DTA123JE/DTA123JUA/DTA123JKA
DTA123JCA/DTA123JSA
公司Bauelemente
PNP数字晶体管（内置电阻）
特点
*内置偏置电阻实现的配置
不连接的输入电阻器的逆变器电路
（见等效电路） 。
*仅在开/关confitions需要对操作进行设置，
使装置的设计容易。
*薄膜电阻，偏置电阻consis
竞争隔离允许的负偏压
输入。它们还具有几乎优点
完全消除了寄生效应。
PIN CONNENCTIONS和标志
DTA123JE
DTA123JUA
SOT-523
缩写符号： E32
SOT-323
缩写符号： 132
DTA123JKA
DTA114ECA
DTA123JCA
SOT-23-3L
缩写符号： E32
SOT-23
缩写符号： E32
DTA123JSA
TO-92S
http://www.SeCoSGmbH.com
l
的说明书中的任何改变将不被通知individua
01君2002年修订版A
第1页2
DTA123JE/DTA123JUA/DTA123JKA
DTA123JCA/DTA123JSA
公司Bauelemente
PNP数字晶体管（内置电阻）
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
Pd
Tj
TSTG
150
限制（ DTA123J □
E
UA
KA
-50
-12~+5
-100
-100
200
150
-55~150
300
)
CA
SA
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（Ta = 25℃）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
80
1.54
17
2.2
21
250
2.86
26
兆赫
K
-1.1
-0.1
-0.3
-3.6
-0.5
分钟。
典型值
马克斯。
-0.5
单位
V
V
mA
A
条件
V
CC
= -5V ，我
O
=-100A
V
O
= -0.3V ，我
O
=-5
mA
I
O
/I
I
=-5mA/-0.25mA
V
I
=-5V
V
CC
=-50V, V
I
=0
V
O
= -5V ，我
O
=-10mA
-
-
V
O
= -10V ，我
O
= -5mA中，f = 100MHz的
典型特征
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知individua
01君2002年修订版A
第2页2
-100mA / -50V数字晶体管
（具有内置电阻体）
DTA123JM / DTA123JE / DTA123JUA / DTA123JKA
应用
逆变器，接口，驱动器
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构，而无需连接外部输入电阻
（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离，允许输入的正面偏置。
它们也具有几乎完全消除寄生效应的优点。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设置，使得该装置的设计容易。
结构
PNP型外延平面硅晶体管（电阻内置型）
尺寸
（单位：毫米）
DTA123JM
0.2
1.2
0.32
(3)
DTA123JE
1.6
0.3
(3)
0.7
0.55
0.8
(2)
(1)
0.2
0.4 0.4
0.8
0.13
0.5
0.2
0.2
0.5 0.5
ROHM ： VMT3
（1）在
（2）接地
（3）输出
0.15
0.1Min.
0.22
(1)(2)
0.8
1.2
1.6
ROHM ： EMT3
1.0
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： E32
缩写符号： E32
DTA123JUA
2.0
0.3
(3)
0.9
0.2
0.7
DTA123JKA
2.9
0.4
(3)
1.1
0.8
1.25
2.1
(2)
(1 )
0.1Min.
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
1.3
0.15
0.95 0.95
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
1.9
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： 132
（1）接地
（2）在
（3）输出
每根导线具有相同的尺寸
0.15
缩写符号： E32
包装规格
包
包装类型
CODE
基本订购
单位（件）
VMT3
EMT3
UMT3
SMT3
内部电路
TAPING
TL
3000
TAPING
T2L
8000
TAPING
T106
3000
TAPING
T146
3000
R
1
IN
R
2
OUT
产品型号
DTA123JM
DTA123JE
DTA123JUA
DTA123JKA
GND （+）
IN
GND （+）
OUT
R
1
=采用2.2kΩ ，R
2
=47kΩ
www.rohm.com
c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
0.3Min.
