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DS7800 DS8800双电压电平转换器
1986年6月
DS7800 DS8800双电压电平转换器
概述
在DS7800 DS8800是双电压转换器设计
对于传统的TTL或LS电压列弗之间的接口
ELS和那些高阻抗相关联的水平junc-
灰或MOS REF型器件的设计允许用户一
在他选择的电源电压很大的自由度。因此
提供输出的定制控制挥杆翻译
在模拟开关和自低功耗特别有用
损耗发生在'关'状态的最低系统功耗
是必须的
特点
Y
Y
Y
Y
Y
31伏(最大)的输出摆幅
在正常状态下1毫瓦的功耗
标准的5V电源
温度范围
b
55 ℃
a
125 C
DS7800
DS8800
0 ℃
a
70 C
兼容所有MOS器件
原理图和接线图
金属罐包装
TL F 5827 - 2
顶视图
订单号DS7800H或DS8800H
见NS包装数H10C
TL F 5827 - 1
典型应用
4通道模拟开关
双极为MOS接口技术
TL F 5827 - 4
TL F 5827 - 3
的范围内的模拟信号
a
8V至
b
8V
C
1995年全国半导体公司
TL F 5827
RRD - B30M105印制在U S A
绝对最大额定值
(注1 )
如果是用于军事航空领域的专用设备是必需的
请向美国国家半导体销售
办公经销商咨询具体可用性和规格
V
CC
电源电压
V2电源电压
V3电源电压
V3 -V2电压差分
输入电压
储存温度
在25℃时最大功率耗散
金属罐( TO- 5 )封装
减免金属罐包装4 6毫瓦C以上25°C
工作条件
电源电压V
CC
DS7800
DS8800
温度(T
A
)
DS7800
DS8800
45
4 75
b
55
最大
55
5 25
a
125
a
70
单位
V
V
C
C
7 0V
b
30V
30V
40V
5 5V
b
65℃,以
a
150 C
0
引线温度(焊接4秒)
260 C
690毫瓦
电气特性
(注2和3)
符号
V
IH
V
IL
I
IH
参数
逻辑' 1', '输入电压
逻辑'' 0 ''输入电压
逻辑' 1', '输入电流
V
CC
e
V
CC
e
V
CC
e
最大
V
IN
e
2 4V
V
IN
e
5 5V
I
IL
I
OL
逻辑'' 0 ''输入电流
输出灌电流
V
CC
e
MAX V
IN
e
0 4V
V
CC
e
闵V
IN
e
2V
V3开放
I
OH
R
O
V
OL
I
CC( MAX)的
I
CC(分钟)
输出电压泄漏
输出集电极电阻
逻辑' 0 '输出电压
电源电流
输出' 'ON ''每门
电源电流
输出' OFF ''每门
DS7800
DS8800
16
23
10
11 5
16 0
20 0
V
2
a
2 0
0 85
0 22
16
0 41
b
0 2
条件
20
典型值
(注6 )
最大
单位
V
08
5
1
b
0 4
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
kX
V
mA
mA
V
CC
e
MAX V
IN
e
0 8V (注4和7 )
T
A
e
25 C
V
CC
e
闵V
IN
e
2 0V (注7 )
V
CC
e
MAX V
IN
e
4 5V (注5)
V
CC
e
MAX V
IN
e
0V (注5)
开关特性
T
A
e
25 C
符号
t
pd0
t
pd1
参数
过渡时间逻辑
''0 ''输出
过渡时间逻辑
''1 ''输出
标称电源,除非另有说明
条件
25
25
典型值
70
62
最大
125
125
单位
ns
ns
T
A
e
25 C C
e
15 pF的(注8)
T
A
e
25 C C
e
15 pF的(注9 )
注1
''绝对最大额定值''是那些价值超过该设备的安全性不能得到保证除'工作温度范围''
它们不意味着暗示该设备应在这些限制下操作的''电气特性“”该表提供了条件,实际的设备
手术
注2
除非另有说明,最小最大限制适用跨越
b
55 ℃
a
125℃的温度范围内为DS7800和跨越0 ℃至
a
70℃范围
在DS8800
注3
所有电流为器件引脚显示为阳性出来的器件引脚为负电压,所有引用到地面,除非另有说明,所有显示的值
为最大或最小的绝对值基础
注4
电流测量从V画
3
供应
注5
电流测量从V画
CC
供应
注6
所有典型值是在T测
A
e
25℃与V
CC
e
5 0V V
2
E B
22V V
3
E A
8V
注7:
规范适用于v的所有允许值
2
和V
3
注8
测得的1 5V输入至50 %的水平上输出
注9
从1测5V输入为逻辑' 0 '加电压1V
2
工作原理
两个输入二极管执行与功能上的TTL IN-
放的电压电平。当至少一个输入电压是一个的Logical
CAL '' 0 ''电流从V
CC
