【Ennnnnn超前信息字宽FlashFile Memory系列28F160S3 ， 28F320S】,IC型号DT28F320S3-120,DT28F320S3-120 PDF资料,DT28F320S3-120经销商,ic,电子元器件-51电子网

超前信息

字宽

FlashFile Memory系列

28F160S3 ， 28F320S3

包含扩展温度规格

两个32字节的写缓冲器

2.7

每字节有效

编程时间

低电压操作

2.7V或3.3V V

2.7V ， 3.3V或5V V

100纳秒读取时间（ 16兆）

110纳秒读取时间（ 32兆）

高密度对称阻止

架构

32个64字节擦除块（ 16兆）

64 64字节擦除块（ 32兆）

系统性能增强

STS状态输出

行业标准包装

μBGA *

封装， SSOP和

TSOP （ 16兆）

μBGA *

封装和SSOP （ 32兆）

交叉兼容命令支持

英特尔标准命令集

通用闪存接口（ CFI ）

可扩展指令集（ SCS ）

100000块擦除周期

增强的数据保护功能

绝对保护与V

= GND

灵活的块锁定

块擦除/编程锁定

电源转换期间

配置x8或x16 I / O

自动化暂停选项

计划暂停阅读

块擦除挂起到计划

块擦除挂起阅读

ETOX V非易失性闪存

技术

英特尔的字宽FlashFile 存储系列产品提供高密度，低成本，非易失性，读/写存储

解了广泛的应用。该字宽FlashFile的回忆都可以在不同的

密度在同一封装类型。其对称地封架构，灵活的电压，并延长

骑自行车提供适合居住闪存阵列，西姆斯和存储卡高度灵活的组件。

增强的暂停功能，提供代码或数据存储应用的理想解决方案。对于安全

代码存储应用，如网络，其中代码被直接执行的总分闪光或

下载到DRAM中，字宽FlashFile的回忆提供了三个级别的保护：绝对保护

随着V

在GND ，有选择性的块锁和程序/擦除过程中的功率转换锁定。这些

替代方案为设计人员提供其代码的安全性需求的最终控制权。

该系列产品在英特尔的0.4制造

ETOX V工艺技术。它配备了

行业标准的56引脚SSOP和

μBGA

包。此外，在16兆设备处于可用

工业标准的56引脚TSOP封装。

1997年6月

订单号： 290608-001

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F160S3和28F320S3可能包含设计缺陷或勘误表错误。当前勘误表可