0.65 0.65
(2)
(1)
（1）接地
（2）在
（3）输出
1.6
2.8
1/2
2009.06 - Rev.B的
DTA123JM / DTA123JE / DTA123JUA / DTA123JKA
绝对最大额定值
(Ta=25C)
参数
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
P
D
Tj
TSTG
150
150
55
to
+150
范围
DTA123JM DTA123JE DTA123JUA DTA123JKA
50
12
to
+5
100
100
200
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
数据表
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
电气特性
(Ta=25C)
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
1.1
80
1.54
17
典型值。
0.1
2.2
21
250
马克斯。
0.5
0.3
3.6
0.5
2.86
26
单位
V
V
mA
μA
kΩ
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100μA
V
O
=0.3V,
I
O
=5mA
I
O
/I
I
=5mA/0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=10mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
内置的晶体管的特性
电气特性曲线
100
50
输入电压： V
我（上）
(V)
V
O
=0.3V
10m
5m
V
CC
=5V
1k
500
直流电流增益：摹
I
V
O
=5V
Ta=100°C
25°C
40°C
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100μ 200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
输出电流：木卫一
(A)
2m
1m
500μ
200μ
100μ
50μ
20μ
10μ
5μ
2μ
1μ
0
Ta=100°C
25°C
40°C
200
100
50
20
10
5
2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100μ 200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100μ 200μ 500μ 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
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c
○
2009年ROHM有限公司保留所有权利。
2/2
2009.06 - Rev.B的
通告
笔记
没有拷贝或复制该文件的部分或全部，则允许不
ROHM有限公司的同意。
此规定的内容如有变更，恕不另行通知。
这里所指定的内容是用于引入ROHM的产品的目的（在下文中
"Products" ） 。如果你希望使用任何此类产品，请务必参阅规格，
这可以从ROHM要求获得。
的应用电路，电路常数和任何其它信息的例子在此包含
示出了产品的标准用法和操作。外围条件必须
在设计用于大规模生产的电路时，必须考虑到。
时非常谨慎，以确保本文档中指定的信息的准确性。
但是，如果你承担从这种不准确或印刷错误而引起的任何损害
信息， ROHM ，应当承担此类损害概不负责。
本文中规定的技术信息仅是为了表明的典型功能和
为产品应用电路的例子。 ROHM不授予你，或明或
隐，任何许可使用或行使知识产权或由Rohm and持有的其他权益
其他各方。 ROHM应当承担不承担任何责任从产生的任何纠纷
使用这样的技术信息。
本文档中指定的产品意图被与使用一般使用的电子
设备或装置（诸如视听设备，办公自动化设备， commu-
讯设备，电子电器，娱乐设备） 。
本文档中指定的产品没有设计成抗辐射。
而ROHM一直努力提高其产品的质量和可靠性，一
产品可能会失败或因各种原因发生故障。
请务必在使用该产品的安全性措施来保护你的设备来实现
对人身伤害，火灾或其它任何损害引起的事件的可能性
任何产品的故障，如降级，冗余，消防和故障安全设计。 ROHM
不承担任何责任不对您使用的任何产品的规定外
范围或者没有按照使用说明书。
该产品并非设计或制造任何设备，设备使用，或
系统，该系统要求的可靠性非常高的水平的故障或失灵，其中
可能会导致直接威胁到人的生命或创建人伤害的危险（如医疗
仪表，交通运输设备，航空器械，核反应器，
燃料控制器或其他安全装置） 。 ROHM应承担的任何方式使用任何责任
任何产品的上述特殊用途。如果一个产品打算用于任何
这种特殊用途，请购买前联系ROHM销售代表。
如果您打算出口或海外的船舶的任何产品或技术在此指定的可
根据外汇及对外贸易法来控制，你会被要求
获得许可或根据法律允许。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
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R0039A
DTA114EE系列
偏置电阻晶体管PNP硅
P B
铅（Pb ） - 免费
1
BASE
R1
R2
3
3
集热器
3
1
2
2
辐射源
SC-89
(SOT-523F)
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
I
C
价值
50
50
100
单位
V
V
mA
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(1)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
器件总功耗FR- 5局
FR-4板
(2)
T
A
=25C
减免上述25℃
热阻，结到环境
(2)
结温范围
存储温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
2.FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫
符号
P
D
R
θJA
P
D
R
