D
www.daysemi.jp
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 3 A，V
GS
= 0 V
- 0.75
27
16
12
15
T
C
= 25 °C
- 4.1
- 60
- 1.2
45
27
A
V
ns
nC
ns
b
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 25 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
- 10 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 8 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
分钟。
- 30
典型值。
马克斯。
单位
V
- 34
5.3
- 1.4
- 2.5
± 100
-1
-5
- 30
0.010
0.0165
28
2550
0.0125
0.0205
毫伏/
°C
V
nA
A
A
Ω
S
V
DS
= - 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 10 A
F = 1 MHz的
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 1.5
Ω
I
D
- 10 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
0.5
455
390
57
29.5
8
22
2.2
13
12
40
9
48
4.4
25
24
70
18
80
160
60
35
86
45
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 1.5
Ω
I
D
- 10 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
92
34
19
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2
D
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MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
17.0
13.6
I
D
- 漏电流（ A）
10.2
6.8
3.4
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
6.0
2.0
4.8
1.6
功率（W）的
3.6
功率（W）的
0
1.2
2.4
0.8
1.2
0.4
0.0
25
50
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
动力方面，结到脚
功率降额，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
V
GS （ TH）
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
漏源导通电阻
a
正向跨导
a
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
栅极电阻
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
导通延迟时间
上升时间
关断DelayTime
下降时间
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向电流
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
反向恢复下降时间
反向恢复上升时间
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
a
t
b
I
F
= - 10 A， di / dt的= 100 A / μs的，T
J
= 25 °C
I
S
= - 3 A，V
GS
= 0 V
- 0.75
27
16
12
15
T
C
= 25 °C
- 4.1
- 60
- 1.2
45
27
A
V
ns
nC
ns
b
DTU15P03
符号
V
DS
ΔV
DS
/T
J
ΔV
GS （ TH）
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 A
I
D
= - 250 A
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 A
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 25 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 °C
V
DS
≥
- 10 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 8 A
V
DS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
分钟。
- 30
典型值。
马克斯。
单位
V
- 34
5.3
- 1.4
- 2.5
± 100
-1
-5
- 30
0.032
0 .065
28
2550
0.043
0.07
毫伏/
°C
V
nA
A
A
Ω
S
V
DS
= - 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
V
DS
= - 15 V, V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 10 A
F = 1 MHz的
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 1.5
Ω
I
D
- 10 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 1
Ω
0.5
455
390
57
29.5
8
22
2.2
13
12
40
9
48
4.4
25
24
70
18
80
160
60
35
86
45
pF
nC
Ω
ns
V
DD
= - 15 V ，R
L
= 1.5
Ω
I
D
- 10 A，V
根
= - 4.5 V ，R
g
= 1
Ω
92
34
19
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
≤
300微秒，占空比
≤
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
2
MOSFET的典型特征
25 ℃，除非另有说明
17.0
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DTU15P03
13.6
I
D
- 漏电流（ A）
10.2
6.8
3.4
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
电流降额*
6.0
2.0
4.8
1.6
功率（W）的
3.6
功率（W）的
0
50
1.2
2.4
0.8
1.2
0.4
0.0
25
75
100
125
150
0.0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度（ ° C）
T
A
- 环境温度（ ° C）
动力方面，结到脚
功率降额，结到环境
*功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在解决上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
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