根据要求提供。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱7641

山展望， IL 60056-7641

或致电1-800-879- 4683

或访问英特尔网站为http ： \\\\ www.intel.com

CG-041493

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

28F160S3 ， 28F320S3

页面

4.9字节/字写命令........................ 27

4.10 STS配置命令................... 28

4.11块擦除挂起命令.............. 28

4.12计划暂停命令................... 28

4.13设置块锁定位命令................. 29

4.14清除块锁定位命令.............. 29

5.0设计考虑........................ 39

5.1三线输出控制.......................... 39

5.2 STS和WSM投票................................ 39

5.3电源去耦.......................... 39

5.4 V

跟踪印刷电路板........... 39

5.5 V

, V

， RP ＃转换.......................... 39

5.6电/断电保护........................ 39

6.0电气特性.................. 40

6.1绝对最大额定值........................ 40

6.2工作条件.................................. 40

6.2.1电容......................................... 41

6.2.2 AC输入/输出测试条件......... 41

6.2.3直流特性............................... 42

6.2.4交流特性 - 只读

Operations..........................................44

6.2.5交流特性 - 写操作0.46

6.2.6复位操作................................. 48

6.2.7擦除，编程和锁定位

配置性能................. 49

附录A ：设备术语和

订购信息.................................. 51

附录B ：附加信息............... 52

1.0简介............................................. 5

1.1新功能...............................................五

1.2产品概述......................................... 5

1.3引脚与引脚说明........................... 6

2.0操作原理..................... 10

2.1数据保护.......................................... 11

3.0总线操作......................................... 12

3.1阅读................................................ .......... 12

3.2输出禁止........................................... 12

3.3待机................................................ ...... 12

3.4深度掉电..................................... 12

3.5读查询操作............................... 12

3.6读取识别码操作................ 13

3.7写................................................ .......... 13

4.0命令定义............................ 13

4.1读阵列命令................................ 16

4.2读取查询模式命令..................... 17

4.2.1查询结构输出....................... 17

4.2.2查询结构概述................... 19

4.2.3模块状态寄存器.......................... 20

4.2.4 CFI查询标识字符串............. 21

4.2.5系统界面的信息............... 22

4.2.6设备几何定义................. 23

4.2.7英特尔特定的扩展查询表... 24

4.3读取识别码命令............... 25

4.4读状态寄存器命令................ 25

4.5清除状态寄存器命令................ 26

4.6块擦除命令.............................. 26

4.7整片擦除命令......................... 26

4.8写入buffer命令........................... 27

超前信息

28F160S3 ， 28F320S3

修订历史

描述

蓝本

数

-001

超前信息

1.0

1.1

28F160S3 ， 28F320S3

该系列产品的快速厂进行了优化

编程和低功耗设计。特别是

专为3V系统中， 28F160S3和

28F320S3支持读取操作在2.7V - 3.6V

VCC与在块擦除和编程操作

2.7V - 3.6V和5V V

。高级编程

性能是通过高度优化的实现

写缓冲器。 5V的V

选项可用于连

更快的工厂编程。对于一个简单的低功耗

设计，V

和V

可连接到2.7V 。

此外，该专用V

销给了完整的

数据保护时， V

≤

PPLK

内部V

发现

配置设备

操作。

电路自动

优化写

介绍

该数据表包含16位和32 Mbit的字处理

广FlashFile

内存（ 28F160S3和

28F320S3 ）规范。第1节提供

闪存总览。第2， 3 ，4和5

描述存储器组织和功能。

第6节涵盖了电气规格

宽温产品供应。

新功能

该字宽FlashFile内存的家人保持

与英特尔的28F016SA和基本的兼容性

28F016SV 。主要增强功能包括：

通用闪存接口（ CFI ）支持

可扩展指令集（ SCS ）支持

