DMP2004DMK
双P沟道增强型场效应晶体管
特点
双P沟道MOSFET
低导通电阻
非常低栅极阈值电压V
GS （ TH）
＆ LT ; 1V
低输入电容
开关速度快
低输入/输出泄漏
铅的设计免费/符合RoHS （注2 ）
ESD保护门
"Green"设备（注3）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
SOT-26
新产品
案例： SOT- 26
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：完成
雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息：见第3页
订购信息：见第3页
重量：0.015克数（近似值）
D
2
G
1
S
1
ESD保护
顶视图
S
2
G
2
D
1
顶视图
内部原理
最大额定值
漏源电压
栅源电压
漏电流（注1 ）
漏电流脉冲
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
价值
-20
±8
-550
-1.9
单位
V
V
mA
A
特征
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
θ
JA
T
j,
T
英镑
价值
500
250
-55到+150
单位
mW
° C / W
°C
特征
总功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
工作和存储温度范围
电气特性
特征
开关特性（注4 ）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
基本特征（注4 ）
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
二极管的正向电压（注4 ）
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
注意事项：
1.
2.
3.
4.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
DSS
IDSS
民
-20
-0.5
200
-0.5
典型值
0.7
1.1
1.7
最大
-1.0
±1.0
-1.0
0.9
1.4
2.0
-1.2
175
30
20
单位
V
μA
μA
V
Ω
mS
V
pF
pF
pF
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
= -250mA
V
DS
= -20V, V
GS
= 0V
V
GS
=
±4.5V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -430mA
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -300mA
V
GS
= -1.8V ，我
D
= -150mA
V
DS
= 10V ，我
D
= -0.2A
V
GS
= 0V时，我
S
= 115毫安
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
VB
SD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
设备安装在FR- 4 PCB 。
没有故意添加铅。
二极管公司的“绿色”政策，可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
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文件编号： DS30939修订版3 - 2
1 4
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Diodes公司
DMP2004DMK
新产品
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 7静态漏源导通电阻
- 环境温度
-I
D
，漏电流（ A）
图。 9正向转移导纳主场迎战漏电流
-V
DS
，漏源电压（V ）
图。 10典型电容
订购信息
产品型号
DMP2004DMK-7
注意事项：
（注5 ）
例
SOT-26
包装
3000 /磁带&卷轴
5.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
D
2
G
1
S
1
PAB YM
S
2
G
2
D
1
USD =标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： U = 2007
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2007
U
FEB
2
MAR
3
2008
V
APR
4
五月
5
2009
W
JUN
6
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
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DMP2004DMK
包装外形尺寸
A
顶视图
B C
新产品
H
K
M
J
D
F
L
SOT-26
朦胧最小值最大值典型值
A
0.35 0.50 0.38
B
1.50 1.70 1.60
C
2.70 3.00 2.80
D
0.95
F
0.55
H
2.90 3.10 3.00
J
0.013 0.10 0.05
K
1.00 1.30 1.10
L
0.35 0.55 0.40
M
0.10 0.20 0.15
0°
8°
α
尺寸：mm
拟议的焊盘布局
E
E
Z
G
C
尺寸值（单位：mm）
Z
3.20
G
1.60
X
0.55
Y
0.80
C
2.40
E
0.95
Y
X
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
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