DS1230W
描述
该DS1230W 3.3V 256K非易失SRAM是组织了262,144位，全静态非易失SRAM
为32,768字由8位。每个NV SRAM均自带锂电池及控制
电路连续监视V
CC
对于超出容限。当这种情况发生时，
锂电池的能量源自动切换，写保护将无条件使能，以
防止数据损坏。 DIP封装的DS1230W器件可以用于现有的32k ×8静态到位
RAM，符合流行的单字节宽， 28引脚DIP标准。该DIP器件还符合
引出线28256的EEPROM ，可直接替换并增强其性能。 DS1230W
PowerCap模块封装的器件可以直接表面安装和通常搭配
DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。本项目的数量没有限制
写能够被执行而没有任何额外的支持电路所需的微处理器周期
连接。
读取模式
该DS1230W执行一个读周期时
WE
（写使能）处于非活动状态（高）和
CE
（芯片
使能）和
OE
（输出使能）有效（低） 。由15地址输入指定的唯一地址
(A
0
– A
14
）定义其中的32768个字节的数据是要被访问。有效的数据将提供给所述
T内八个数据输出驱动器
加
（访问时间）的最后一个地址输入信号之后是稳定的，从而提供
那
CE
和
OE
（输出使能）访问时间还纳。如果
OE
和
CE
存取时间是不
满足，则数据存取，必须从后面存在的信号测量（
CE
or
OE
）和限制性
参数是吨
CO
为
CE
或T
OE
为
OE
而不是地址的访问。
写模式
该DS1230W执行一个写周期每当
WE
和
CE
信号有效（低电平）地址之后
输入是稳定的。的后面存在的下降沿
CE
or
WE
将确定的写入周期的开始。
写周期是由早期的上升沿终止
CE
or
WE
。所有地址输入必须保持
有效整个写周期。
WE
必须返回到高状态的最小恢复时间（t
WR
)
前一个循环可被启动。该
OE
控制信号应写在保持非活动状态（高）
周期，以避免总线冲突。但是，如果启用输出驱动器（
CE
和
OE
活跃的），那么
WE
将禁止在T输出
ODW
从它的下降沿。
数据保持方式
该DS1230W为V全功能的能力
CC
大于3.0伏，写保护2.8
伏。数据被保持在无Ⅴ的
CC
无需任何额外的支持电路。非易失性
静态RAM，不断监视V
CC
。如若电源电压衰减，在NV SRAM的自动
写保护自己，所有的输入变得“不关心” ，所有输出变为高阻抗。由于V
CC
低于约2.5伏下降时，功率开关电路将锂电池到
RAM保存数据。在上电期间，当V
CC
上升到高于约2.5伏时，电源
开关电路连接外部V
CC
RAM和断开锂电池的能量来源。正常
经过V RAM运行就可以恢复
CC
超过3.0伏。
保鲜
每个DS1230W设备从达拉斯半导体附带的锂能源
断开连接，保证精力充沛的能力。当V
CC
首先施加在一个水平大于3.0
伏时，锂电池启用备用电池的操作。
2 11
DS1230W
套餐
该DS1230W有两种封装： 28引脚DIP和34引脚PowerCap模块（ PCM ） 。在28-
针DIP集成了锂电池，一个SRAM存储器和非易失性控制功能到一个单一的
封装， JEDEC标准的600密耳DIP引脚排列。 34引脚PowerCap模块集成了SRAM
存储器和非易失性控制到一个模块基带触点沿着用于连接到所述锂
电池在DS9034PC的PowerCap 。 PowerCap模块封装的设计使DS1230W是
表面上，而不必经受了备用锂电池破坏性的高温回流焊
焊接。经过DS1230W模块底座回流焊接，一个DS9034PC的PowerCap被抢购一空顶部
作为碱，以形成一个完整的非易失SRAM模块。该DS9034PC是键控，以防止不适当的
附件。 DS1230W模组基地和DS9034PC PowerCaps单独订购和运输
不同的容器。看到DS9034PC数据手册了解更多信息。
绝对最大额定值*
任何引脚相对地电压
工作温度
储存温度
焊接温度
-0.3V至+ 4.6V
0 ° C至70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件
-40 ° C至+ 70 ° C， -40 ° C至+ 85°C的IND件
260℃ 10秒
*这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他条件
超出本规范的操作部分表示是不是暗示。接触
绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
参数
电源电压
逻辑1
逻辑0
符号
V
CC
V
IH
V
IL
民
3.0
2.2
0.0
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
0.4
(t
A
：见注10 ）
单位
V
V
V
笔记
DC电气特性
参数
输入漏电流
I / O漏电流
CE
≥
V
IH
≤
V
CC
输出电流@ 2.2V
输出电流@ 0.4V
待机电流
CE
=2.2V
待机电流
CE
=V
CC
-0.2V
工作电流
写保护电压
符号
I
IL
I
IO
I
OH
I
OL
I
CCS1
I
CCS2
I
CCO1
V
TP
(t
A
：见注10 ）（V
CC
=3.3V
±=3.0V)
民
-1.0
-1.0
-1.0
2.0
50
30
2.8
2.9
250
150
50
3.0
典型值
最大
+1.0
+1.0
单位
V
A
mA
mA
A
A
mA
V
笔记
3 11
DS1230W
读周期
见注1
写周期1
见注释2 ， 3 ， 4 ， 6 ， 7 ， 8 ，12
5 11
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