θJA
T
J
TSTG
最大
200
1.6
600
300
2.4
400
-55到+150
-55到+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
C
C
器件标识和ResistorValues
设备
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
记号
6H
43
6K
6L
6M
6N
6P
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
47
100
22
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
WEITRON
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
(2)
I
C
= 2.0毫安，我
B
=0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10μA ，我
E
=0
集电极 - 基Cuto FF电压
V
CB
= 50V ，我
E
=0
集电极 - 发射极Cuto FF电流
V
CE
= 50V ，我
B
=0
发射基Cuto FF电流
V
EB
= 6.0V ，我
C
=0
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
首席执行官
50
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
500
0.5
0.2
0.1
0.2
0.9
1.9
2.3
1.5
0.18
0.13
0.2
0.05
0.13
V
V
nA
nA
I
EBO
mA
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
电气特性
基本特征
(3)
直流电流增益
V
CE
= -10V ，我
C
=5.0mA
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
35
60
80
80
160
160
8.0
15
80
80
80
80
80
60
100
140
140
250
250
15
27
140
130
140
150
140
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
h
FE
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 10毫安，我
E
=0.3mA
I
C
= 10毫安，我
E
=5.0mA
DTA123EE
I
C
= 10毫安，我
E
=1.0mA
DTA114TE / DTA143TE
DTA143ZE / DTA124XE
DTA143EE
输出电压（上）
V
CC
=5.0V, V
B
= 2.5V
L
=1.0KΩ
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
V
CE （ SAT ）
-
-
0.25
-
V
OL
-
-
0.2
V
V
CC
=5.0V, V
B
= 3.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 5.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 4.0V
L
=1.0KΩ
3.脉冲测试：脉冲宽度< 300US ，占空比< 2.0 ％
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
ELECTRICALCHARACTERISTICS
基本特征
(4)
输出电压（O FF ）
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.5V
L
=1.0KΩ
V
CC
=5.0V, V
B
= 0.25V
L
=1.0KΩ
4.9
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA114EE
DTA124EE
DTA144EE
DTA114YE
DTA114TE
DTA143TE
DTA123EE
DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA115EE
DTA144WE
DTA114EE / DTA124EE
DTA144EE / DTA115EE
DTA114YE
DTA114TE / DTA143TE
DTA123EE / DTA143EE
DTA143ZE
DTA124XE
DTA123JE
DTA144WE
V
OH
-
(T
A
= 25°C除非另有说明）
WEITRON
符号
民
典型值
最大
单位
特征
-
V
输入电阻
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
1.5
3.3
3.3
15.4
15.4
70
32.9
10
22
47
10
10
4.7
2.2
4.7
4.7
22
2.2
100
47
13
28.6
61.1
13
13
6.1
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
130
61.1
kΩ
电阻率
R1/R2
0.8
0.17
-
0.8
0.055
0.38
0.038
1.7
1.0
0.21
-
1.0
0.1
0.47
0.047
2.1
1.2
0.25
-
1.2
0.185
0.56
0.056
2.6
-
4. PulseTest ：脉宽< 300US ，占空比< 2.0 ％
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
4/13
12-Jun-06
DTA114EE系列
WEITRON
DTA114EET1系列
250
功耗，P
D
200
150
100
50
0
T
A
，环境温度（ ° C）
R
JA
= 60℃ / W
图1.降额曲线
归一化瞬态热阻， R（T ）
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T，时间（S ）
1.0
10
100
1000
图2.归热响应
http://www.weitron.com.tw
WEITRON
5/13
12-Jun-06
