【对产品线Diodes公司DMN4034SSD40V双N沟道增强型MOSFET超前信息产品概述V（ B】,IC型号DMN4034SSD,DMN4034SSD PDF资料,DMN4034SSD经销商,ic,电子元器件-51电子网

对产品线

Diodes公司

DMN4034SSD

40V双N沟道增强型MOSFET

超前信息

产品概述

（ BR ） DSS

DS （ ON）

34mΩ @ V

= 10V

40V

59mΩ @ V

= 4.5V

4.8A

= 25°C

6.3A

特点和优点

低导通电阻

开关速度快

“绿色”成分，并符合RoHS标准（注1 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

机械数据

说明与应用

这种MOSFET的设计，以减少通态电阻

并同时保持出色的开关性能，使其成为理想的

高效率的电源管理应用。

电机控制

背光

DC- DC转换器

电源管理功能

案例： SO- 8

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料。 UL

可燃性分类额定值94V- 0 （注1 ）

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端连接：下面请参阅图

码头：完成 - 雾锡比退火铜引线框架。

每MIL -STD- 202方法208

重量： 0.074克（近似值）

SO-8

顶视图

等效电路

订购信息

产品

DMN4034SSD-13

注意：

（注1 ）

记号

N4034SD

卷尺寸（英寸）

胶带宽度（mm）

QUANTITY每卷

2,500

1. Diodes公司将“绿色”产品为那些符合RoHS标准，不含卤素和锑化合物;有关更多信息，

二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到。用于包装的详细信息，请访问我们的网站。

标识信息

N4034SD

=制造商的标志

N4034SD =产品型号标识代码

YYWW =日期代码标

YY =年（例如： 09 = 2009）

WW =周（ 01-53 ）

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1第8

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超前信息

最大额定值

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

= 25 ° C除非另有说明

符号

DSS

价值

±20

6.3

5.0

4.8

24.8

3.3

24.8

单位

特征

（注2 ）

（注4 ）

= 70 ° C（注4 ）

（注3）

（注5 ）

（注4 ）

（注5 ）

= 10V

漏电流脉冲

= 10V

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

热特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

（注3 & 6 ）

功耗

线性降额因子

（注3 & 7 ）

（注4 & 6 ）

热阻，结到环境

热阻，结领导

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

（注3 & 6 ）

（注3 & 7 ）

（注4 & 6 ）

（注6 & 8 ）

, T

英镑

价值

1.25

10.0

1.80

14.3

2.14

17.2

100

-55到150

单位

毫瓦/°C的

° C / W

°C

2， AEC - Q101 V

最大的是

±16V.

3.对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的X 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件;该装置是

在稳态条件下测量的操作时。

4.同注（3 ），除了该装置测量在t

≤

10秒。

5.同注（3 ），除了该装置是脉冲的以D = 0.02和脉宽300微秒。该脉冲电流由最大结温限制。

6.对于一个有源芯片双通道器件。

7.对于以相等的功率两种活性模具运行的装置。

从结点到焊接点8，热敏电阻（在漏极引线的端部）。

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超前信息

热特性

漏电流（ A）

100ms

10ms

1ms

100s

最大功耗（ W）

DS （ ON）

有限

100m

10m

100m

单脉冲

AMB

=25°C

一个活动模

漏源极电压（ V）

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

两个有源芯片

一个活动模

100 120 140 160

温度（℃）

安全工作区

110

AMB

=25°C

100

一个活动模

D=0.5

单脉冲

D=0.2

D=0.05

D=0.1

100 1m 10m 100m 1

100

降额曲线

热阻（ ° C / W）

最大功率（W）的

100

单脉冲

AMB

=25°C

一个活动模

100

10m 100m

100

脉冲宽度（S ）

瞬态热阻抗

脉冲功率耗散

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电气特性

= 25 ° C除非另有说明

特征

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅源漏

基本特征

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻（注9 ）

正向跨导（注9 & 10 ）

二极管的正向电压（注9 ）

反向恢复时间（注10 ）

反向恢复电荷（注10 ）

动态特性（注10 ）

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷（注11 ）

门源费（注11 ）

栅 - 漏极电荷（注11 ）

导通延迟时间（注11 ）

导通上升时间（注11 ）

关断延迟时间（注11 ）

关断下降时间（注11 ）

注意事项：

符号

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

民

1.0

典型值

0.023

0.039

20.5

0.87

11.2

4.8

453

79.1

40.5

4.9

1.8

2.4

2.7

最大

0.5

±100

3.0

0.034

0.059

1.1

单位

μA

测试条件

= 250μA ，V

= 0V

= 40V, V

= 0V

±20V,

= 0V

= 250μA ，V

= V

= 10V ，我

= 6A

= 4.5V ，我

= 5A

= 15V ，我

= 6A

= 6A ，V

= 0V

= 2的di / dt = 100A / μs的

= 20V, V

= 0V

F = 1MHz的

= 4.5V

= 10V

= 20V

= 6A

= 20V, V

= 10V

= 1A ，R

6.0Ω

脉冲条件下9.进行测定。脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

10.辅助设计只，不受生产测试。

11.开关特性是独立的工作结点温度。

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典型特征

中T = 25℃

10V

4.5V

T = 150℃

10V

3.5V

漏电流（ A）

3.5V

漏电流（ A）

2.5V

0.1

0.01

0.1

0.01

漏源极电压（ V）

0.1

漏源极电压（ V）

输出特性

1.6

输出特性

归一化

DS （ ON）

和V

GS （ TH）

= 10V

漏电流（ A）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-50

= 12A

DS （ ON）

T = 150℃

中T = 25℃

0.1

0.01

= V

= 250uA

GS （ TH）

1E-3

典型的传输特性

DS （ ON）

漏源导通电阻（

)

中T = 25℃

3.5V

栅源电压（ V）

TJ结温（ ° C）

100

150

归一化曲线V温度

反向漏电流（ A）

T = 150℃

中T = 25℃

0.1

4.5V

10V

0.1

VGS = 0V

0.01

0.1

导通电阻V漏极电流

漏电流（ A）

0.01

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

源极 - 漏极电压（ V）

源极 - 漏极二极管正向电压

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一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市华斯顿电子科技有限公司

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联系人：李

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