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DMMT3904W
MATCHED NPN小信号表面贴装晶体管
电压
特点
NPN硅外延,平面设计
集电极 - 发射极电压V
CE
= 40V
集电极电流I
C
= 200毫安
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
40伏
动力
200毫瓦
机械数据
案例: SOT -363 ,塑料
终端:每MIL -STD- 750 ,方法2026焊性
约。重量: 0.008克
标记: S4A
绝对额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
功率耗散(注2 )
热阻,结到环境(注2 )
工作和存储温度范围
符号
V
BO
V
EO
V
EBO
I
C
P
合计
R
θ
JA
T
J
,T
英镑
价值
60
40
6.0
200
200
625
-55到150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C / W
O
C
注1 :内置与相邻死于单一晶片上。
2 :设备安装在PCB FR5 : 1.0x0.75x0.62英寸
6
5
4
1
2
3
Fig.108
STAD-MAR.23.2007
PAGE 。 1
DMMT3904W
电气特性
PA RA M E TE
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
C 0 L L权证吨 R C UT F F C-UR 鄂西北
B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
S YM B○升
V
( B R )
C B
V
( B R )
权证
V
( B R )
E B
I
权证X
I
B·L
特S T C 0 N D I T I O
I
C
= 1 0 U A,I
E
= 0
I
C
= 1 。 0米A,I
B
= 0
I
E
= 1 0 U A,I
C
= 0
V
权证
= 3 0 V , V
E B (O FF )
= 3 . 0 V
V
权证
= 3 0 V , V
E B (O FF )
= 3 . 0 V
I
C
= 0 。 1米,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 。 0米A,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 0米A,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 5 0米A,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 0 0米A,V
权证
= 1 . 0 V
I
C
= 1 0微米的,我
B
= 1 。 0米一
I
C
= 5 0米A,I
B
= 5 。 0米一
I
C
= 1 0微米的,我
B
= 1 。 0米一
I
C
= 5 0米A,I
B
= 5 。 0米一
V
权证
= 5 V,I
C
= 2m的
V
C B
= 5 V,I
E
= 0 , F = 1 M·H
V
C B
= 0 。 5 V,I
C
= 0 , F = 1 M·H
M IN 。
60
40
6 .0
-
-
40
70
100
60
30
-
0 .6 5
-
-
-
-
1 .0
0 .5
V
权证
= 1 0 V,I
C
= 0 M A, F = 1 。 0 K时
S M一L L S I克呐L C乌尔鄂西北G A I N
UT P UT一D M I T T A NC é
C-UR重新NT克有效成分N- B中的第二宽度P杆UC吨
O I S E F I G乌尔ê
D E L的钛M E
R I发E钛M E
S T R A克é钛M E
F A L L钛M E
h
fe
h
oe
ft
NF
td
tr
ts
tf
V
权证
2 = 0 V,I
C
= 1 0米A, F = 1 0 0 M·H
V
CE
=5 .0 V,
I
C
= 1 0 0
A,R S = 1 。 0 K时
,
F = 1 。 0 K时
V
CC
=3 V,V
BE
=-0 .5 V,
I
C
= 1 0微米的,我
B
= 1 。 0米一
V
C C
= 3 V , V
Bé (O FF )
= - 0 . 5 V ,
I
C
= 1 0微米的,我
B
= 1 。 0米一
V
C C
= 3 V,I
C
= 1 0微米的
I
B
1 = I
B
2 = 1 。 0米一
V
C C
= 3 V,I
C
= 1 0微米的
I
B
1 = I
B
2 = 1 。 0米一
100
1 .0
300
-
-
-
-
-
400
40
-
5 .0
35
35
200
50
-
s
兆赫
dB
ns
ns
ns
ns
MA X 。
-
-
-
50
50
-
-
300
-
-
0 .2
0 .3
0 .8 5
0 .9 5
1
4 .0
8 .0
10
8
ü妮吨s
V
V
V
nA
nA
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
FE
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特武ltage M ATC吴喜
UT P UT ℃的P A C I T A NC é
在P ü T C的p一个C I T A N权证
在P ü吨林P E D A N权证
武LTA克è F E E D B A C K镭TI
V
权证(S AT )
V
B E( AT )
V
BE
C
OB
C
IBO
h
I E
h
re
V
V
mV
pF
pF
k
x1 0
- 4
注2 :脉冲测试:脉冲宽度< 300我们,占空比< 2.0 % 。
STAD-MAR.23.2007
PAGE 。 2
DMMT3904W
电气特性曲线
300
250
200
T
J
=150 C
o
V
CE
=1V
1.400
1.200
1.000
T
J
=100
o
C
V
BE
(V)
h
FE
150
100
50
0
0.01
0.1
0.800
0.600
0.400
0.200
T
J
=150
o
C
T
J
=25
o
C
T
J
=100 C
o
T
J
=25
o
C
1
10
100
1000
0.000
0.01
V
CE
=1V
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 2.典型的VBE与集电极电流
图。 1.典型
FE
与集电极电流
1.000
1.0
T
J
=25
o
C
I
C
/ I
B
=10
V
CE
(饱和)(毫伏)
T
J
=150
o
C
V
BE
( SAT ) (V )
T
J
=100
o
C
0.100
T
J
=25
o
C
T
J
=150 C
o
I
C
/ I
B
=10
0.010
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
0.01
0.1
1.0
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
CE (SAT)
与集电极电流
图。 4.典型的V
BE ( SAT )
VS集电极电流
10
C
IB
( EB)的
电容(pF)
T =25
o
C
J
C
OB
( CB )
1
0.1
1
10
100
反向电压, V
R
(V)
图。 5.典型的电容与反向电压
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DMMT3904W
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 10K每13"塑料卷
T / R - 每7 “的塑料卷盘3K
法律声明
版权所有强茂国际2007年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改,恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保,声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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