DTA123JE/DTA123JUA/DTA123JKA/DTA123JCA/DTA123JSA
晶体管（ PNP ）
特点
1 ）内置偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成的薄膜电阻完全隔离
允许
积极
偏置输入的。它们还具有的优点
几乎完全消除了寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，使得设备
设计简单。
PIN CONNENCTIONS和标志
DTA123JE
DTA123JUA
SOT-523
Addreviated符号： E32
SOT-323
Addreviated代码： 132
DTA123JKA
DTA114ECA
DTA123JCA
SOT-23
SOT-23-3L
Addreviated符号： E32
SOT-23
Addreviated符号： E32
DTA123JSA
TO-92S
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
DTA123JE/DTA123JUA/DTA123JKA/DTA123JCA/DTA123JSA
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
Pd
Tj
TSTG
150
限制（ DTA123J □
E
UA
KA
-50
-12~+5
-100
-100
200
150
-55~150
300
)
CA
SA
单位
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（Ta = 25℃）
参数
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
80
1.54
17
2.2
21
250
2.86
26
兆赫
K
-1.1
-0.1
-0.3
-3.6
-0.5
分钟。
典型值
马克斯。
-0.5
单位
V
V
mA
A
条件
V
CC
= -5V ，我
O
=-100A
V
O
= -0.3V ，我
O
=-5
mA
I
O
/I
I
=-5mA/-0.25mA
V
I
=-5V
V
CC
=-50V, V
I
=0
V
O
= -5V ，我
O
=-10mA
-
-
V
O
= -10V ，我
O
= -5mA中，f = 100MHz的
典型特征
２
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
DTA123JE
特点
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻
偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
利用几乎完全消除了寄生效应。
只有通/断条件需要设置操作，使得
装置的设计容易
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
民
---
-12
---
---
---
-55
典型值
-50
---
-100
-100
150
150
---
最大
---
5
---
---
---
150
单位
V
V
mA
mW
PNP
数字晶体管
绝对最大额定值@ 25
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
P
d
T
j
T
英镑
A
SOT-523
D
3
1
B
2
C
1。
2. GND
3. OUT
E
电气特性@ 25
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
参数
输入电压（V
CC
= -5V ，我
O
=-100A)
(V
O
= -0.3V ，我
O
=-5mA)
输出电压（I
O
/I
I
=-5mA/-0.25mA
输入电流（V
I
=-5V)
输出电流（ V
CC
=-50V, V
I
=0)
直流电流增益（V
O
= -5V ，我
O
=-10mA)
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
(V
CE
= -10V ，我
E
= 5毫安中，f = 100MHz时）
民
---
-1.1
---
---
---
80
1.54
17
---
典型值
---
---
---
---
---
---
2.2
21
250
最大
-0.5
---
-0.3
-3.6
-0.5
---
2.86
26
---
单位
V
V
V
mA
A
K
兆赫
G
H
J
K
尺寸
英寸
民
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
民
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
记
*标记： E32
www.mccsemi.com
修订版：A
1第3
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
3 3
2011/01/01
3
晶体管
DTA123JM / DTA123JE / DTA123JUA
DTA123JKA / DTA123JSA
数字晶体管（内置电阻）
DTA123JM / DTA123JE / DTA123JUA /
DTA123JKA / DTA123JSA
!
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正面偏置。
他们也有几乎完全的优势
消除了寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要进行操作来进行设定，
使装置的设计容易。
!
等效电路
R
1
IN
R
2
OUT
GND （+）
IN
GND （+）
OUT
!
结构
PNP晶体管数字
（内置电阻型）
!
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA123JM
0.2
1.2
0.32
DTA123JE
1.2
0.8
(2)
(3)
(1)
1.6±0.2
1.0±0.1
0.2
0.4 0.4
0.8
+0.1
0.2
0.05
(1)
0.5 0.5
+0.1
0.2
0.05
0.8±0.1
1.6±0.2
0.7±0.1
0.55±0.1
0.5
0.22
(2)
0~0.1
0.13
0~0.1
0.15Max.
