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直流分量CO 。 , LTD 。
R
DMBT9013
分立半导体
作者: NPN外延平面型晶体管技术规格
描述
专为低频放大器应用。
SOT-23
钉扎
1 - 基地
2 - 发射极
3 - 集电极
1
3
.020(0.50)
.012(0.30)
.063(1.60)
.055(1.40)
.108(0.65)
.089(0.25)
2
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
等级
40
20
5
500
225
+150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
o
o
.026(0.65)
.010(0.25)
.091(2.30)
.067(1.70)
.118(3.00)
.110(2.80)
.045(1.15)
.034(0.85)
.051(1.30)
.035(0.90)
.0043(0.11)
.0035(0.09)
C
.004
最大
(0.10)
.027(0.67)
.013(0.32)
C
尺寸以英寸(毫米)
电动
o
特征
特征
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
(1)
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
(1)
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
40
20
5
-
-
-
-
120
40
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
0.1
0.6
1.2
350
-
单位
V
V
V
A
A
V
V
-
-
测试条件
I
C
= 100μA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 100μA ,我
C
=0
V
CB
= 25V ,我
E
=0
V
EB
= 3V ,我
C
=0
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
I
C
= 50mA时V
CE
=1V
I
C
= 500毫安,V
CE
=1V
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE1
h
FE2
380μs ,占空比
分类h及
FE1
范围
L
120~200
H
200~350
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GC
21+
6700
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地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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√ 欧美㊣品
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