DG221
四通道SPST CMOS模拟开关与门锁
特点
D
D
D
D
D
接受150纳秒写入脉冲宽度
5 -V片上稳压器
基于PLUS- 40工艺
锁存器是透明的， WR低
低导通电阻： 60
W
好处
D
与大多数
mP
巴士
D
允许宽电源电压容差
在不影响TTL兼容
D
降低功耗
D
让设计的灵活性
应用
D
D
D
D
D
D
mP
基于系统
自动测试设备
通信系统
数据采集系统
医疗器械
工厂自动化
描述
的DG221是单片四单刀单掷
设计用于精密开关应用模拟开关
通信，仪器仪表和过程控制系统。
拥有独立的板载锁存器和一个共同的WR
引脚，每个DG221可以存储映射，并为解决
一个数据字节的同步开关。
设计上的Siliconix PLUS- 40的CMOS工艺中，
DG221结合了低功耗和低的导通电阻（60
W
在处理连续电流高达20 mA典型） 。
外延层可以防止闭锁。
该器件具有在上真正的双向性能
条件。这些开关保证轨到轨阻挡
能力（44 V最大） ，在关断状态。
功能框图及引脚配置
每包四可锁存SPST开关
双列直插式和SOIC
真值表
IN
2
D
2
S
2
V+
WR
S
3
D
3
IN
3
X
X
1
IN
1
D
1
S
1
V–
GND
S
4
D
4
IN
4
1
2
3
输入锁存
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
顶视图
IN
X
0
1
WR
0
0
开关
ON
关闭
控制数据锁存的，
开启或关闭所选择开关
通过上次在
X
保持以前的状态
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.4 V
订购信息
温度范围
0 ° C至70℃
-40 ° C至85°C
-55 ° C至125°C
包
16引脚塑料DIP
16引脚窄体SOIC
16引脚CERDIP
产品型号
DG221CJ
DG221DY
DG221AK/883
更新此数据表可以通过传真致电Siliconix公司FaxBack ， 1-408-970-5600索取。请要求FaxBack文档＃ 70041 。
Siliconix公司
S- 52881 -REV 。 C， 28 -APR- 97
1
DG221
绝对最大额定值
电压参考V ？
V+ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44 V
GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25 V
数字输入
a
, V
S
, V
D
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 （ V-） -2 V至（V +） + 2V
或20mA ，以先到者为准
连续电流（任何终端） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 20毫安
峰值电流，S或D（脉冲1毫秒，10％占空比）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70毫安
存储温度：
（ AK后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
（ CJ和DY后缀） 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到125_C
功率耗散（包）
b
16引脚CERDIP
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
16引脚塑料DIP
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
16引脚SOIC
e
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
注意事项：
一。在S信号
X
, D
X
或IN
X
超过V +或V-将被夹持
内部二极管。限正向二极管电流最大电流
收视率。
B 。所有引线焊接，或焊接到印刷电路板。
。减免12毫瓦/ _C上述75°C
。减免6.5毫瓦/ _C以上25_C
。减免7.7毫瓦/ _C上述75°C
原理图（典型值CHANNEL ）
V+
5V
REG
GND
IN
X
–
+
V–
V+
WR
–
+
V–
LATCH
水平
SHIFT /
DRIVE
V+
S
D
V–
图1 。
2
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DG221
特定网络阳离子
a
测试条件
除非另有说明
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
SOURCE OFF
漏电流
流掉
漏电流
在排水
漏电流
V
类似物
r
DS （ ON）
I
S（ OFF）
V
S
=
"14
V V
D
=
#14
V
V,
I
D（关闭）
I
D（上）
V
S
= V
D
=
"14
V
I
S
= -10毫安，V
D
=
"10
V
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
60
"0.01
"0.02
"0.01
–1
–100
–1
–100
–1
–200
–15
15
90
135
1
100
1
100
1
200
–5
–100
–5
–100
–5
–200
–15
15
90
135
5
100
5
100
5
200
nA
V
W
后缀
-55到125°C
后缀
