DTA114EE系列
偏置电阻晶体管PNP硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
记号
6H
43
6K
6L
6M
6N
6P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTA123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTA114TE / DTA143TE
DTA143ZE / DTA124XE
DTA143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
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3/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
DTA114EE / DTA124EE
DTA144EE / DTA115EE
DTA114YE
DTA114TE / DTA143TE
DTA123EE / DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
4/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
WEITRON
DTA114EET1系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
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WEITRON
5/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
偏置电阻晶体管PNP硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
记号
6H
43
6K
6L
6M
6N
6P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
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2/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTA123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTA114TE / DTA143TE
DTA143ZE / DTA124XE
DTA143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
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3/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
DTA114EE / DTA124EE
DTA144EE / DTA115EE
DTA114YE
DTA114TE / DTA143TE
DTA123EE / DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
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WEITRON
4/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
WEITRON
DTA114EET1系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
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WEITRON
5/13
12-Jun-06
晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTA143EE / DTA143EUA / DTA143EKA /
DTA143ECA / DTA143ESA
FFeatures
1 ）内置偏置电阻使
的逆变器电路的结构
无需连接外部输入
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成thin-的
薄膜电阻具有完整间隔离
化，以允许的正偏压
输入。他们也有研华
几乎完全eliminat-踏歌
荷兰国际集团的寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要
对操作进行设置，使得设备
设计简单。
FExternal
尺寸（单位：毫米）
FStructure
PNP晶体管数字
（具有内置电阻体）
FEquivalent
电路
(96-268-A143E)
354
晶体管
DTA143EE/DTA143EUA/DTA143EKA/DTA143ECA/DTA143ESA
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
特定网络阳离子
355
晶体管
DTA143EE/DTA143EUA/DTA143EKA/DTA143ECA/DTA143ESA
FElectrical
特性曲线
356
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过DTA143EE / D
初步数据表
偏置电阻晶体管
DTA143EE
3
2
1
PNP硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体的单一晶体管
偏置网络包括两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。这些数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
integratingthemintoas ingledevice 。牛逼 E D TA 1 4 3 E E I S H 2 O美国E D I N吨 é
SOT - 416 / SC- 90封装，非常适用于低功率表面贴装应用
电路板空间非常珍贵。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴。
在（1）
R1
R2
CASE 463-01 ，风格1
SOT–416/SC–90
OUT （3）
GND （2）
R1 = 4.7千欧
R2 = 4.7kΩ的
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
输出电压
输入电压
输出电流
符号
VO
VI
IO
价值
– 50
–30
–100
单位
VDC
VDC
MADC
器件标识
DTA143EE = 43
热特性
功率耗散@ TA = 25° C（ 1 ）
工作和存储温度范围
结温
PD
TJ ， TSTG
TJ
*125
- 55 + 150
150
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
输入关电压（ VO = -5.0伏， IO = -100
μAdc ）
在输入电压（ VO = -0.3伏， IO = -20 MADC ）
输出电压上（ IO = -10 MADC ， II = -0.5 MADC ）
输入电流（ VI = -5.0 V直流）
输出截止电流（ VO = - 50 V直流）
直流电流增益（ VO = -5.0伏， IO = -10 MADC ）
输入阻抗
电阻率
符号
六（关闭）
第六章（上）
VO （上）
II
io的（OFF）的
GI
R1
R1/R2
民
—
–3.0
—
—
—
20
3.3
0.8
典型值
—
—
—
—
—
—
4.7
1.0
最大
–0.5
—
–0.3
–1.8
–500
—
6.1
1.2
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
NADC
—
千欧
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
*典型电特性曲线不是此时可用。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
DTA143EE
推荐的最低足迹对于表面安装应用
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.5分钟。 （3×）
典型
焊接格局
0.5分钟。 （3×）
单位：mm
1.4
SOT - 416 / SC- 90功耗
采用SOT- 416的功率消耗/ SC- 90是一种功能
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
在模具中，R的TURE
θJA
从装置的热阻
结到环境;和操作温度TA 。
使用提供的数据表中的值， PD可
计算公式如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是125毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
= 125毫瓦
1000°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在1000℃ / W的假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的125毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合，更高的功耗，可以实现