ROHM ： VMT3
ROHM ： EMT3
+0.1
0.3
0.05
0.15±0.05
缩写符号： E32
缩写符号： E32
DTA123JUA
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
(1)
(2)
1.25±0.1
2.1±0.1
DTA123JKA
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
(1)
0~0.1
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
(2)
1.6
+0.2
0.1
2.8±0.2
1.1
+0.2
0.1
0.8±0.1
0.1Min.
（1）在
（2）接地
（3）输出
(3)
（1）接地
（2）在
（3）输出
0~0.1
(3)
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
缩写符号： 132
4
±
0.2
3
±
0.2
（1）接地
（2）在
（3）输出
0.3Min.
0.3
+0.1
0.15±0.05
0
所有的终端都有相同的尺寸
0.1Min.
(3)
+0.1
0.15
0.06
0.4
+0.1
0.05
所有的终端都有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
（1）接地
（2）在
（3）输出
缩写符号： E32
DTA123JSA
2
±
0.2
(15Min.)
0.45
+
0.15
0.05
3Min.
5
2.5
+
0.4
0.1
0.5
0.45
+
0.15
0.05
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1) (2) (3)
（1）接地
（2）输出
（3）在
1/3
晶体管
!
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
符号
M
E
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）。
Pd
Tj
TSTG
150
DTA123JM / DTA123JE / DTA123JUA
DTA123JKA / DTA123JSA
Limits(DTA123J
UA
50
12
to
+5
100
100
200
150
55
to
+150
300
)
KA
SA
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
!
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
分钟。
1.1
80
1.54
17
典型值。
0.1
2.2
21
250
马克斯。
0.5
0.3
3.6
0.5
2.86
26
单位
V
V
mA
A
k
兆赫
条件
V
CC
=5V,
I
O
=100A
V
O
=0.3V,
I
O
=5mA
I
O
/I
I
=5mA/0.25mA
V
I
=5V
V
CC
=50V,
V
I
=0V
V
O
=5V,
I
O
=10mA
V
CE
=10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
该设备的跃迁频率
!
包装规格
包
包装类型
CODE
基本订购
单位（件）
VMT3
EMT3
UMT3
SMT3
SPT
TAPING
T2L
8000
TAPING
TL
3000
TAPING
T106
3000
TAPING
T146
3000
TAPING
TP
5000
TYPE
DTA123JM
DTA123JE
DTA123JUA
DTA123JKA
DTA123JSA
2/3
晶体管
!
电气特性曲线
100
50
输入电压： V
我（上）
(V)
DTA123JM / DTA123JE / DTA123JUA
DTA123JKA / DTA123JSA
V
O
=0.3V
输出电流：木卫一
(A)
10m
5m
2m
1m
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
Ta=100°C
25°C
40°C
V
CC
=5V
直流电流增益：摹
I
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
Ta=100°C
25°C
40°C
V
O
=5V
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
Ta=40°C
25°C
100°C
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
输入电压： V
我（关闭）
(V)
输出电流：我
O
(A)
图1输入电压与输出电流
（ON特性）
图2输出电流与输入电压
（关特征）
图3直流电流增益与输出
当前
1
500m
输出电压： V
O（上）
(V)
l
O
/l
I
=20
Ta=100°C
25°C
40°C
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
100 200 500 1m 2m
5m 10m 20m 50m 100m
输出电流：我
O
(A)
图4输出电压和输出电流
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
晶体管
数字晶体管（内置电阻）
DTA123JE / DTA123JUA / DTA123JKA /
DTA123JSA
FFeatures
1 ）内置偏置电阻使
的逆变器电路的结构
无需连接外部输入
电阻（见等效电路） 。
2）偏置电阻组成thin-的
薄膜电阻具有完整间隔离
化，以允许的正偏压
输入。他们也有研华
几乎完全eliminat-踏歌
荷兰国际集团的寄生效应。
3）仅在开/关的条件需要
对操作进行设置，使得设备
设计简单。
FExternal
尺寸（单位：毫米）
FStructure
PNP晶体管数字
（内置电阻型）
FEquivalent
电路
(96-262-A123J)
339
晶体管
FAbsolute
最大额定值（Ta = 25_C ）
DTA123JE/DTA123JUA/DTA123JKA/DTA123JSA
FElectrical
特性（Ta = 25_C ）
FPackaging
特定网络阳离子
340
晶体管
FElectrical
特性曲线
DTA123JE/DTA123JUA/DTA123JKA/DTA123JSA
341
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
DTA123JE
特点
内置的偏置电阻使逆变器电路的结构
没有连接外部输入电阻
偏置电阻组成的薄膜电阻具有完整
隔离，以使输入的负偏压。他们也有
利用几乎完全消除了寄生效应。
只有通/断条件需要设置操作，使得
装置的设计容易
符号
V
CC
V
IN
I
O
I
C（最大值）
P
d
T
j
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电流