-40到85°C
符号
V = 15 V, V– = –15 V
VV
15
V+
V
IN
= 2.4 V, 0.8
f
V， WR = 0
温度
b
典型值
c
民
d
最大
d
民
d
最大
d
单位
数字控制
输入电流
I
INL
, I
INH
V
IN
= 0 V或= 2.4 V
房间
满
–0.0004
–1
–10
1
10
–1
–10
1
10
mA
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
开启时间写
关断时间写
把脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
电荷注入
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
通道间串扰
t
ON
t
关闭
t
ON
， WR
t
关闭
， WR
t
W
t
S
t
H
Q
C
S（ OFF）
C
D（关闭）
C
D（上）
OIRR
X
TALK
V
S
= 1 V
p-p
， F = 100千赫
pp
C
L
= 15 pF的，R
L
= 1千瓦
F
F = 1MHz时， V
S
, V
D
= 0 V
C
L
= 1000 pF的
V
根
= 0 V ，R
根
= 0
W
参见图4
见图3
房间
房间
房间
满
房间
房间
房间
房间
房间
房间
120
130
0
20
8
9
29
70
90
dB
pF
150
180
20
340
150
180
20
pC
340
ns
房间
见图2
房间
房间
340
550
340
550
550
550
电源
正电源电流
负电源电流
I+
I–
所有通道ON或OFF
V
IN
= 0 V或2 4 V
2.4
满
房间
0.8
–0.4
–1
1.5
–1
1.5
mA
注意事项：
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ，全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值，用于该数据片。
。通过设计保证，不受生产测试。
F。 V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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3
DG221
测试电路
+15 V
3V
50%
0V
V
S
90%
开关
产量
–15 V
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
V
O
t
ON
t
关闭
t
r
＆ LT ; 10纳秒
t
f
＆ LT ; 10纳秒
V+
2V
S
IN
GND
WR
V–
D
V
O
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
逻辑
输入
开关
输入
图2中。
开关时间
+15 V
0V
WR
S
IN
GND
V–
V+
D
3V
WR
IN
0V
3V
0V
V
S
V
OUT
–15 V
C
L
（包括网络连接夹具和杂散电容）
V
O
= V
S
R
L
R
L
+ r
DS （ ON）
V
O
t
ON
， WR
t
关闭
， WR
90%
t
r
＆ LT ; 10纳秒
t
f
＆ LT ; 10纳秒
50%
2V
V
O
R
L
1 KW
C
L
35 pF的
网络连接gure 3 。
WR开关时间
3V
50%
IN
t
S
3V
50%
WR
t
W
t
H
=保持时间
t
S
=建立时间
t
W
= WR脉冲宽度
t
H
t
S
t
H
VOUT
锁存器是电平敏感。当WR为低锁存器是透明的开关
响应于数字输入。数字输入锁存WR的上升沿。
图4中。
WR设置条件
4
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DG221
测试电路（续）
+15 V
DV
O
R
g
V
g
3V
WR
V–
V+
S
IN
D
V
O
C
L
1000 pF的
IN
X
关闭
ON
关闭
V
O
–15 V
DV
O
=测得的电压误差，由于电荷注入
电荷注入库仑为Q = C
L
x
DV
O
图5中。
电荷注入
+15 V
C
C
+15 V
V+
V+
V
S
D
V
O
R
g
= 50
W
0V
NC
S
1
IN
1
S
2
IN
2
GND WR
V–
D
1
50
W
D
2
R
L
C
V
S
R
g
= 50 W
2.4 V
S
IN
GND WR
V–
C
R
L
V
O
0V
–15 V
关断隔离= 20日志
C =射频旁路
V
S
V
O
–15 V
V
S
V
O
X
TALK
隔离= 20日志
C =射频旁路
图6 。
关断隔离
图7 。
通道到通道的串扰
应用提示
a
V+
正电源
电压
(V)
15
20
10
10
V–
负电源
电压
(V)
–15
–20
–10
–5
GND
(V)
0
0
0
0
WR
(V)
2.4/0.8
2.4/0.8
2.4/0.8
2.4/0.8
V
IN
逻辑输入
电压
V
INH （分钟）
/V
INL（最大值）
(V)
2.4/0.8
2.4/0.8
2.4/0.8
2.4/0.8
V
S
或V
D
模拟电压
范围
(V)
-15到15
-20到20
-10至10
-510
注意事项：
一。应用提示是辅助设计参考，不保证，不受生产测试。
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5
QQ：2880707522 复制