使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
0.5
1
DTA143EE
包装尺寸
–A–
S
2
3
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
0.70
0.80
1.40
1.80
0.60
0.90
0.15
0.30
1.00 BSC
–––
0.10
0.10
0.25
1.45
1.75
0.10
0.20
0.50 BSC
英寸
民
最大
0.028
0.031
0.055
0.071
0.024
0.035
0.006
0.012
0.039 BSC
–––
0.004
0.004
0.010
0.057
0.069
0.004
0.008
0.020 BSC
摹-B-
1
D
3 PL
0.20 (0.008)
M
B
K
0.20 (0.008) A
J
C
L
H
CASE 463-01
发出
SOT–416/SC–90
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
DTA143EE/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*DTA143EE/D*
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过DTA143EE / D
初步数据表
偏置电阻晶体管
DTA143EE
3
2
1
PNP硅表面贴装晶体管，
单片偏置电阻网络
快速公交系统（偏置电阻晶体管）包含了一个整体的单一晶体管
偏置网络包括两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。这些数字晶体管被设计为替代单个装置及其
外部电阻偏置网络。快速公交系统通过消除了这些个别组件
integratingthemintoas ingledevice 。牛逼 E D TA 1 4 3 E E I S H 2 O美国E D I N吨 é
SOT - 416 / SC- 90封装，非常适用于低功率表面贴装应用
电路板空间非常珍贵。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
提供8毫米， 7寸/ 3000单位磁带和卷轴。
在（1）
R1
R2
CASE 463-01 ，风格1
SOT–416/SC–90
OUT （3）
GND （2）
R1 = 4.7千欧
R2 = 4.7kΩ的
最大额定值
（ TA = 25° C除非另有说明）
等级
输出电压
输入电压
输出电流
符号
VO
VI
IO
价值
– 50
–30
–100
单位
VDC
VDC
MADC
器件标识
DTA143EE = 43
热特性
功率耗散@ TA = 25° C（ 1 ）
工作和存储温度范围
结温
PD
TJ ， TSTG
TJ
*125
- 55 + 150
150
mW
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
输入关电压（ VO = -5.0伏， IO = -100
μAdc ）
在输入电压（ VO = -0.3伏， IO = -20 MADC ）
输出电压上（ IO = -10 MADC ， II = -0.5 MADC ）
输入电流（ VI = -5.0 V直流）
输出截止电流（ VO = - 50 V直流）
直流电流增益（ VO = -5.0伏， IO = -10 MADC ）
输入阻抗
电阻率
符号
六（关闭）
第六章（上）
VO （上）
II
io的（OFF）的
GI
R1
R1/R2
民
—
–3.0
—
—
—
20
3.3
0.8
典型值
—
—
—
—
—
—
4.7
1.0
最大
–0.5
—
–0.3
–1.8
–500
—
6.1
1.2
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
NADC
—
千欧
1.装置安装在使用推荐的最低足迹的FR-4玻璃环氧印刷电路板。
*典型电特性曲线不是此时可用。
本文件包含有关正在开发中的产品信息。摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
热复合是贝格斯公司的商标。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
DTA143EE
推荐的最低足迹对于表面安装应用
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.5分钟。 （3×）
典型
焊接格局
0.5分钟。 （3×）
单位：mm
1.4
SOT - 416 / SC- 90功耗
采用SOT- 416的功率消耗/ SC- 90是一种功能
的焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给定的最大功率的焊盘尺寸
耗散。功耗为表面安装器件
由TJ （最大值）时，最大额定结温测定
在模具中，R的TURE
θJA
从装置的热阻
结到环境;和操作温度TA 。
使用提供的数据表中的值， PD可
计算公式如下：
PD =
TJ（MAX） - TA
R
θJA
该方程对于环境温度为25℃的TA ，一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是125毫瓦。
PD =
150°C – 25°C
= 125毫瓦
1000°C/W
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
在1000℃ / W的假定使用的建议
足迹在玻璃环氧印刷电路板，实现了
的125毫瓦功率耗散。将另一种选择
可以使用陶瓷基板或铝芯板
如热复合 。使用的基板材料，如
热复合，更高的功耗，可以实现
使用相同的足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度，不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此，该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力，以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接，对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法，
的差值应该是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热焊接移位时，
最大温度梯度为5 ℃或更小。
焊接完成后，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力，这可能导致损坏
装置。
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
0.5
1
DTA143EE
包装尺寸
–A–
S
2
3
风格1 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
MILLIMETERS
民
最大
0.70
0.80
1.40
1.80
0.60
0.90
0.15
0.30
1.00 BSC
–––
0.10
0.10
0.25
1.45
1.75
0.10
0.20
0.50 BSC
英寸
民
最大
0.028
0.031
0.055
0.071
0.024
0.035
0.006
0.012
0.039 BSC
–––
0.004
0.004
0.010
0.057
0.069
0.004
0.008
0.020 BSC
摹-B-
1
D
3 PL
0.20 (0.008)
M
B
K
0.20 (0.008) A
J
C
L
H
CASE 463-01
发出
SOT–416/SC–90
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
DTA143EE/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*DTA143EE/D*
-100mA / -50V数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA / DTA143EKA
应用
逆变器，接口，驱动器
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构，而无需连接外部输入电阻
（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的正面偏置。
它们也具有几乎完全消除寄生效应的优点。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设置，使得该装置的设计容易。
结构
PNP型外延平面硅晶体管（电阻内置型）
尺寸
（单位：毫米）
DTA143EM
1.2
0.32
(3)
DTA143EE
0.2
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
1.2
0.8
0.13
0.5
(2)
(1)
0.2
0.22
(1)(2)
1.6
0.4 0.4
0.8
0.2
0.2
0.5 0.5
1.0
ROHM ： VMT3
（1）在
（2）接地
（3）输出
0.15
0.1Min.