(标称5 0V )通过
R
1
和流出输入端(多个)是在低电压的其它
比小的泄漏电流这个电流从V画
CC
经过20的kX电阻的功率耗散的唯一来源
而不能使在逻辑' 1 '输出状态
当两个输入都为逻辑' 1 '的水平电流通过
通过研究
1
并转移到晶体管Q
1
在把它和
因此,目前的拉动过R
2
电流随后被提供给
PNP晶体管Q
2
造成电流的电压损失
租至Q
1
D
3
和Q
2
必要的节点P达到一
电压足以克服目前的前这些损失
开始流为了实现这一电压在节点P的输入
必须提高到一个电压电平是一个二极管的电位
TiAl基比节点P由于较低的水平,这些都是完全
一样经历了传统的TTL在 -
与这些类型的电路terfacing实现
晶体管Q
2
提供'恒流开关''到
输出由于Q的共基极连接
2
当在
至少一个输入为逻辑' 0 '电平没有电流是deliv-
ERED到Q
2
使得它的集电极供给基本为零
到输出级的电流而当两个输入被升高
为逻辑' 1 '电平的电流供给至Q
2
由于这个电流是相对恒定Q的集电极
2
作为一个恒定电流源,用于输出级的逻辑
反转是因为逻辑' 1 '的输入电压进行
使电流被提供给Q
2
和Q
3
而当Q
3
导通,输出电压下降到逻辑“ 0 ”电平
其原因为PNP型电流源Q
2
是使得
输出级可以从一个高阻抗来驱动这
允许电压V
2
根据要调节
应用负电压
b
25V可应用于
V
2
由于输出既不来源,也不沉大
的电流的量的输出电压范围是几乎能
clusively取决于选择的V值
2
和V
3
最大漏电流通过输出晶体管Q
3
10被指定
mA
在V之间的最坏情况下的电压
2
和V
3
这将导致一个逻辑' 1 '输出电压,该电压
0 2V低于V
3
二极管同样的夹紧方式D
4
D
5
和D
6
防止逻辑' 0 '输出电压
大于2V以上V低下降
2
从而确立了输出中
电压摆动在通常为2伏特小于电压另行
V之间的比值
2
和V
3
选择电源电压
图中示出了边界条件,它必须
用于单元操作的范围的适当操作
对于电源V
2
示出在X轴必须是
b
25V和
b
8V的允许范围为电力
电源V
3
由电源V管辖
2
随着选择一个值
V
2
V
3
可以选择为沿垂直线的任意值
通过在V
2
值和由所述bounda-终止
在操作区域之间的电压差的里斯
应保持在至少5V的电源,以腺
保有足够的信号摆幅
TL F 5827 - 5
开关时间波形
TL F 5827 -6
3
物理尺寸
英寸(毫米)
金属罐包装(H )
订单号DS7800H或DS8800H
NS包装数H10C
生命支持政策
美国国家半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统未经明确的书面许可,国家总统
半导体公司如本文所用
1生命支持设备或系统设备或
其中( a)打算通过外科手术移植系统
进入体内或(b )支持或维持生命,其
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明即可
可合理预期会导致在一个显著的伤害
向用户
美国国家半导体公司
公司
1111西巴丁路
阿灵顿德克萨斯州76017
联系电话:1(800 ) 272-9959
传真:1(800 ) 737-7018
2关键部件是一个生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
可以合理预期造成的生命的失败
支持设备或系统,或影响其安全性或
效用
美国国家半导体公司
欧洲
传真(
a
49) 0-180-530 85 86
电子邮件cnjwge tevm2 NSC COM
德语电话(
a
49) 0-180-530 85 85
电话英语(
a
49) 0-180-532 78 32
弗兰AIS电话(
a
49) 0-180-532 93 58
意大利语电话(
a
49) 0-180-534 16 80
美国国家半导体公司
(香港)有限公司
13楼直座
海洋中心5广东省
九龙尖沙咀
香港
电话:( 852 ) 1637至00年
传真:( 852 ) 2736-9960
美国国家半导体公司
日本公司
电话81-043-299-2309
传真81-043-299-2408
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    联系人:杨小姐
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    DS7800H
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地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
DS7800H
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