功耗
结温
储存温度
民
---
-12
---
---
---
-55
典型值
-50
---
-100
-100
150
150
---
最大
---
5
---
---
---
150
单位
V
V
mA
mW
PNP
数字晶体管
绝对最大额定值@ 25
A
SOT-523
D
3
1
B
2
C
1。
2. GND
3. OUT
E
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V -0和MSL等级1
电气特性@ 25
符号
V
我（关闭）
V
我（上）
V
O（上）
I
I
I
O（关）
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
参数
输入电压（V
CC
= -5V ，我
O
=-100A)
(V
O
= -0.3V ，我
O
=-5mA)
输出电压（I
O
/I
I
=-5mA/-0.25mA
输入电流（V
I
=-5V)
输出电流（ V
CC
=-50V, V
I
=0)
直流电流增益（V
O
= -5V ，我
O
=-10mA)
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
(V
CE
= -10V ，我
E
= 5毫安中，f = 100MHz时）
民
---
-1.1
---
---
---
80
1.54
17
---
典型值
---
---
---
---
---
---
2.2
21
250
最大
-0.5
---
-0.3
-3.6
-0.5
---
2.86
26
---
单位
V
V
V
mA
A
K
兆赫
G
H
J
K
尺寸
英寸
民
最大
.059
.067
.030
.033
.057
.069
0.020名义
.035
.043
.000
.004
.028
.031
.004
.008
.010
.014
MM
民
最大
1.50
1.70
0.75
0.85
1.45
1.75
0.50Nominal
0.90
1.10
.000
.100
.70
0.80
.100
.200
.25
.35
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
记
*标记： E32
www.mccsemi.com
修改：
3
1第3
2009/02/11
MCC
微型商业组件
TM
订购信息
设备
（品名） -TP
填料
Tape&Reel;3Kpcs/Reel
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改，恕不另行通知任何权
此产品进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利，也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上，反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
.
不打算用于医学，
航空航天和军事应用。
www.mccsemi.com
修订： 3
3 3
2009/02/11
3
MUN5135 ， DTA123JE ，
DTA123JM3 ， NSBA123JF3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 2.2千瓦， R2 = 47千瓦
PNP晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一
基极 - 发射极电阻。快速公交系统消除了这些个别
部件通过将它们集成到单个设备中。使用BRT的
能够显着降低系统成本和电路板空间。
特点
http://onsemi.com
引脚连接
3脚
集热器
（输出）
销1
BASE
（输入）
R1
R2
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的，有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
12
5
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
SOT1123
CASE 524AA
风格1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
XXX
M
G
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
查看详细的订购，标记，并在发货信息
包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
第1版
1
出版订单号：
DTA123J/D
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3 ， NSBA123JF3
表1.订购信息
设备
MUN5135T1G
DTA123JET1G
DTA123JM3T5G
NSBA123JF3T5G
最热
6M
6M
6M
J(90°)*
包
SC70/SOT323
SC75
SOT723
SOT1123
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
8000 /磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* （ⅩⅩ °） =度沿着顺时针方向旋转。
300
P
D
，功耗（毫瓦）
250
200
150
100
50
0
50
(1)
(2) (3)
（ 1 ） SC- 75和SC- 70 / SOT- 323 ;最小焊盘
（ 2 ） SOT- 1123 ; 100毫米
2
， 1盎司铜线
（ 3 ） SOT- 723 ;最小焊盘
25
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线
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2
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3 ， NSBA123JF3
表2.热特性
特征
热特性（ SC - 70 / SOT- 323 ） （ MUN5135 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
交界处领导
结温和存储温度范围
热特性（ SC - 75 ） （ DTA123JE ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 723 ） （ DTA123JM3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度范围
热特性（ SOT- 1123 ） （ NSBA123JF3 ）
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，结领导
结温和存储温度范围
1.
