DTC115GUA / DTC115GKA / DTC115GSA
晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTC115GUA / DTC115GKA / DTC115GSA
特点
1 ）内置偏置电阻组成的薄膜电阻器
完全隔离，允许输入的正面偏置和
寄生效应几乎完全消除。
2）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使装置的设计容易。
3 ）更高的安装密度可以实现。
外形尺寸
（单位：毫米）
0.65 0.65
0.7
0.8
0
~
0.1
DTC115GUA
0.3
(3)
(1)
1.25
2.1
0.15
0.2
(2)
0.1Min.
0~0.1
每根导线具有相同的尺寸
等效电路
B
R
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
C
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
(1)
DTC115GKA
0.4
E：发射器
C：收藏家
B：基本
0.15
(3)
1.6
2.8
(2)
E
0.3Min.
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极voltag
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
DTA115GUA / DTA115GKA
DTA115GSA
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
200
300
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
2
DTC115GSA
3
4
结温
储存温度
(15Min.)
3Min.
0.45
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
DTC115GUA
UMT3
K29
T106
3000
DTC115GKA
SMT3
K29
T146
3000
DTC115GSA
SPT
TP
5000
2.5
5
(1) (2) (3)
0.5 0.45
大坪规格
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿voltag
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
发射极 - 基极电阻
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
f
T
分钟。
50
50
5
30
82
70
典型值。
100
250
马克斯。
0.5
58
0.3
130
单位
V
V
V
A
A
V
k
兆赫
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=72A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
=5mA,
I
B
=0.25mA
I
C
=5mA,
V
CE
=5V
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
条件
跃迁频率
过渡
频设备。
Rev.A的
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.9
1.3
2.0
1/2
DTC115GUA / DTC115GKA / DTC115GSA
晶体管
电气特性曲线
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1k
500
输出电流： LO
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
10
Ta=100°C
Ta=25°C
Ta=40°C
V
CE
=
5V
Ta=100°C
Ta=25°C
Ta
= 40°C
l
C
/l
B
=20/1
200
100
50
20
10
5
2
1
10
20
50 100 200 500 1m
2m
5m 10m
20
50 100 200 500 1m
2m
5m 10m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流传输比主场迎战
集电极电流特性
图2集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流特性
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
DTC115GUA / DTC115GKA / DTC115GSA
晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTC115GUA / DTC115GKA / DTC115GSA
特点
1 ）内置偏置电阻组成的薄膜电阻器
完全隔离，允许输入的正面偏置和
寄生效应几乎完全消除。
2）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使装置的设计容易。
3 ）更高的安装密度可以实现。
外形尺寸
（单位：毫米）
0.65 0.65
0.7
0.8
0
~
0.1
DTC115GUA
0.3
(3)
(1)
1.25
2.1
0.15
0.2
(2)
0.1Min.
0~0.1
每根导线具有相同的尺寸
等效电路
B
R
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
C
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
(1)
DTC115GKA
0.4
E：发射器
C：收藏家
B：基本
0.15
(3)
1.6
2.8
(2)
E
0.3Min.
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极voltag
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电源
耗散
DTA115GUA / DTA115GKA
DTA115GSA
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
Pc
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
200
300
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1 ）发光体
（2）相应的
（ 3 ）集电极
2
DTC115GSA
3
4
结温
储存温度
(15Min.)
3Min.
0.45
包装，标志和包装规格
TYPE
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
DTC115GUA
UMT3
K29
T106
3000
DTC115GKA
SMT3
K29
T146
3000
DTC115GSA
SPT
TP
5000
2.5
5
(1) (2) (3)
0.5 0.45
大坪规格
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
（1 ）发光体
（ 2 ）集电极
（3 ）基
电气特性
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿voltag
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
发射极 - 基极电阻
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
f
T
分钟。
50
50
5
30
82
70
典型值。
100
250
马克斯。
0.5
58
0.3
130
单位
V
V
V
A
A
V
k
兆赫
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=72A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
I
C
=5mA,
I
B
=0.25mA
I
C
=5mA,
V
CE
=5V
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
条件
跃迁频率
过渡
频设备。
Rev.A的
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
0.9
1.3
2.0
1/2
DTC115GUA / DTC115GKA / DTC115GSA
晶体管
电气特性曲线
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
1k
500
输出电流： LO
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
10
Ta=100°C
Ta=25°C
Ta=40°C
V
CE
=
5V
Ta=100°C
Ta=25°C
Ta
= 40°C
l
C
/l
B
=20/1
200
100
50
20
10
5
2
1
10
20
50 100 200 500 1m
2m
5m 10m
20
50 100 200 500 1m
2m
5m 10m
集电极电流：我
C
(A)
集电极电流：我
C
(A)
图1直流电流传输比主场迎战
集电极电流特性
图2集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流特性
Rev.A的
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
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