~500

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