2.
3.
4.
FR- 4 @最小焊盘。
FR- 4 @ 1.0 ×1.0英寸的垫。
FR-4 @ 100毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
FR-4 @ 500毫米
2
， 1盎司铜的痕迹，静止的空气中。
（注3）
（注3）
（注4 ）
（注3）
（注4 ）
P
D
254
297
2.0
2.4
493
421
193
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
260
600
2.0
4.8
480
205
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
200
300
1.6
2.4
600
400
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注2 ）
P
D
202
310
1.6
2.5
618
403
280
332
55
+150
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
符号
最大
单位
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
T
J
, T
英镑
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
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3
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3 ， NSBA123JF3
表3.电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= 50 V，I
E
= 0)
集电极 - 发射极截止电流
(V
CE
= 50 V，I
B
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= 6.0 V，I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压（注5 ）
(I
C
= 2.0毫安，我
B
= 0)
基本特征
DC电流增益（注5）
(I
C
= 5.0毫安， V
CE
= 10 V)
集热器
*发射器
饱和电压（注5 ）
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.3 mA）的
输入电压（OFF）的
(V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
毫安）
输入电压（ ON）的
(V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5.0 mA）的
输出电压（上）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输出电压（关）
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V ，R
L
= 1.0千瓦）
输入电阻
电阻率
5.脉冲条件：脉冲宽度= 300毫秒，占空比
v
2%.
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
我（关闭）
V
我（上）
V
OL
V
OH
R1
R
1
/R
2
80
4.9
1.5
0.038
140
0.6
0.8
2.2
0.047
0.25
0.2
2.9
0.056
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
kW
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
50
50
100
500
0.2
NADC
NADC
MADC
VDC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
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4
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3 ， NSBA123JF3
典型特征
MUN5135 ， DTA123JE ， DTA123JM3
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极电压（ V）
1
I
C
/I
B
= 10
h
FE
，直流电流增益
1000
25°C
V
CE
= 10 V
25°C
150°C
0.1
100
150°C
55°C
10
55°C
0.01
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
1
1
10
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图2. V
CE （ SAT ）
与我
C
7
I
C
，集电极电流（毫安）
6
C
ob
，电容（pF ）
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
F = 10千赫
I
E
= 0 A
T
A
= 25°C
100
150°C
10
1
0.1
0.01
图3.直流电流增益
55°C
25°C
0.001
V
O
= 5 V
0
1
2
3
V
in
，输入电压（ V）
4
V
R
，反向偏置电压（V）的
图4.输出电容
10
图5.输出电流与输入电压
V
in
，输入电压（ V）
25°C
1
55°C
150°C
V
O
= 0.2 V
0.1
0
10
20
30
40
I
C
，集电极电流（毫安）
50
图6.输入电压与输出电流
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5
FM120-M
DTA123JE
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
威伦
包
无铅全国生产
特点
包装外形
SOD-123H
特点
电路板空间。
OPTIMIZE
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
Guardring过电压保护。
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
超高速开关。
水分动态敏感度等级1
芯片，金属硅交界处。
硅外延平面
内建的
无铅零件
使逆变器电路的结构
偏置电阻
符合环保标准
没有
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
输入电阻
外部连接
符合RoHS的产品
包括薄膜电阻具有完整
偏置电阻
包装代号后缀"G"
无卤素产品包装代码
输入。
隔离，以允许的负偏压
后缀"H"
他们也有
机械数据
利用几乎完全消除了寄生效应。
只有通/断
UL94 -V0额定阻燃
操作，使
环氧树脂：
条件需要被设置
装置的设计
模压塑料， SOD- 123H
案例：
易
绝对最大额定值@ 25
每MIL -STD- 750可焊性，
端子：镀金端子，
无铅封装可用
低功耗，高效率。
RoHS指令
高电流能力，低正向电压降。
产品包装代号后缀“G”
高浪涌能力。
对于无卤素产品包装代号后缀为“H”
0.146(3.7)
0.130(3.3)
SOT-523
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
.035(0.90)
.028(0.70)
.067(1.70)
.059(1.50)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.014(0.35)
典型值。
0.031(0.8)
.010(0.25)
.043(1.10)
.004(0.10)MIN.