低电压技术

增强的挂起功能

它们共享一个兼容的状态寄存器，基本

软件指令和引脚排列。这些相似之处

实现从28F016SA或干净的迁移

28F016SV 。在升级时，需要注意的是很重要的

以下区别：

因为新的功能和密度选项，

设备具有不同的制造商和

设备识别码。这允许软件

最优化。

新的软件命令。

拿上利用低电压

28F160S3

和

28F320S3,

允许

连接到V

。该28F160S3和

28F320S3不支持12V V

选项。

一个通用闪存接口（ CFI ）允许OEM-

要用于整个指定的软件算法

设备的家庭。这允许独立于设备的，

JEDEC的ID无关，和前向和

对于向后兼容的软件支持

指定的闪存设备系列。闪存厂商可以

标准化的现有接口，用于长期

兼容性。

可扩展指令集（ SCS ）允许一个单一的，

在所有的主机系统简单的软件驱动程序工作

与所有SCS兼容的闪存设备，

独立的系统级封装（例如

存储卡， SIMM ，或直接到板位置）。

另外，

SCS

提供

该

HIGHEST

系统/设备的数据传输速率和最小化

设备和系统级的实施成本。

A命令的用户界面（ CUI）作为

系统处理器之间的接口

内部设备操作。一个有效的命令

顺序写入崔启动装置

自动化。内部写状态机（ WSM ）

自动执行的算法和时序

必需的块擦除，编程，和锁定位

配置操作。

块擦除操作会擦除设备中的一个

通常在吨64千字节块

WHQV2/EHQV2

独立于其他块。每个块可以是

独立擦除10万次。块擦除

暂停模式允许系统软件暂停

块擦除从任何其它读取或写入数据

块。

数据编程的字节，字或页面

增量。程序挂起模式使

系统读取的数据或从任何其他执行代码

快闪存储器阵列的位置。

1.2

产品概述

该字宽FlashFile内存系列产品提供

同为兼容的引脚密度升级

16位和32兆位密度。他们是高

性能回忆安排1 Mword和

2 Mwords的16比特或2兆字节和4兆字节的

8位。这个数据被分组在32和第六十

4个64字节块可擦除，锁定

和解锁的系统内。图1示出了块

图，图5示出存储器

组织。

超前信息

超前信息

字宽

FlashFile Memory系列

28F160S3 ， 28F320S3

包含扩展温度规格

两个32字节的写缓冲器

2.7

每字节有效

编程时间

低电压操作

2.7V或3.3V V

2.7V ， 3.3V或5V V

100纳秒读取时间（ 16兆）

110纳秒读取时间（ 32兆）

高密度对称阻止

架构

32个64字节擦除块（ 16兆）

64 64字节擦除块（ 32兆）

系统性能增强

STS状态输出

行业标准包装

μBGA *

封装， SSOP和

TSOP （ 16兆）

μBGA *

封装和SSOP （ 32兆）

交叉兼容命令支持

英特尔标准命令集

通用闪存接口（ CFI ）

可扩展指令集（ SCS ）

100000块擦除周期

增强的数据保护功能

绝对保护与V

= GND

灵活的块锁定

块擦除/编程锁定

电源转换期间

配置x8或x16 I / O

自动化暂停选项

计划暂停阅读

块擦除挂起到计划

块擦除挂起阅读

ETOX V非易失性闪存

技术

英特尔的字宽FlashFile 存储系列产品提供高密度，低成本，非易失性，读/写存储

解了广泛的应用。该字宽FlashFile的回忆都可以在不同的

密度在同一封装类型。其对称地封架构，灵活的电压，并延长

骑自行车提供适合居住闪存阵列，西姆斯和存储卡高度灵活的组件。

增强的暂停功能，提供代码或数据存储应用的理想解决方案。对于安全

代码存储应用，如网络，其中代码被直接执行的总分闪光或

下载到DRAM中，字宽FlashFile的回忆提供了三个级别的保护：绝对保护

随着V

在GND ，有选择性的块锁和程序/擦除过程中的功率转换锁定。这些

替代方案为设计人员提供其代码的安全性需求的最终控制权。

该系列产品在英特尔的0.4制造

ETOX V工艺技术。它配备了

行业标准的56引脚SSOP和

μBGA

包。此外，在16兆设备处于可用

工业标准的56引脚TSOP封装。

1997年6月

订单号： 290608-001

本文档中的信息均与英特尔产品相关。没有许可证，明示或暗示，禁止反言或

否则，任何知识产权授予本文件。除英特尔的条款和条件提供

出售此类产品，英特尔概不承担任何责任，英特尔公司不对任何明示或暗示的担保，以

英特尔产品的销售和/或使用包括责任或与适合特定目的的适销性保证，或

侵犯任何专利，版权或其他知识产权。英特尔产品并非设计用于医疗，生活中使用

拯救或延长生命的应用。

英特尔可能随时更改规格和产品说明，在任何时候，恕不另行通知。

该28F160S3和28F320S3可能包含设计缺陷或勘误表错误。当前勘误表可

根据要求提供。

请联系您当地的英特尔销售办事处或分销商，以获取最新的规格和订购产品之前。

哪个有顺序编号的文档或其他英特尔文献中提及的文件副本，可能是

从获得的：

英特尔公司

P.O.箱7641

山展望， IL 60056-7641

或致电1-800-879- 4683

或访问英特尔网站为http ： \\\\ www.intel.com

CG-041493

*第三方品牌和名称均为其各自所有者的财产。

28F160S3 ， 28F320S3

页面

4.9字节/字写命令........................ 27

4.10 STS配置命令................... 28

4.11块擦除挂起命令.............. 28

4.12计划暂停命令................... 28

4.13设置块锁定位命令................. 29

4.14清除块锁定位命令.............. 29

5.0设计考虑........................ 39

5.1三线输出控制.......................... 39

5.2 STS和WSM投票................................ 39

5.3电源去耦.......................... 39

5.4 V

跟踪印刷电路板........... 39

5.5 V

, V

， RP ＃转换.......................... 39

5.6电/断电保护........................ 39

6.0电气特性.................. 40

6.1绝对最大额定值........................ 40

6.2工作条件.................................. 40

6.2.1电容......................................... 41

6.2.2 AC输入/输出测试条件......... 41

6.2.3直流特性............................... 42

