晶体管
DTA115TH / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
数字晶体管（内置电阻）
DTA115TH / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
!
特点
1 ）内置偏置电阻实现的配置
无需连接外部输入逆变器电路
电阻器。
2）偏置电阻由薄膜电阻与
完全隔离，允许输入的正偏压，
和寄生效应几乎完全消除。
3）仅在开/关的条件需要被设置
操作，使装置的设计容易。
4 ）更高的安装密度可以实现。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
DTA115TH
1.6
0.85
0.27
(1)
0.5 0.5
(3)
(2)
0.12
0
~
0.1
0.7
1.0
1.6
ROHM ： EMT3H
EIAJ ：SC- 89
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
(1)
(2)
0.2
0.5 0.5
DTA115TE
0.3
(3)
0.8
0.15
0.55
0.1Min.
0~0.1
0.7
!
电路原理图
C
R
1
ROHM ： EMT3
EIAJ ： SC- 75A
1.6
0.2
1.0
1.6
B
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
E
(1)
DTA115TUA
E：发射器
C：收藏家
B：基本
0.3
(3)
0.65 0.65
0.7
1.25
2.1
0.15
0.2
(2)
1.3
0.9
每根导线具有相同的尺寸
0.1~0.4
0~0.1
2.0
ROHM ： UMT3
EIAJ ： SC- 70
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
(1)
DTA115TKA
0.4
(3)
1.6
2.8
0.15
0.3
~
0.6
0
~
0.1
0.8
1.1
0.95 0.95
1.9
2.9
(2)
每根导线具有相同的尺寸
ROHM ： SMT3
EIAJ ： SC- 59
(1)Emitter
(2)Base
(3)Collector
DTA115TSA
3
4
2
(15Min.)
3Min.
0.45
大坪规格
2.5
5
(1)(2)(3)
0.5 0.45
ROHM ： SPT
EIAJ ：SC- 72
(1)Emitter
(2)Collector
(3)Base
晶体管
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
DTA115TH / DTA115TE / DTA115TUA /
DTA115TKA / DTA115TSA
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
50
50
5
100
150
200
300
150
55
~
+150
°C
°C
mW
单位
V
V
V
mA
DTA115TH / DTA115TE
集电极电源
DTA115TUA / DTA115TKA
耗散
DTA115TSA
结温
储存温度
!
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
包装代码
基本订购单位（件）
DTA115TH
EMT3H
99
T2L
8000
DTA115TE DTA115TUA DTA115TKA DTA115TSA
EMT3
99
TL
3000
UMT3
99
T106
3000
SMT3
99
T146
3000
SPT
TP
5000
!
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流
传输比
输入阻抗
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
R
1
f
T
分钟。
50
50
5
100
70
典型值。
250
100
250
马克斯。
0.5
0.5
0.3
600
130
单位
V
V
V
A
A
V
k
MH
Z
I
C
=50A
I
C
=1mA
I
E
=50A
V
CB
=50V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=1mA/0.1mA
I
C
=1mA
, V
CE
=5V
V
CE
=10V
, I
E
=5mA
， F = 100MH
Z
跃迁频率
*转换
频设备。
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