电气特性@ 25
评级
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
最大
12
---
20
-1.1
14
-0.3
-3.6
20
-0.5
---
2.86
26
---
单位
13
V
30
V
符号
参数
民
典型值
标识代码
---
V
我（关闭）
-0.5
输入电压（V
CC
= -5V ，我
O
=-100A)
最大的经常峰值反向电压
V
RRM
---
V
我（上）
(V
O
= -0.3V ，我
O
=-5mA)
---
V
O（上）
输出电压（I
O
/I
---
RMS
---
最大RMS电压
=
I
-5mA/-0.25mA
V
I
I
=
I
-5V)
输入电流（V
---
---
最大直流阻断电压
V
DC
I
O（关）
输出电流（ V
CC
=
I
0)
=-50V, V
---
---
最大正向平均
(V
O
= -5V ，我
当前
G
I
直流电流增益
纠正
O
-10mA)
=
80
I
O
---
R
1
输入阻抗
1.54
2.2
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
R
2
/R
1
电阻率
17
I
FSM
21
叠加在额定
频率
法）
过渡
负荷（ JEDEC
f
T
---
250
(V
O
= -10V ，我
O
= 5毫安中，f = 100MHz时）
典型热阻（注2 ）
R
θJA
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
.069(1.75)
.057(1.45)
符号
参数
民
典型值
最大
单位
方法2026
.035(0.90)
V
CC
电源电压
---
-50
---
V
尺寸以英寸（毫米）
极性：由阴极频带指示
-12
V
V
IN
输入电压
---
5
-100
I
O
安装位置：任意
输出电流
---
---
mA
I
C（最大值）
-100
重量
耗散
P
d
动力
：的逼近0.011克
---
150
---
mW
T
j
结温
---
150
---
最大
T
英镑
储存温度
额定值和电气特性
-55
---
150
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
10
100
100
115
150
105
150
120
200
140
200
21
V
mA
30
A
.008(0.20)
70
.004(0.10)
K
兆赫
-55
.014(0.35)
+150
.004(0.10)MAX.
.035(0.90)
.028(0.70)
0.9
0.92
C
J
T
J
TSTG
-55到+125
40
120
特征
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
-
65
到+175
.006(0.15)
*标记： E32
F
V
I
R
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
0.50
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
0.70
0.85
尺寸以英寸（毫米）
0.5
10
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
FM120-M
DTA123JE
THRU
PNP晶体管数字
FM1200-M
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
威伦
包
无铅机生产线
特点
包装外形
SOD-123H
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -M
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
18
80
56
80
10
100
70
100
115
150
105
150
120
200
140
200
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
-55到+125
40
120
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-M
V
F
@T A = 125 ℃
0.50
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
I
R
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
2012-
0
2012-06
威伦电子股份有限公司。
威伦电子COR
QQ：2881677436 复制