6.2.4交流特性 - 只读

Operations..........................................44

6.2.5交流特性 - 写操作0.46

6.2.6复位操作................................. 48

6.2.7擦除，编程和锁定位

配置性能................. 49

附录A ：设备术语和

订购信息.................................. 51

附录B ：附加信息............... 52

1.0简介............................................. 5

1.1新功能...............................................五

1.2产品概述......................................... 5

1.3引脚与引脚说明........................... 6

2.0操作原理..................... 10

2.1数据保护.......................................... 11

3.0总线操作......................................... 12

3.1阅读................................................ .......... 12

3.2输出禁止........................................... 12

3.3待机................................................ ...... 12

3.4深度掉电..................................... 12

3.5读查询操作............................... 12

3.6读取识别码操作................ 13

3.7写................................................ .......... 13

4.0命令定义............................ 13

4.1读阵列命令................................ 16

4.2读取查询模式命令..................... 17

4.2.1查询结构输出....................... 17

4.2.2查询结构概述................... 19

4.2.3模块状态寄存器.......................... 20

4.2.4 CFI查询标识字符串............. 21

4.2.5系统界面的信息............... 22

4.2.6设备几何定义................. 23

4.2.7英特尔特定的扩展查询表... 24

4.3读取识别码命令............... 25

4.4读状态寄存器命令................ 25

4.5清除状态寄存器命令................ 26

4.6块擦除命令.............................. 26

4.7整片擦除命令......................... 26

4.8写入buffer命令........................... 27

超前信息

28F160S3 ， 28F320S3

修订历史

描述

蓝本

数

-001

超前信息

1.0

1.1

28F160S3 ， 28F320S3

该系列产品的快速厂进行了优化

编程和低功耗设计。特别是

专为3V系统中， 28F160S3和

28F320S3支持读取操作在2.7V - 3.6V

VCC与在块擦除和编程操作

2.7V - 3.6V和5V V

。高级编程

性能是通过高度优化的实现

写缓冲器。 5V的V

选项可用于连

更快的工厂编程。对于一个简单的低功耗

设计，V

和V

可连接到2.7V 。

此外，该专用V

销给了完整的

数据保护时， V

≤

PPLK

内部V

发现

配置设备

操作。

电路自动

优化写

介绍

该数据表包含16位和32 Mbit的字处理

广FlashFile

内存（ 28F160S3和

28F320S3 ）规范。第1节提供

闪存总览。第2， 3 ，4和5

描述存储器组织和功能。

第6节涵盖了电气规格

宽温产品供应。

新功能

该字宽FlashFile内存的家人保持

与英特尔的28F016SA和基本的兼容性

28F016SV 。主要增强功能包括：

通用闪存接口（ CFI ）支持

可扩展指令集（ SCS ）支持

低电压技术

增强的挂起功能

它们共享一个兼容的状态寄存器，基本

软件指令和引脚排列。这些相似之处

实现从28F016SA或干净的迁移

28F016SV 。在升级时，需要注意的是很重要的

以下区别：

因为新的功能和密度选项，

设备具有不同的制造商和

设备识别码。这允许软件

最优化。

新的软件命令。

拿上利用低电压

28F160S3

和

28F320S3,

允许

连接到V

。该28F160S3和

28F320S3不支持12V V

选项。

一个通用闪存接口（ CFI ）允许OEM-

要用于整个指定的软件算法

设备的家庭。这允许独立于设备的，

JEDEC的ID无关，和前向和

对于向后兼容的软件支持

指定的闪存设备系列。闪存厂商可以

标准化的现有接口，用于长期

兼容性。

可扩展指令集（ SCS ）允许一个单一的，

在所有的主机系统简单的软件驱动程序工作

与所有SCS兼容的闪存设备，

独立的系统级封装（例如

存储卡， SIMM ，或直接到板位置）。

另外，

SCS

提供

该

HIGHEST

系统/设备的数据传输速率和最小化

设备和系统级的实施成本。

A命令的用户界面（ CUI）作为

系统处理器之间的接口

内部设备操作。一个有效的命令

顺序写入崔启动装置

自动化。内部写状态机（ WSM ）

自动执行的算法和时序

必需的块擦除，编程，和锁定位

配置操作。

块擦除操作会擦除设备中的一个

通常在吨64千字节块

WHQV2/EHQV2

独立于其他块。每个块可以是

独立擦除10万次。块擦除

暂停模式允许系统软件暂停

块擦除从任何其它读取或写入数据

块。

数据编程的字节，字或页面

增量。程序挂起模式使

系统读取的数据或从任何其他执行代码

快闪存储器阵列的位置。

1.2

产品概述

该字宽FlashFile内存系列产品提供

同为兼容的引脚密度升级

16位和32兆位密度。他们是高

性能回忆安排1 Mword和

2 Mwords的16比特或2兆字节和4兆字节的

8位。这个数据被分组在32和第六十

4个64字节块可擦除，锁定

和解锁的系统内。图1示出了块

图，图5示出存储器

组织。

超前信息