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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
D44Q1/3/5
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 125V （最小） - D44Q1
= 175V （最小） - D44Q3
= 225V （最小） - D44Q5
高
开关速度
ULOW
饱和电压
应用
·设计
线性和开关应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
D44Q1
V
CBO
集电极 - 基极电压
D44Q3
D44Q5
D44Q1
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
D44Q3
D44Q5
V
EBO
I
C
P
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
结温
存储温度范围
价值
200
250
300
125
175
225
7
4
31.25
W
1.67
150
-65~150
℃
℃
V
A
V
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
4
75
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
D44Q1
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
D44Q3
D44Q5
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
D44Q1
I
CBO
集热器
截止目前
D44Q3
D44Q5
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
输出电容
I
C
= 2A ;我
B
= 0.2A
B
D44Q1/3/5
条件
民
125
典型值。
最大
单位
I
C
= 10毫安，我
B
= 0
B
175
225
1.0
1.3
10
10
10
30
20
20
32
V
V
V
I
C
= 2A ;我
B
= 0.2A
B
V
CB
= 200V ，我
E
= 0
V
CB
= 250V ，我
E
= 0
V
CB
= 300V ，我
E
= 0
I
C
= 0.2A ; V
CE
= 10V
I
C
= 2A ; V
CE
= 10V
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
I
E
= 0; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
μA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
延迟时间
贮存时间
下降时间
V
CC
= 50V
I
C
= 1A ;我
B1
= -I
B2
= 0.1A
5
0.4
2.0
1.7
μs
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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供货商
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厂家
批号
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单价/备注
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