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DT2955

P沟道增强模式

场效应晶体管

特点

·

·

·

·

·

高密度DMOS技术

低通态电阻

高功率和电流能力

开关速度快

高瞬态公差

SOT-223

暗淡

A

B

民

6.30

2.90

6.71

3.30

2.22

0.92

1.10

1.55

0.025

0.66

4.55

—

10°

0.254

10°

最大

6.71

3.10

7.29

3.71

2.35

1.00

1.30

1.80

0.102

0.79

4.70

10°

16°

0.356

16°

A

B

C

D

E

D

C D

G

E

D

S

G

H

G

P

R

S

H

J

K

L

M

N

P

R

S

J

K

L

M

N

机械数据

·

·

SOT- 223塑料外壳

终端连接：见外形图

而内部电路框图以上

尺寸：mm

最大额定值

漏源电压

栅源电压

漏电流

最大功率耗散

25 ° C除非另有说明

符号

V

DSS

V

GSS

注1A连续

脉冲

注1A

注1B

注1C

I

D

P

d

T

j

, T

英镑

价值

-60

±20

-2.5

-15

3.0

1.3

1.1

-65到+150

单位

V

V

A

W

°C

特征

工作和存储温度范围

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

注意事项：

注1

符号

R

qJA

R

QJC

价值

42

12

单位

° C / W

° C / W

1. R

qJA

是的总和的结点至外壳和外壳到环境，其中热的情况下引用定义为热敏电阻

的漏极引脚的焊锡安装表面。

QJC

由设计而

QCA

是通过用户的电路板的设计来确定。

1A 。随着1

2

盎司2盎司铜安装垫

qJA

= 42 ° C / W 。

1B 。在0.0066

2

盎司2盎司铜安装垫

qJA

= 95 ° C / W 。

1C 。在0.0123

2

盎司2盎司铜安装垫

qJA

= 110 ° C / W 。

DS11610版本C - 4

1 4

DT2955

电气特性

25 ° C除非另有说明

特征

开关特性

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

T

j

= 125°C

门体泄漏，正向

门体泄漏，反向

基本特征（注2 ）

栅极阈值电压

T

j

= 125°C

静态漏源导通电阻

T

j

= 125°C

通态漏电流

正向跨导

动态CHACTERISTICS

输入电容

输出电容

反向传输电容

开关特性（注2 ）

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

—

—

—

—

—

—

—

8.0

20

20

5.0

16

2.0

4.0

15

40

40

20

25

5.0

8.0

ns

ns

ns

ns

nC

nC

nC

V

DS

= -30V 。我

D

= -2.5A.

V

GS

= -10V

V

DD

= -30V ，我

D

= -1.0A

V

根

= -10V ，R

根

= 6.0W

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

—

—

—

570

140

40

—

—

—

pF

pF

pF

V

DS

= -25V, V

GS

= 0V

F = 1.0MHz的

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

I

D（上）

g

FS

-2.0

-0.8

—

-12

—

-2.4

-2.0

0.21

0.3

0.36

—

3.5

-4.0

-2.6

0.30

0.45

0.50

—

—

V

W

A

m

V

DS

= V

GS

, I

D

= -250A

V

GS

= -10V ，我

D

= -2.5A

V

GS

= -10V ，我

D

= -2.5A

V

GS

= -4.5V ，我

D

= -2.0A

V

GS

= -10V, V

DS

= -5.0V

V

DS

= -10V ，我

D

= -2.5A

BV

DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

-60

—

—

—

—

—

—

—

—

-10

-100

100

-100

V

A

nA

nA

V

GS

= 0V时，我

D

= -250A

V

DS

= -60V, V

GS

= 0V

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

GS

= -20V, V

DS

= 0V

符号

民

典型值

最大

单位

测试条件

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管

I

S

—

—

正向电流

漏源二极管的正向电压

注意事项：

V

SD

—

—

-2.3

-1.3

A

V

V

GS

= 0V时，我

S

= -2.5A （注2）

2.脉冲测试：脉冲宽度

l

300μS ，占空比

l

2.0%.

DS11610版本C - 4

2 4

DT2955

V

GS

= -10V -8.0

-7.0

R

DS （ ON）

归一漏极 - 源极导通电阻

-12

3.0

V

GS

= -4.0V

-4.5

I

D

，漏源电流（A ）

-6.0

-5.0

-5.5

-6.0

-9

2.5

-5.5

2.0

-6

-5.0

1.5

-4.5

-7.0

-8.0

-3

-4.0

1.0

-10

0

0

-1

-2

-3

-4

-5

V

DS

，漏源电压（V ）

图。 1 ，在区域特征

-3.5

0.5

-6

0

-3

-6

-9

-12

-15

I

D

，漏电流（ A）

图。 2 ，导通电阻与栅极电压和漏极电流

R

DS （ ON）

归一漏极 - 源极导通电阻

1.6

-10

V

GS

= -10V

I

D

= -2.5A

V

DS

= -10V

T

J

= -55 C

125 C

I

D

，漏电流（ A）

1.4

-8

25 C

1.2

-6

1.0

-4

0.8

-2

0.6

-50

-25

0

25

50

75

100 125

150

0

-2

-3

-4

-5

-6

-7

V

GS

，门源电压（ V）

图。 4 ，漏极电流与栅极电压&温度

T

j

，结温（ C）

图。 3 ，导通电阻与温度

DS11610版本C - 4

3 4

DT2955

20

10

N)

(O

10

1m

L

IT

IM

0

s

s

10

10

1s

s

0m

s

-I

D

，漏电流（ A）

ms

R

D

S

1

dc

10

0.1

V

GS

= -10V

单脉冲

R

qJA

= 42 C

T

A

= 25 C

0.01

0.1

1.0

10

100

-V

DS

，漏源电压（V ）

图。 5 ，最大安全工作区

1.0

D = 0.5

R（T ），规范有效

瞬态热阻

0.2

0.1

0.1

0.05

0.02

0.01

P

（ PK）

R

qJA

（ T） = R（T ） B R

qJA

R

qJA

=见注释1℃

0.01

单脉冲

t

1

t

2

T

J

- T

A

= P

PK

B R

qJA

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1.0

10

100

1000

3000

t

1

，方波脉冲持续时间（秒）

图。 6 ，典型归瞬态热阻抗曲线

注：条件下热特性进行

附注1C描述。瞬态热响应将发生变化

根据电路板的设计。

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4 4

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