缩写符号： 13
ROHM ： EMT3
缩写符号： 13
2.9
0.4
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
DTA143EUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
DTA143EKA
1.1
0.8
1.25
2.1
(2)
(1)
0.1Min.
(2)
(1)
1.6
2.8
0.65 0.65
1.3
0.15
0.95 0.95
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
缩写符号： 13
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.15
1.9
0.3Min.
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
缩写符号： 13
（1）接地
（2）在
（3）输出
包装规格
包
VMT3 EMT3 UMT3 SMT3
内部电路
R
1
IN
R
2
GND （+）
OUT
包装类型编带编带编带编带包装
CODE
基本订购
单位（件）
T2L
8000
TL
3000
T106
3000
T146
3000
产品型号
DTA143EM
DTA143EE
DTA143EUA
DTA143EKA
IN
GND （+）
OUT
R
1
=R
2
=4.7kΩ
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
1/2
2009.06 - Rev.C
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA / DTA143EKA
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
P
D
Tj
TSTG
150
150
55
to
+150
范围
DTA143EM DTA143EE DTA143EUA DTA143EKA
50
30
to
+10
100
100
200
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
数据表
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
电气特性
(Ta=25C)
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
30
3.29
0.8
典型值。
0.1
4.7
1
250
马克斯。
0.5
0.3
1.8
0.5
6.11
1.2
单位
V
V
mA
μA
kΩ
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100μA
V
O
=0.3V,
I
O
=20mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=10mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
内置的晶体管的特性
电气特性曲线
100
50
输入电压： V
我（上）
(V)
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
直流电流增益：摹
I
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
V
O
=5V
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100μ 200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
Ta=40°C
25°C
100°C
输出电流：木卫一
(A)
Ta=100°C
25°C
1m
40°C
500μ
2m
200μ
100μ
50μ
20μ
10μ
5μ
2μ
1μ
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100μ 200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100μ 200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2009.06 - Rev.C
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
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ROHM的客户支持系统
http://www.rohm.com/contact/
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R0039A
DTA143EE/DTA143EUA/
DTA143ECA/DTA143EKA/DTA143ESA
数字晶体管（ PNP ）
特点
1.内置偏置电阻使逆变器电路中的C onfiguration
没有连接外部输入电阻（见等效电路） 。
2.偏置电阻利弊北京时间的薄膜电阻完全隔离
允许
积极
偏置输入的。它们还具有的优点
几乎完全消除了寄生效应。
3.仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，使得
装置的设计容易。
PIN CONNENCTIONS和标志
DTA143EE
DTA143EUA
DTC114EUA
SOT-323
SOT-523
Addreviated符号： 13
Addreviated符号： 13
DTA143EKA
DTA143ECA
SOT-23-3L
SOT-23
Addreviated符号： 13
Addreviated符号： 13
DTA143ESA
TO-92S
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
DTA143EE/DTA143EUA/
DTA143ECA/DTA143EKA/DTA143ESA
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
连接点
温度
储存温度
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
Pd
T
j
TSTG
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
30
3.29
0.8
-3
分钟。
限制（ DTA143E □ ）
E
UA
KA
CA
SA
单位
V
V
mA
-50
-30~10
-100
-100
150
200
150
-55~150
典型值
马克斯。
-0.5
-0.3
-1.8
-0.5
4.7
1
250
6.11
1.2
兆赫
单位
V
V
mA
A
K
条件
V
CC
= -5V ，我
O
=-100A
V
O
= -0.3V ，我
O
=-20
mA
I
O
/I
I
=-10mA/-0.5mA
V
I
=-5V
V
CC
=-50V ,V
I
=0
V
O
= -5V ，我
O
=-10mA
300
mW
℃
℃
电气特性（ TA = 25
℃
)
V
O
= -10V ，我
O
=5mA,f=100MHz
典型特征
２
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
晶体管
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA
DTA143EKA / DTA143ESA
数字晶体管（内置电阻）
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA /
DTA143EKA / DTA143ESA
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正面偏置。
他们也有几乎完全的优势
消除了寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使装置的设计容易。
等效电路
R
1
IN
R
2
OUT
GND （+）
IN
GND （+）
OUT
结构
PNP晶体管数字
（具有内置电阻体）
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA143EM
0.2
1.2
0.32
DTA143EE
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
1.6±0.2
1.0±0.1
0.2
0.4 0.4
0.8
+0.1
0.2
0.05
(1)
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.8±0.1
1.6±0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
0.5
0.22
(2)
0~0.1
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
ROHM ： EMT3
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
缩写符号： 13
缩写符号： 13
DTA143EUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
1.25±0.1
2.1±0.1
DTA143EKA
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
(1)
0~0.1
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
0.1Min.
