订购数量： EN1877C
硅平面型
DTC8-N
8A双向晶闸管
特点
峰值断态电压： 200 600V
RMS通态电流： 8A
TO- 220封装。
绝对最大额定值
在TA = 25℃
重复峰值
OFF- StateVoltage
RMS通态电流
浪涌通态电流
安培平方秒
栅极峰值功耗
平均门功耗
栅极峰值电流
峰值栅极电压
结温
Strage温度
Weght
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
∫
i
2
·T· DT
P
GM
P
G（ AV ）
I
GM
V
GM
Tj
TSTG
锝= 105 ℃时，单相
全波
峰值1个周期，50赫兹
1ms≤t≤10ms
f≥50Hz ， duty≤10 ％
f≥50Hz ， duty≤10 ％
f≥50Hz ， duty≤10 ％
DTC8C -N DTC8E -N
200
400
→
→
→
→
→
→
→
→
→
民
→
DTC8G -N单元
600 V
8
A
A
A
2
s
W
W
A
V
°C
°C
g
单位
mA
V
V / μs的
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
° C / W
→
80
→
32
→
5
→
0.5
→
±2
→
±10
→
125
→
-40到+125
→
1.8
典型值
最大
2
电气特性
在TA = 25℃
重复峰值
FF-态电流
峰值通态电压
的临界上升率
断态电压
保持电流
门极触发电流* （ I）
(II)
(III)
（ⅳ）
门极触发电压* （ I）
(II)
(III)
（ⅳ）
门Nontrigger电压
热阻
I
DRM
V
TM
dv / dt的
I
H
I
GT
I
GT
I
GT
I
GT
V
GT
V
GT
V
GT
V
GT
V
GD
RTH （J -C ）
TJ = 125°C ， VD = V
DRM
*：该栅极触发模式如下所示。
触发模式
I
II
III
IV
T2
+
+
–
–
T1
–
–
+
+
G
+
–
+
–
I
TM
=12A
1.5
TJ = 125°C ，V
D
= 200V （ C）
10
400V （ E至G）
R
L
=100
50
V
D
= 12V ，R
L
=20
30
V
D
= 12V ，R
L
=20
30
V
D
= 12V ，R
L
=20
50
V
D
= 12V ，R
L
=20
30
V
D
= 12V ，R
L
=20
2
V
D
= 12V ，R
L
=20
2
V
D
= 12V ，R
L
=20
2
V
D
= 12V ，R
L
=20
2
TC = 125°C ，V
D
=V
DRM
0.2
结和的情况下， AC间
2
包装尺寸
1155A
（单位：毫米）
三洋电机有限公司。半导体公司经营业务总部
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京，日本110
O0797GI / 3109MO ， TS No.1877-1 / 3
DTC8-N
门极触发电流，I
GT
– V
外壳温度，TC - C
瞬态热阻抗，的Rth （J -C ） - ° C / W
保持电流，我
H
- 毫安
外壳温度，TC - C
时间t - MS
I
GT
（ TW ） / I
GT
– %
门极触发脉冲宽度，总重量 - 微秒
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No.1877-3/3
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