（1）在
（2）接地
（3）输出
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
0~0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
缩写符号： 13
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.3Min.
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
0.1Min.
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： 13
DTA143ESA
3
±
0.2
4
±
0.2
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1) (2) (3)
（1）接地
（2）输出
（3）在
Rev.A的
1/3
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
M
E
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
150
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA
DTA143EKA / DTA143ESA
Limits(DTA143E
UA
50
30
to
+10
100
100
200
150
55
to
+150
300
)
KA
SA
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
3
30
3.29
0.8
典型值。
0.1
4.7
1
250
马克斯。
0.5
0.3
1.8
0.5
6.11
1.2
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=20mA
I
O
/I
I
=10mA/0.5mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=10mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
包装规格
包
包装类型
CODE
基本订购
单位（件）
VMT3
EMT3
UMT3
SMT3
SPT
TAPING
T2L
8000
TAPING
TL
3000
TAPING
T106
3000
TAPING
T146
3000
TAPING
TP
5000
TYPE
DTA143EM
DTA143EE
DTA143EUA
DTA143EKA
DTA143ESA
Rev.A的
2/3
晶体管
电气特性曲线
100
50
输入电压： V
我（上）
(V)
10m
5m
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA
DTA143EKA / DTA143ESA
V
O
=0.3V
输出电流：木卫一
(A)
V
CC
=5V
直流电流增益：摹
I
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
V
O
=5V
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
Ta=40°C
25°C
100°C
Ta=100°C
25°C
1m
40°C
500
2m
200
100
50
20
10
5
2
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
Ta=100°C
25°C
40°C
1m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出
当前
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
MCC
TM
微型商业组件
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
DTA143EE
特点
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻
偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
利用几乎完全消除了寄生效应。
只有通/断条件需要设置操作，使得
装置的设计容易
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
P
d
T
j
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
民
---
-30
---
---
---
-55
典型值
-50
---
-100
-100
150
150
---
最大
---
10
---
---
---
150
单位
V
V
mA
mW
PNP
数字晶体管
绝对最大额定值@ 25
A
SOT-523
D
3
1
B
2
C
1。
2. GND
3. OUT
E
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V -0和MSL等级1
G
H
J
电气特性@ 25
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
参数
输入电压（V
CC
= -5V ，我
O
=-100A)
(V
O
= -0.3V ，我
O
=-20mA)
输出电压（I
O
/I
I
=-10mA/-0.5mA
输入电流（V
I
=-5V)
输出电流（ V
CC
=-50V, V
I
=0)
直流电流增益（V
O
= -5V ，我
O
=-10mA)
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
(V
CE
= -10V ，我
E
= 5毫安中，f = 100MHz时）
民
---
-3.0
---
---
---
30
3.29
0.8
---
典型值
---
---
---
---
---
---
4.7
1.0
250
最大
-0.5
---
-0.3
-1.8
-0.5
---
6.11
1.2
---
单位
V
V
V
mA
A
K
兆赫
K
尺寸
英寸
民
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
民
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
记
*标记： 13
www.mccsemi.com
修改：
3
1第3
2009/02/11
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修订： 3
3 3
2009/02/11
3
QQ：2881677436 复制
